衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质。本发明专利技术的目的在于，提供能够在处理室中抑制大气气氛的侵入的技术。本发明专利技术的技术具有：支承衬底的衬底支承部；处理室，其具有处理所述衬底的第一空间；排气部，其对所述第一空间的气氛进行排气；向所述第一空间供给气体的气体导入管；与所述气体导入管连通的处理气体搬送管；接头部，其构成为在所述第一空间的外侧的第二空间中对所述气体导入管与所述处理气体搬送管相邻接的邻接部进行覆盖，并将所述气体导入管和所述处理气体搬送管固定；和压力调节部，其设置于所述邻接部与所述第二空间之间。

Substrate Processing Device, Semiconductor Device Manufacturing Method, Recording Media

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质
本专利技术涉及处理衬底的衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质。
技术介绍
处理衬底的衬底处理装置可在处理室中于衬底上形成各种膜。对于一部分膜而言，需要减小氧等大气成分的影响。因此，在衬底处理装置中，需要努力减轻大气成分的影响。作为处理衬底的装置，存在例如专利文献1中公开的装置。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-199160号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术的目的在于，提供能够在处理室中抑制大气气氛的侵入的技术。用于解决课题的手段本专利技术的技术具有：支承衬底的衬底支承部；处理室，其具有处理所述衬底的第一空间；排气部，其对所述第一空间的气氛进行排气；向所述第一空间供给气体的气体导入管；与所述气体导入管连通的处理气体搬送管；接头部，其构成为在所述第一空间外侧对所述气体导入管与所述处理气体搬送管相邻接的邻接部进行覆盖，并将所述气体导入管和所述处理气体搬送管固定；和压力调节部，其设置于所述邻接部与所述第二空间之间。专利技术效果根据本技术，能够在处理室中抑制大气气氛的侵入。附图说明[图1]为说明第一实施方式涉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.衬底处理装置，其具备：支承衬底的衬底支承部；处理室，其具有处理所述衬底的第一空间；排气部，其对所述第一空间的气氛进行排气；和气体供给系统，其具有：向所述第一空间供给气体的气体导入管；与所述气体导入管连通的处理气体搬送管；接头部，其构成为在所述第一空间外侧的第二空间中对所述气体导入管与所述处理气体搬送管相邻接的邻接部进行覆盖，并将所述气体导入管和所述处理气体搬送管固定；和压力调节部，其设置于所述邻接部与所述第二空间之间。

【技术特征摘要】
2018.02.20 JP 2018-0280261.衬底处理装置，其具备：支承衬底的衬底支承部；处理室，其具有处理所述衬底的第一空间；排气部，其对所述第一空间的气氛进行排气；和气体供给系统，其具有：向所述第一空间供给气体的气体导入管；与所述气体导入管连通的处理气体搬送管；接头部，其构成为在所述第一空间外侧的第二空间中对所述气体导入管与所述处理气体搬送管相邻接的邻接部进行覆盖，并将所述气体导入管和所述处理气体搬送管固定；和压力调节部，其设置于所述邻接部与所述第二空间之间。2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，配置有所述接头部的空间为第二空间，处理所述衬底时的压力构成为所述第二空间与所述压力调节部成为相同压力。3.如权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给系统具有对与大气成分反应的气体进行搬送的第一气体供给系统，所述压力调节部至少设置于第一气体供给系统。4.如权利要求1至3中任一项所述的衬底处理装置，其中，所述压力调节部具有第一密封构件、第二密封构件、和在所述第一密封构件与所述第二密封构件之间构成的压力调节空间，并且构成为设置在所述气体导入管或所述气体搬送管中的任一者与所述接头部之间。5.如权利要求4所述的衬底处理装置，其中，所述气体导入管由石英构成，所述第一密封构件由弹性体构成，所述气体导入管构成为被所述第一密封构件支承。6.如权利要求4或5所述的衬底处理装置，其中，所述第一密封构件构成为设置在所述第一空间与所述压力调节部之间。7.衬底处理装置，其具备：支承衬底的衬底支承部；反应管，其在所述衬底支承部被内置的状态下处...

【专利技术属性】
技术研发人员：大野干雄，村田慧，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP