显示基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括基底、设置在所述基底上的压电层以及设置在所述压电层上的薄膜晶体管，所述压电层用于将所述薄膜晶体管产生的热量转化成声波。本发明专利技术通过在基底与薄膜晶体管之间设置压电层，压电层用于将所述薄膜晶体管产生的热量转化成声波，不仅提高了薄膜晶体管散热效率，有效抑制了薄膜晶体管的温度升高，提高了薄膜晶体管的工作稳定性和可靠性，而且有效消除了不同位置薄膜晶体管的温度差异，提高了薄膜晶体管阈值电压Vth的均匀性，提高了显示面板的显示稳定性，有效解决了不同位置的薄膜晶体管阈值电压Vth漂移程度不同的问题。

Display Substrate and Its Preparation Method and Display Device

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是显示
非常重要的元件，在液晶显示(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有机发光二极管显示(OrganicLightEmittingDiode，OLED)中起到非常重要的作用。随着显示质量的提升，对薄膜晶体管阈值电压Vth的均匀性、信赖性的要求越来越高，因此如何抑制阈值电压Vth漂移是进一步提升显示质量的重要课题之一。研究表明，自发热效应是导致薄膜晶体管产生阈值电压Vth漂移的主要原因之一。无论是薄膜晶体管用于LCD、OLED还是传感面板，薄膜晶体管工作中存在的高压驱动和电压数据传输均会导致自发热，使薄膜晶体管温度升高。由于薄膜晶体管的电特性与温度有很大关系，温度增高会导致薄膜晶体管有源层的导电性增加，影响薄膜晶体管的开关特性，因而造成薄膜晶体管的阈值电压Vth漂移。为了克服薄膜晶体管温度增高导致阈值电压Vth漂移，现有技术提出了在显示基板上设置金属铜薄膜的解决方案，利用铜薄膜良好的散热特性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，包括基底、设置在所述基底上的压电层以及设置在所述压电层上的薄膜晶体管，所述压电层用于将所述薄膜晶体管产生的热量转化成声波。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括基底、设置在所述基底上的压电层以及设置在所述压电层上的薄膜晶体管，所述压电层用于将所述薄膜晶体管产生的热量转化成声波。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述压电层的材料包括锆钛酸铅压电陶瓷复合晶体PZT、氧化锌ZnO、氮化铝AlN或聚偏氟乙烯PVDF。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述压电层的厚度为1μm～20μm。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括顶栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层设置在所述压电层上。5.根据权利要求1～4任一所述的显示基板，其特征在于，还包括遮挡层，所述遮挡层设置在所述基底上，所述压电层设置在所述遮挡层上。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述遮挡层的材料包括金属材料。7.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述遮挡层在基底上的正投影宽度大于或等于薄膜晶体管沟道区...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英明，王海生，丁小梁，王雷，王鹏鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11