一种离子束刻蚀腔体清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种离子束刻蚀腔体清洗装置，包括设置在离子束刻蚀腔体中的U形电极；离子束刻蚀腔体分别与惰性气体源和真空机组相连接；U形电极位于刻蚀电极和矩形侧壁之间，其能绕过刻蚀电极在离子束刻蚀腔体中进行180°转动；U形电极中通入高压电源；U形电极包括横向电极和两根相互平行的竖向电极；横向电极至弧形侧壁之间的距离与竖向电极至对应半圆形侧壁之间的距离相等。本发明专利技术在不影响离子束刻蚀效果和不增加离子束刻蚀机体积的前提下，通过在离子束刻蚀腔体内增加一个能转动的U形电极，实现对离子束刻蚀腔体内壁面附着物的均匀清洗。另外，采用惰性气体Ar,He,Ne作为清洗气体，不会对离子束刻蚀腔体造成腐蚀。

A Cleaning Device for Ion Beam Etching Cavity

【技术实现步骤摘要】
一种离子束刻蚀腔体清洗装置
本专利技术涉及半导体器件及芯片等制造领域，特别是一种离子束刻蚀腔体清洗装置。
技术介绍
随着半导体器件的发展，晶片图形精度越来越高，常规的湿法腐蚀由于难以避免的横向钻蚀，已经不能满足高精度细线条图形刻蚀的要求，于是逐步发展了一系列干法刻蚀技术。应用比较普遍的有等离子刻蚀、反应离子刻蚀、二极溅射刻蚀、离子束刻蚀。等离子刻蚀和反应离子刻蚀都离不开反应气体，刻蚀不同材料需要不同的反应气体及组分，另外还需要不同的激励方式和激励条件。反应气体一般是氯化物或氟化物，还有的材料很难找到合适的反应气体，如Pt往往采用纯物理作用的二极溅射刻蚀或者离子束刻蚀。离子束刻蚀是由一个离子源提供离子，离子能量低密度大，对基片损伤小，刻蚀速率快。由于离子束刻蚀对材料无选择性，特别适用于一些对化学研磨、电介研磨难以减薄的材料的减薄。另外，离子束刻蚀是各向异性腐蚀，所以图形转移精度高，细线条的线宽损失小，离子束刻蚀只使用氩气即可，不需要反应气体，工艺安全，对环境污染小，运转成本低，尤其适于采用化学方法难以刻蚀的材料及精密的超薄膜刻蚀。离子束刻蚀机是一种高真空刻蚀设备，其采用物理刻蚀方式，利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子束刻蚀腔体清洗装置，其特征在于：包括设置在离子束刻蚀腔体中的U形电极；离子束刻蚀腔体分别与惰性气体源和真空机组相连接；离子束刻蚀腔体采用弧形侧壁、两块半圆形侧壁和矩形侧壁围合形成；刻蚀电极和U形电极均通过电极转轴与半圆形侧壁相连接；两根电极转轴均与矩形侧壁相平行且位于同一高度；U形电极位于刻蚀电极和矩形侧壁之间的离子束刻蚀腔体中，U形电极能绕过刻蚀电极在离子束刻蚀腔体中进行180°转动；U形电极中通入高压电源；U形电极包括横向电极和两根相互平行的竖向电极；横向电极至弧形侧壁之间的距离与竖向电极至对应半圆形侧壁之间的距离相等。

【技术特征摘要】
1.一种离子束刻蚀腔体清洗装置，其特征在于：包括设置在离子束刻蚀腔体中的U形电极；离子束刻蚀腔体分别与惰性气体源和真空机组相连接；离子束刻蚀腔体采用弧形侧壁、两块半圆形侧壁和矩形侧壁围合形成；刻蚀电极和U形电极均通过电极转轴与半圆形侧壁相连接；两根电极转轴均与矩形侧壁相平行且位于同一高度；U形电极位于刻蚀电极和矩形侧壁之间的离子束刻蚀腔体中，U形电极能绕过刻蚀电极在离子束刻蚀腔体中进行180°转动；U形电极中通入高压电源；U形电极包括横向电极和两根相互平行的竖向电极；横向电极至弧形侧壁之间的距离与竖向电极至对应半圆形侧壁之间的距离相等。2.根据权利要求1所述的离子束刻蚀腔体清洗装置，其特征在于：与刻蚀电极相连接的电极转轴为刻蚀电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海洋，邱勇，刘小波，李娜，程实然，王铖熠，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32