【技术实现步骤摘要】
气体流量调节装置及其调节方法
本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种气体流量调节装置及其调节方法。
技术介绍
ICP(电感耦合等离子体InductivelyCoupledPlasma)刻蚀设备上具有侧边进气装置,用于补偿或调节刻蚀均匀性。如图1所示,通常侧边进气装置设置在真空腔1内,具有总进气口2,总进气管道2的一端连接气源5,另一端连接设置在真空腔侧壁内的环形气槽3,气体从气源5通过总进气管道2进入环形气槽3,再通过均匀分布在环形气槽3上的多个喷嘴4进入真空腔1内部。为了达到良好的出气分布均匀性,一般会设置较多的喷嘴4,喷嘴数量可以采用16个、32个等。一般的喷嘴结构不具备气体流量调节功能,喷嘴中仅仅具有气体通道,气体直接经过该通道进入真空腔,一般通过位于总进气口2前端的阀门来控制流出喷嘴4的气流大小,这种控制方式只能同时控制所有喷嘴4的气流大小,而不能实现每个喷嘴4的独立气流控制,无法调节局部的进气量,也不能补偿可能的由于晶片本身缺陷导致的局部区域需要更多或更少的气流量,或补偿由其他部件造成的刻蚀不均匀性。
技术实现思路
本专利技术提供一种气体流量调节装置及其调节方法,改进了喷嘴的结构,使喷嘴具有气体流量调节功能,并且通过独立调节每个喷嘴的气体流量,实现对局部进气量的调节,从而补偿或调节刻蚀均匀性,获得了很好的效果。为了达到上述目的,本专利技术提供一种气体流量调节装置,其设置在ICP刻蚀设备中的真空腔室的侧壁上,该气体流量调节装置包含一总进气管道,该总进气管道的一端连接到气源,总进气管道的另一端连接到设置在所述真空腔室侧壁的环形气槽,环形气槽上设置多个 ...
【技术保护点】
1.一种气体流量调节装置,其设置在ICP刻蚀设备中的真空腔室的侧壁上,其特征在于,该气体流量调节装置包含一总进气管道(22),该总进气管道(22)的一端连接到气源,总进气管道(22)的另一端连接到设置在所述真空腔室侧壁的环形气槽(33),气槽(33)上设置多个喷嘴(44);所述的喷嘴(44)包含:螺纹连接的喷嘴主体(401)和旋转螺钉(402);所述的喷嘴主体(401)包含:头部(4011),其连接气槽(33);尾部(4013),其暴露在真空腔室(11)中;连接部(4012),其连接头部(4011)和尾部(4013);通孔(4014),其贯穿头部(4011)、连接部(4012)和尾部(4013),该通孔(4014)与环形气槽(33)联通;所述的旋转螺钉(402)包含:螺钉头部(4021);螺钉主体(4022),其一端连接螺钉头部(4021);至少一个贯穿气道(4024),所述的贯穿气道(4024)设置在螺钉主体(4022)的另一端,该贯穿气道(4024)径向贯穿螺钉主体(4022);通气结构(4023),其设置在螺钉头部(4021)和螺钉主体(4022)内部,并与所有的贯穿气道(402 ...
【技术特征摘要】
1.一种气体流量调节装置,其设置在ICP刻蚀设备中的真空腔室的侧壁上,其特征在于,该气体流量调节装置包含一总进气管道(22),该总进气管道(22)的一端连接到气源,总进气管道(22)的另一端连接到设置在所述真空腔室侧壁的环形气槽(33),气槽(33)上设置多个喷嘴(44);所述的喷嘴(44)包含:螺纹连接的喷嘴主体(401)和旋转螺钉(402);所述的喷嘴主体(401)包含:头部(4011),其连接气槽(33);尾部(4013),其暴露在真空腔室(11)中;连接部(4012),其连接头部(4011)和尾部(4013);通孔(4014),其贯穿头部(4011)、连接部(4012)和尾部(4013),该通孔(4014)与环形气槽(33)联通;所述的旋转螺钉(402)包含:螺钉头部(4021);螺钉主体(4022),其一端连接螺钉头部(4021);至少一个贯穿气道(4024),所述的贯穿气道(4024)设置在螺钉主体(4022)的另一端,该贯穿气道(4024)径向贯穿螺钉主体(4022);通气结构(4023),其设置在螺钉头部(4021)和螺钉主体(4022)内部,并与所有的贯穿气道(4024)联通,该通气结构(4023)使所述环形气槽(33)和贯穿气道相联通;所述的通孔(4014)内壁具有螺纹,所述的螺钉主体(4022)的外壁具有螺纹,所述的螺钉头部(4021)的外径尺寸与喷嘴主体(401)的头部(4011)处的通孔(4014)的内径尺寸匹配,所述的螺钉主体(4022)的外径尺寸与喷嘴主体(401)的连接部(4012)和尾部(4013)处的通孔(4014)的外径尺寸匹配;当喷嘴处于完全开启状态时,将旋转螺钉(402)旋转退出喷嘴主体(401),在旋转退出的过程中,贯穿气道(4024)逐个被喷嘴主体(401)遮挡,喷嘴的气体流量从最大值开始减小,直至喷嘴进入完全关闭状态,此时喷嘴的气体流量减小为0;当喷嘴处于完全关闭状态时,将旋转螺钉(402)旋转进入喷嘴主体(401),在旋转进入的过程中,贯穿气道(4024)逐个暴露在喷嘴主体(401)之外,喷嘴的气体流量从0开始增大,直至喷嘴进入完全开启状态,此时喷嘴的气体流量增大为最大值。2.如权利要求1所述的气体流量调节装置,其特征在于,所述的螺钉头部(4021)的端面上具有凹槽部,该凹槽部用于配合工具实现旋转螺钉(402)的旋转。3.如权利要求1所述的气体流量调节装置,其特征在于,所述的螺钉主体(4022)的长度、以及贯穿气道(4024)设置在螺钉主体(4022)上的具体位置,需要保证当旋转螺钉(402)完全旋转进入喷嘴主体(401)时,所有的贯穿气道(4024)都可以完全暴露在喷嘴主体(401)之外。4.如权利要求1-3中任意一项所述的气体流量调节装置,其特征在于,所述的喷嘴(44)还包含:密封圈(403);所述的密封圈(403)套设在螺钉主体(4022)上,当旋转螺钉(402)旋转进入喷嘴主体(401)时,该密封圈(403)位于螺钉头部(4021)和喷嘴主体(401)的头部(4011)之间,实现了螺钉头部(4021)和喷嘴主体(401)之间的气体密封;所述的密封圈(403)套设在连接部(4012)上,实现了环形气槽(33)与真空腔室(11)之间的气体密封。5.一种ICP刻蚀设备,其特征在于,包含如权利要求4所述的气体流量调节装置,该气体流量调节装置设置在ICP刻蚀设备中的真空腔室的侧壁上。6.一种喷嘴,其特征在于,所述的喷嘴包含:螺纹连接的喷嘴主体(401)和旋转螺钉(402);所述的喷嘴主体(401)包含:头部(4011),其连接气槽(33);尾部(4013),其暴露在真空腔室(11)中;连接部(4012),其连接头部(4011)和尾部(4013);通孔(4014),其贯穿头部(4011)、连接部(4012)和...
【专利技术属性】
技术研发人员:左涛涛,吴狄,
申请(专利权)人:中微半导体设备上海股份有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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