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衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质制造方法及图纸
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下载衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质的技术资料
文档序号:21966490
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本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质。本发明的目的在于,提供能够在处理室中抑制大气气氛的侵入的技术。本发明的技术具有:支承衬底的衬底支承部;处理室,其具有处理所述衬底的第一空间;排气部,其对所述第一空间的气氛进行排气;向所...
该专利属于株式会社国际电气所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社国际电气授权不得商用。
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