阵列基板制造技术

本发明专利技术提供一种阵列基板，包括衬底、有源层、第一金属层、第二金属层、柔性材料层和源漏极层；有源层形成在衬底一侧，图案化形成沟道区和掺杂区；第一金属层形成在有源层远离衬底的一侧，图案化形成栅极；第二金属层形成在第一金属层远离有源层的一侧，图案化形成第一连接构件；柔性材料层形成在第二金属层远离第一金属层的一侧；源漏极层形成在柔性材料层远离第二金属层的一侧，图案化形成源极和漏极；其中，源极或漏极通过第一过孔与第一连接构件连接，第一连接构件通过第二过孔与掺杂区连接。通过设置第一过孔与第二过孔，使得过孔两端的膜层更易实现连接，缓解了现有柔性显示面板源极和漏极与有源层连接不良的技术问题。

Array Substrate

【技术实现步骤摘要】
阵列基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板。
技术介绍
目前，在柔性显示面板的制程中，为提高面板的弯曲性能，通常会在层间绝缘层上形成一层有机柔性材料层，源极和漏极再通过有机柔性材料层、层间绝缘层以及栅极绝缘层中的过孔与有源层连接，然而，有机材料层的存在会导致膜层段差增大，过孔深度增大，导致源漏极与有源层断线，以致数据信号无法写入。因此，现有柔性显示面板存在源极和漏极与有源层连接不良的技术问题，需要改进。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板，以缓解现有柔性显示面板源极和漏极与有源层连接不良的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种阵列基板，包括：衬底；有源层，形成在所述衬底一侧，图案化形成沟道区和掺杂区；第一金属层，形成在所述有源层远离所述衬底的一侧，图案化形成栅极；第二金属层，形成在所述第一金属层远离所述有源层的一侧，图案化形成第一连接构件；柔性材料层，形成在所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧；源漏极层，形成在所述柔性材料层远离所述第二金属层的一侧，图案化形成源极和漏极；其中，所述源极或漏极通过第一过孔与所述第一连接构件连接，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；有源层，形成在所述衬底一侧，图案化形成沟道区和掺杂区；第一金属层，形成在所述有源层远离所述衬底的一侧，图案化形成栅极；第二金属层，形成在所述第一金属层远离所述有源层的一侧，图案化形成第一连接构件；柔性材料层，形成在所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧；源漏极层，形成在所述柔性材料层远离所述第二金属层的一侧，图案化形成源极和漏极；其中，所述源极或漏极通过第一过孔与所述第一连接构件连接，所述第一连接构件通过第二过孔与所述掺杂区连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；有源层，形成在所述衬底一侧，图案化形成沟道区和掺杂区；第一金属层，形成在所述有源层远离所述衬底的一侧，图案化形成栅极；第二金属层，形成在所述第一金属层远离所述有源层的一侧，图案化形成第一连接构件；柔性材料层，形成在所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧；源漏极层，形成在所述柔性材料层远离所述第二金属层的一侧，图案化形成源极和漏极；其中，所述源极或漏极通过第一过孔与所述第一连接构件连接，所述第一连接构件通过第二过孔与所述掺杂区连接。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接构件包括第一连接端和第二连接端，所述第一连接端与所述第一过孔连接，所述第二连接端与所述第二过孔连接，所述第一连接端与所述第二连接端在所述衬底上的投影重合。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接构件包括第一连接端和第二连接端，所述第一连接端与所述第一过孔连接，所述第二连接端与所述第二过孔连接，所述第一连接端与所述第二连接端在所述衬底上的投影不重合。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接构件与所述第二极板平行。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接构件与所述第二极板的距离大于或等于所述阵列基板中子像素宽度的四分之一。6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接构件的长度小于所述第二极板的长度。7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔的孔径大于或等于所述第二过孔的孔径。8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还形成有第三过孔，所述柔性材料层通过第三过孔与所述衬底连接，所述第一过孔与所述第三过孔的距离大于预设值。9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔包括第一分过孔和第二分过孔，所述第一金属层图案化形成第二连接构件，所述第一连接构件通过第一分过孔与所述第二连接构件连接，所述第二连接构件通过所述第二分过孔与...

【专利技术属性】
技术研发人员：许祖钊，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42