一种阵列基板及其制作方法和显示面板技术

本申请公开了一种阵列基板及其制作方法和显示面板，用于降低显示器件发生DGS的概率，提高阵列基板的良率。其中的阵列基板包括：衬底基板、覆盖于所述衬底基板上的有源层、覆盖于所述有源层上的栅极绝缘层、覆盖于所述栅极绝缘层上的栅极，以及覆盖于所述栅极上的源漏极金属层；其中，所述阵列基板包括控制区和金属走线区，沿所述有源层的沟道延伸方向，位于所述金属走线区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第一长度差值，位于所述控制区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第二长度差值，所述第一长度差值小于所述第二长度差值。

An Array Substrate and Its Fabrication Method and Display Panel

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法和显示面板
本申请涉及半导体
，特别涉及一种阵列基板及其制作方法和显示面板。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)主要用于驱动液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示器的子像素。采用TFT阵列制成的驱动背板是显示屏能够实现更高的像素密度、开口率和提升亮度的关键部件。通常顶发射型结构的驱动背板沟道短，而TFT的特性易受短沟道效应的影响，为了降低短沟道效应的影响，在TFT控制区制备过程中要保证栅极绝缘层(GateInsulator，GI)10的长度比栅极(Gate)20的长度要长，如图1所示。其中，顶发射型的显示器件的阵列基板可以分为金属走线区(虚线框进行示意)和TFT控制区(实线框进行示意)。GI10相比于Gate20多出来的部分称为栅极绝缘层尾部(GITail)101。由于GITail的原因在金属走线区导致层间绝缘层(InterLayerDielectrics，ILD)30与Gate金属20的交叠处出现褶皱，这种褶皱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板、覆盖于所述衬底基板上的有源层、覆盖于所述有源层上的栅极绝缘层、覆盖于所述栅极绝缘层上的栅极，以及覆盖于所述栅极上的源漏极金属层；其中，所述阵列基板包括控制区和金属走线区，沿所述有源层的沟道延伸方向，位于所述金属走线区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第一长度差值，位于所述控制区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第二长度差值，所述第一长度差值小于所述第二长度差值。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板、覆盖于所述衬底基板上的有源层、覆盖于所述有源层上的栅极绝缘层、覆盖于所述栅极绝缘层上的栅极，以及覆盖于所述栅极上的源漏极金属层；其中，所述阵列基板包括控制区和金属走线区，沿所述有源层的沟道延伸方向，位于所述金属走线区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第一长度差值，位于所述控制区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第二长度差值，所述第一长度差值小于所述第二长度差值。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一长度差值小于或等于所述第二长度差值的20％。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述控制区的所述栅极绝缘层在所述衬底基板的正投影完全覆盖所述栅极在所述衬底基板的正投影。4.如权利要求1-3任一所述的阵列基板，其特征在于，位于所述控制区的所述层间绝缘层包括过孔，所述源漏极金属层通过所述过孔与所述有源层连接；位于所述金属走线区的所述源漏极金属层与所述栅极有交叠。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述栅极与所述源漏极金属层之间的层间绝缘层，其中，位于所述金属走线区的所述层间绝缘层与所述栅极有交叠。6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上制备并图案化有源层；在所述有源层上依次沉积绝缘薄膜和金属氧化物薄膜，分别作为栅极绝缘层和栅极层；对所述栅极层以及所述栅极绝缘层进行图案化；其中，图案化后，沿所述有源层的沟道延伸方向，位于所述阵列基板的所述金属走线区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第一长度差值，位于所述阵列基板的控制区的所述栅极绝缘层的长度与所述栅极的长度的差值为第二长度差值，所述第一长度差值小于所述第二长度差值。7.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋威，赵策，丁远奎，王明，刘宁，胡迎宾，彭俊林，倪柳松，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11