一种基板处理液的存储装置和基板后处理设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及化学机械抛光后处理技术领域，公开了一种基板处理液的存储装置和基板后处理设备。基板后处理设备包括基板清洗模块和基板干燥模块，基板干燥模块包括存储装置。存储装置包括存储主体、第一管路、第二管路和第三管路，存储主体具有分别与管路气密连接的第一连接口、第二连接口和第三连接口；第一管路用于向存储主体内通入气体以增加存储主体内的压力；第二管路气密连接于压力检测部；第三管路气密连接于处理液供给管和排出管，供给管和排出管分别设置有独立的开关组件，使得可以通过第三管路向存储主体内加入处理液或从存储主体排出处理液。

A storage device for substrate treatment solution and a post-processing device for substrate

【技术实现步骤摘要】
一种基板处理液的存储装置和基板后处理设备
本专利技术涉及化学机械抛光后处理
，尤其涉及一种基板处理液的存储装置和基板后处理设备。
技术介绍
化学机械抛光(ChemicalMechanicalPlanarization,CMP)是集成电路制造中获得全局平坦化的一种超精密表面加工工艺。由于化学机械抛光中大量使用的化学试剂和研磨剂会造成基板表面的污染，所以在抛光之后需要引入后处理工艺以去除基板表面的污染物，后处理工艺一般由清洗和干燥组成，以提供光滑洁净的基板表面。抛光后清洗的目的是去除基板表面颗粒和各种化学物质，并在清洗过程中避免对表面和内部结构的腐蚀和破坏，抛光后清洗有湿法和干法之分，湿法清洗就是在溶液环境下清洗，比如清洗剂浸泡、机械擦洗、湿法化学清洗等。基板经过清洗后，基板表面会留存很多水或清洗液的残留物。由于这些水或清洗液的残留物中溶有杂质，如果让这些残留液体自行蒸发干燥，这些杂质就会重新粘结到基板的表面上，造成污染，甚至破坏晶片的结构。为此，需要对基板表面进行干燥处理，以除去这些残留液体。例如专利CN104956467B公开了一种用于化学机械平坦化的基板清洗设备，其中清洗部分包括并列的数个清洗模块和烘干模块以使基板依次通过，基板竖直放入清洗模块的腔室中进行刷洗，刷洗完毕后再送入烘干模块进行烘干。基板干燥作为后处理的最后一道工艺，对保证基板表面质量和加工成品率起着至关重要的作用。业内普遍使用的干燥技术是异丙醇(IPA，Iso-PropylAlcohol)蒸气干燥，其利用异丙醇蒸气对水产生的表面张力梯度，诱导强烈的马兰戈尼效应，从而促使基板表面吸附的水膜剥离。在使用IPA设备时，需要从供给源向IPA储液罐加入异丙醇液体，由于异丙醇具有高挥发性、容易汽化，使其存储状态不稳定，罐内气压不稳，甚至剧烈变化，存在安全隐患，还可能发生爆炸等安全事故。因此，如何安全并高效地利用和存储异丙醇成为亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种基板处理液的存储装置和基板后处理设备，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。本专利技术实施例的第一方面提供了一种基板处理液的存储装置，包括存储主体、第一管路、第二管路和第三管路，存储主体具有分别与管路气密连接的第一连接口、第二连接口和第三连接口；第一管路用于向存储主体内通入气体以增加存储主体内的压力；第二管路气密连接于压力检测部；第三管路气密连接于处理液供给管和排出管，供给管和排出管分别设置有独立的开关组件，使得可以通过第三管路向存储主体内加入处理液或从存储主体排出处理液。在一个实施例中，第一管路气密连接于加压管和泄压管，加压管用于向存储主体内通入气体，泄压管用于从存储主体内排出气体。在一个实施例中，加压管连接分流管，分流管和排出管共接于汽化器，以将气体和处理液混合并汽化排出。在一个实施例中，第三管路具有位于存储主体内部的延伸部，延伸部的底端距存储主体内底面的距离小于预设值。在一个实施例中，第三连接口位于存储主体侧壁的下部。在一个实施例中，设于供给管的开关组件包括单向阀，以使处理液通过该供给管仅能流入存储主体。在一个实施例中，存储装置还包括第四管路，第四管路的一端气密连接于存储主体的第四连接口，第四管路的另一端气密连接于液位检测部。在一个实施例中，存储主体包括盖体、存储部和用于连接盖体和存储部的台阶部，以将处理液存储在存储部内。在一个实施例中，存储部为上端开口的柱状空心筒体，台阶部为环状，台阶部的内环与盖体的下端气密连接，台阶部的外环与存储部的上端气密连接。在一个实施例中，处理液为异丙醇液体。本专利技术实施例的第二方面提供了一种基板后处理设备，包括基板清洗模块和基板干燥模块，基板干燥模块包括如上所述的存储装置。本专利技术的有益效果包括：实现了安全并高效地利用和存储异丙醇。附图说明通过结合以下附图所作的详细描述，本专利技术的优点将变得更清楚和更容易理解，但这些附图只是示意性的，并不限制本专利技术的保护范围，其中：图1为本专利技术的一个实施例提供的存储装置的原理结构图；图2为本专利技术的另一个实施例提供的存储装置的原理结构图；图3为本专利技术的一个实施例提供的存储装置的外观示意图；图4为本专利技术的又一个实施例提供的存储装置的原理结构图；图5为本专利技术的又一个实施例提供的存储装置的外观示意图；附图标记说明：10、存储主体；101、盖体；102、存储部；103、台阶部；11、第一连接口；12、第二连接口；13、第三连接口；14、第四连接口；20、第一管路；21、加压管；PV1、第一控制阀；CV1、第一单向阀；22、泄压管；PV4、第四控制阀；23、分流管；PV5、第五控制阀；MFC1、第一质量流量控制器；30、第二管路；31、压力检测部；40、第三管路；41、供给管；PV2、第二控制阀；CV2、第二单向阀；42、排出管；PV3、第三控制阀；MFC2、第二质量流量控制器；43、延伸部；50、第四管路；51、液位检测部。具体实施方式下面结合具体实施例及其附图，对本专利技术所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本专利技术的特定的具体实施方式，用于说明本专利技术的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本专利技术实施方式及本专利技术保护范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。应当理解的是，除非特别予以说明，为了便于理解，以下对本专利技术具体实施方式的描述都是建立在相关设备、装置、部件等处于原始静止的未给与外界控制信号和驱动力的自然状态下描述的。本专利技术实施例提供的一种基板处理液的存储装置，应用于基板后处理中的干燥工艺，作为干燥对象的基板包括半导体晶片、光掩膜用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子显示用玻璃基板、光盘用基板等。如图1所示，本专利技术一实施例提供了一种基板处理液的存储装置，包括存储主体10、第一管路20、第二管路30和第三管路40，存储主体10具有分别与管路气密连接的第一连接口11、第二连接口12和第三连接口13；第一管路20用于向存储主体10内通入气体以增加存储主体10内的压力；第二管路30气密连接于压力检测部31；第三管路40气密连接于处理液供给管41和排出管42，供给管41和排出管42分别设置有独立的开关组件，使得可以通过第三管路40向存储主体10内加入处理液或从存储主体10排出处理液。本实施例中，存储主体10内存储的处理液为异丙醇液体。第一管路20向存储主体10内通入的气体为惰性气体，例如氮气。第一管路20的底端高于存储主体10内液体的分界面。在第一管路20经由第一连接口11向存储主体10内加入氮气时，存储主体10内的气压升高，以将异丙醇液体排出从而执行基板干燥工艺。第二管路30将压力检测部31与存储主体10内部连通，以实现压力检测部31实时测量存储主体10内的气压，并将气压数据输送至控制系统进行显示，从而方便操作人员监控存储装置的内部状态和运行情况，并在压力异常时及时排查故障。压力检测部31可以为压力表。第三管路40位于存储主体10外侧的部分具有两路分支，即供给管41和排出管42。供给管41用于通过第三管路40向存储主体10内加入异丙醇液体。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理液的存储装置，包括存储主体、第一管路、第二管路和第三管路，所述存储主体具有分别与所述管路气密连接的第一连接口、第二连接口和第三连接口；所述第一管路用于向所述存储主体内通入气体以增加所述存储主体内的压力；所述第二管路气密连接于压力检测部；所述第三管路气密连接于处理液供给管和排出管，所述供给管和排出管分别设置有独立的开关组件，使得可以通过所述第三管路向所述存储主体内加入处理液或从所述存储主体排出处理液。

【技术特征摘要】
1.一种基板处理液的存储装置，包括存储主体、第一管路、第二管路和第三管路，所述存储主体具有分别与所述管路气密连接的第一连接口、第二连接口和第三连接口；所述第一管路用于向所述存储主体内通入气体以增加所述存储主体内的压力；所述第二管路气密连接于压力检测部；所述第三管路气密连接于处理液供给管和排出管，所述供给管和排出管分别设置有独立的开关组件，使得可以通过所述第三管路向所述存储主体内加入处理液或从所述存储主体排出处理液。2.如权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述第一管路气密连接于加压管和泄压管，所述加压管用于向所述存储主体内通入气体，所述泄压管用于从所述存储主体内排出气体。3.如权利要求2所述的存储装置，其特征在于，所述加压管连接分流管，所述分流管和所述排出管共接于汽化器，以将所述气体和所述处理液混合并汽化排出。4.如权利要求1至3任一项所述的存储装置，其特征在于，所述第三管路具有位于所述存储主体内部的延伸部，所述延伸部的底端距所述存储主体内底面的距离小于预设值。5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德文，李长坤，路新春，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京,11