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本发明提供单晶铜箔及其制备方法，该方法包括将铜箔置于氧化性气体氛围中进行预氧化处理，使铜箔表面完全氧化；将表面完全氧化的铜箔置于还原性气体氛围中进行还原处理，得单晶铜箔。所得的单晶铜箔可以直接作为石墨烯生长基底，实现石墨烯的生长，避免了多次...
该专利属于北京石墨烯研究院;北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京石墨烯研究院;北京大学授权不得商用。

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