一种原子层沉积设备制造技术

本发明专利技术公开一种原子层沉积设备。本发明专利技术提供的原子层沉积设备包括：真空反应室、载气瓶、载气管路、前驱体源瓶和前驱体管路。其中，真空反应室包括沉积室和真空室，沉积室设于真空室的腔体内，且沉积室与真空室可拆卸连接。载气瓶通过载气管路与沉积室连通，前驱体源瓶通过前驱体管路与沉积室连通。沉积室通过其内腔真空抽气口与抽真空设备连接，真空室通过其外腔真空抽气口与抽真空设备连接。本发明专利技术提供的原子层沉积设备，真空反应室采用可拆卸连接的内外双腔结构，设备体积小，便于清洗，通用性好，可以满足不同尺寸，不同形状半导体器件的镀膜工艺需求，能够满足工业化大规模生产的需求。

An Atomic Layer Deposition Equipment

【技术实现步骤摘要】
一种原子层沉积设备
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种原子层沉积设备。
技术介绍
工业生产中为了改善各种各样材料的性能，进行表面涂层是应用最广泛的方法之一，目前制备方法主要有物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、溶胶-凝胶法(sol-gel)、原子层沉积(ALD)。其中，原子层沉积技术作为一种特殊的化学气相沉积技术，制备的涂层相比于其他方法多种优点。原子层沉积(ALD)技术正逐渐成为了微电子器件制造及半导体领域的必要技术，例如用于制备晶体管栅堆垛及电容器中的高k介质和金属薄膜、刻蚀终止层、多种间隙层和薄膜扩散阻挡层、磁头以及非挥发性存储器，芯片薄膜沉积等。原子层沉积技术充分利用表面饱和反应(surfacesaturationreactions)，天生具备厚度控制和高度的稳定性，对温度和反应源流量的变化不太敏感。采用原子层沉积技术得到的薄膜既具有高纯度又具有高密度，既平整又具有高度的保型性。但是，现有的原子层沉积装置不仅通用性差，而且体积较大，清洗不方便。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种原子层沉积设备，设备体积小，便于清洗，通用性好，可以满足不同尺寸，不同形状半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种原子层沉积设备，其特征在于，所述设备包括：真空反应室、载气瓶和前驱体源瓶；其中，所述真空反应室包括沉积室和真空室，所述沉积室设于所述真空室的腔体内，且所述沉积室与所述真空室可拆卸连接；所述载气瓶通过载气管路与所述沉积室连通，所述前驱体源瓶通过前驱体管路与所述沉积室连通；所述沉积室开设有内腔真空抽气口，所述真空室开设有外腔真空抽气口，所述沉积室通过所述内腔真空抽气口与抽真空设备连接，所述真空室通过所述外腔真空抽气口与抽真空设备连接。

【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积设备，其特征在于，所述设备包括：真空反应室、载气瓶和前驱体源瓶；其中，所述真空反应室包括沉积室和真空室，所述沉积室设于所述真空室的腔体内，且所述沉积室与所述真空室可拆卸连接；所述载气瓶通过载气管路与所述沉积室连通，所述前驱体源瓶通过前驱体管路与所述沉积室连通；所述沉积室开设有内腔真空抽气口，所述真空室开设有外腔真空抽气口，所述沉积室通过所述内腔真空抽气口与抽真空设备连接，所述真空室通过所述外腔真空抽气口与抽真空设备连接。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述设备还包括取样机械手，所述真空室和所述沉积室对应开设有侧壁进样口，对应所述侧壁进样口设置有滑轨，所述取样机械手与所述滑轨滑动连接，所述取样机械手设置有用于放置基片的基片支架。3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述真空室和所述沉积室对应开设有上进样口，所述真空室的上进样口匹配设置有上开门，所述上开门与所述真空室铰接连接。4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述设备还包括冷却水管路系统，所述冷却水管路系统的冷却水盘管设于所述真空室的外壁。5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张跃飞，屠金磊，唐亮，张宜旭，程晓鹏，张泽，
申请(专利权)人：浙江祺跃科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33