铋硫基超导单晶体及其制备方法技术

一种铋硫基超导单晶体及其制备方法。该种铋硫基超导单晶体的分子式为LaOxBiS2，0.75≤x≤0.93。其制备方法是：A、将La2S3、Bi2S3、Bi2O3、Bi和S，按照LaOxBiS2的化学计量比称量，再研磨混合均匀得原料混合物；B、将原料混合物与助熔剂CsCl按1：5～10的质量比均匀混合，得原料‑助熔剂混合物；C、将原料‑助熔剂混合物，900～1000℃烧结8～12小时；以0.5℃～2℃/小时的速度降温至600～800℃，之后随炉冷却；用水冲洗10～20次；在50～100℃干燥5～10小时，即得。该铋硫基超导单晶体具有多种晶体结构，其超导性能稳定，超导转变温度为3～3.2K。

【技术实现步骤摘要】
铋硫基超导单晶体及其制备方法
本专利技术涉及一种铋硫基超导单晶体及其制备方法。
技术介绍
新超导体的发现有助于开阔超导的研究和应用，自从超导电性发现以来，新超导体的探索工作从未停歇，典型的发现有铜基氧化物高温超导体、铁基超导体、铋硫基超导体等。铋硫基超导体2012年被发现，其超导转变温度并不高，到目前为止最高仅为11K；但其具有和铜基氧化物高温超导体以及铁基超导体相似的层状晶体结构。此外，铋硫基超导体还具有独特的特征，如压力效应，在压力作用下超导转变温度可被提高，还发生结构相变；加之，铋硫基超导单晶体具有高的各向异性，可作为本征的约瑟夫森结，而在太赫兹辐射源、量子比特等领域具有极大的应用价值。新的铋硫基超导体的探索和开发，对当前仍不明朗的超导电性产生机制的研究、开发具有重要意义。
技术实现思路
本专利技术的第一专利技术目的是提供一种新的铋硫基超导单晶体，该种铋硫基超导单晶体具有多种晶体结构，即为四方结构(空间群为P4/nmm)、单斜结构(空间群为P21/m)或三斜结构(空间群为)，单晶体的尺寸为1-2毫米；其超导性能稳定，超导转变温度为3～3.2K。本专利技术实现其专利技术目的，所采用的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铋硫基超导单晶体，其分子式为LaO1‑xBiS2，其中0.07≤x≤0.25。

【技术特征摘要】
1.一种铋硫基超导单晶体，其分子式为LaO1-xBiS2，其中0.07≤x≤0.25。2.一种制备权利要求1所述的铋硫基超导单晶体的方法，其作法是：A、将La2S3、Bi2S3、Bi2O3、Bi和S共五种物质，按照LaO1-xBiS2，0.07≤x≤0.25的化学计量比称量，再研磨混合均匀得原料混合物；B、将原料混合物与助熔剂CsCl按1：5～10的质量比均匀混合，得原料-助熔剂混合...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈永亮，崔雅静，文志伟，刘世恒，赵勇，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：四川,51