单晶铜箔及其制备方法技术

本发明专利技术提供单晶铜箔及其制备方法，该方法包括将铜箔置于氧化性气体氛围中进行预氧化处理，使铜箔表面完全氧化；将表面完全氧化的铜箔置于还原性气体氛围中进行还原处理，得单晶铜箔。所得的单晶铜箔可以直接作为石墨烯生长基底，实现石墨烯的生长，避免了多次操作铜箔引起的褶皱问题，以提高石墨烯性能；也可以专门用于铜箔基底的预处理以大批量制备单晶铜基底，以应用于其他场合。本发明专利技术的方法还可实现快速批量、低成本、大面积的铜箔表面预处理，具有良好的工业化前景。

Single crystal copper foil and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
单晶铜箔及其制备方法
本专利技术涉及材料制备技术，具体涉及一种单晶铜箔及其制备方法。
技术介绍
铜箔作为生长石墨烯的有效基底及催化剂，通过化学气相沉积(CVD)法可制备出高质量的石墨烯样品。铜箔的取向，晶界等性质会一定程度上影响石墨烯的畴区大小、形貌、洁净度及光电性质等。而单晶铜箔的制备可以明显减少晶界对石墨烯的影响，且单晶铜箔上生长的石墨烯更能实现无缝拼接。此外，快速的单晶铜箔制备对于以铜箔为基底的二维材料如石墨烯，氮化硼等的制备具有重要意义。目前常用的铜箔单晶化方法为长时间退火或温度梯度晶种长大方法等，长时间退火和温度梯度晶种长大方法可使得到厘米级的单晶铜箔，但此两种方法处理铜箔效率较低，成本较高。需注意的是，前述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本专利技术的背景理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是克服现有技术中的至少一种缺陷，提供一种单晶铜箔及其制备方法。该方法快速、简便、适用于制备大面积单晶铜箔，且所制备的单晶铜箔可直接实现石墨烯的生长，避免了传统方法多次操作处理铜箔引起的铜箔褶皱而影响石墨烯性能。为了实现上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶铜箔的制备方法，其特征在于，包括：将铜箔置于氧化性气体氛围中进行预氧化处理，使铜箔表面完全氧化；将所述表面完全氧化的铜箔置于还原性气体氛围中进行还原处理，得所述单晶铜箔。

【技术特征摘要】
1.一种单晶铜箔的制备方法，其特征在于，包括：将铜箔置于氧化性气体氛围中进行预氧化处理，使铜箔表面完全氧化；将所述表面完全氧化的铜箔置于还原性气体氛围中进行还原处理，得所述单晶铜箔。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预氧化处理的时间为1min～180min。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预氧化处理的温度为300℃～700℃。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化性气体选自含氧气体，所述还原性气体选自氢气、一氧化碳的一种或多种。5.根据权利要求1所述的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘忠范，彭海琳，李广亮，张金灿，刘晓婷，张月新，
申请(专利权)人：北京石墨烯研究院，北京大学，
类型：发明
国别省市：北京,11