一种用于银纳米线的涂布装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于银纳米线的涂布装置，包括：储料机构，用于静置银纳米线浆料；模头机构，用于将所述银纳米线浆料涂布到基体上；所述模头机构与储料机构之间设置有混合组件，和/或模头机构内设置有扰流型流道；所述混合组件和扰流型流道均用于对流过的所述银纳米线浆料扰流，使银纳米线浆料中的银纳米线排布紊乱。利用本装置在涂布银纳米线浆料时，浆料中的银纳米线经过混合组件和/或扰流型流道后排布紊乱，形成杂乱搭接的效果，从而使得基体线阻变小，进一步的提高了成品导电膜的质量。

A Coating Device for Silver Nanowires

【技术实现步骤摘要】
一种用于银纳米线的涂布装置
本技术涉及涂布
，具体涉及一种用于银纳米线的涂布装置。
技术介绍
透明导电膜中的银纳米线是将金属纳米化涂在光学PET等膜上，一般用在触摸屏上，其中有一个重要的指标-线阻，线阻越小，说明成品透明导电膜的质量越好。该线阻的测量方法是，将涂布完银纳米线涂层的膜切成条状，测量条状上的电阻即为线阻。为使透明导电膜上的线阻小，则涂布在膜上的银纳米线一定是搭接的，涂布的时候搭接方式不统一，银纳米线可以纵向搭接或横向搭接，形成杂乱搭接的方式。现有的模头出涂料的时候有压力，涂布出的银纳米线会变成有序化的，就不能产生杂乱搭接的效果。因此，现有技术有待提高和改进。
技术实现思路
本申请旨在提供一种用于银纳米线的涂布装置，使涂布的银纳米线杂乱搭接，以降低成品导电膜的线阻。本申请提供了一种用于银纳米线的涂布装置，包括：储料机构，用于静置银纳米线浆料；模头机构，用于将所述银纳米线浆料涂布到基体上；所述模头机构与储料机构之间设置有混合组件，和/或模头机构内设置有扰流型流道；所述混合组件和扰流型流道均用于对流过的所述银纳米线浆料扰流，使银纳米线浆料中的银纳米线排布紊乱。所述的涂布装置，其中，所述模头机构的内部具有用于传输所述银纳米线浆料的通道、入料口、空腔室、以及用于涂布银纳米线浆料的出料口，所述入料口通过所述通道依次将空腔室、扰流型流道、出料口串联连通；所述扰流型流道包括：扰动区，以及连通于所述扰动区的混合区，所述扰动区连通所述空腔室，所述混合区连通所述出料口；所述银纳米线浆料经所述扰动区扰流后，再经所述混合区混合。所述的涂布装置，其中，所述模头机构包括相互扣合的上模头和下模头；所述上模头与所述下模头通过各自的接触面与对方接触，其中至少一个所述接触面上设置有凹槽，所述凹槽和另一个接触面形成所述扰流型流道。所述的涂布装置，其中，所述模头机构包括上模头、垫片和下模头，所述上模头通过所述垫片与下模头扣合，所述垫片处于所述上模头和所述下模头之间；所述上模头和/或所述下模头与垫片接触的接触面上设置有凹槽，所述凹槽和所述垫片接触形成所述扰流型流道。所述的涂布装置，其中，所述扰流型流道至少一个侧壁上设置有多个并联的沟道单元，沟道单元用于扰流；所述沟道单元位于所述凹槽的底部或垫片上。。所述的涂布装置，其中，所述沟道单元包括：至少两个相交汇流的第一沟道和第二沟道，以及设置汇流方向上的第三沟道；所述第一沟道和所述第二沟道的沟道入口连通所述空腔室，用于扰流；所述第一沟道和所述第二沟道的沟道出口汇流并连通所述第三沟道的沟道入口；所述第三沟道的沟道出口与所述混合区连通；所述第三沟道在浆料流动方向上的截面积逐渐增大。所述的涂布装置，其中，还包括供料泵；所述供料泵的进泵口与所述储料机构的出口管道连接，所述供料泵的出泵口与所述模头机构管道连接；所述供料泵用于将所述储料机构存储的银纳米线浆料泵送至所述模头机构。所述的涂布装置，其中，所述模头机构与储料机构之间设置有混合组件，所述供料泵的出泵口通过所述混合组件与所述模头机构连接；所述混合组件用于使银纳米线浆料中的银纳米线排布紊乱。所述的涂布装置，其中，所述混合组件为静态混合器；其包括：内部中空的管体，以及位于所述管体内的导流叶片；所述管体的一端连接所述模头机构，另一端连接所述供料泵的出泵口；所述导流叶片呈螺旋状，以在所述管体内形成螺旋通道；所述螺旋通道用于使流过所述管体内的银纳米线浆料中的银纳米线排布紊乱。所述的涂布装置，其中，所述混合组件包括搅拌器；所述搅拌器用于使所述银纳米线浆料中的银纳米线经搅拌后排布紊乱。本技术的有益效果是：本技术提供一种用于银纳米线的涂布装置，包括：储料机构，用于静置银纳米线浆料；模头机构，用于将所述银纳米线浆料涂布到基体上；所述模头机构与储料机构之间设置有混合组件，和/或模头机构内设置有扰流型流道；所述混合组件和扰流型流道均用于对流过的所述银纳米线浆料扰流，使银纳米线浆料中的银纳米线排布紊乱。利用本装置在涂布银纳米线浆料时，浆料中的银纳米线经过混合组件和/或扰流型流道后排布紊乱，形成杂乱搭接的效果，从而使得成品线阻变小，进一步的提高了成品导电膜的质量。附图说明图1为本技术提供的用于银纳米线的涂布装置的结构示意图；图2为涂布到基体表面上排布紊乱的银纳米线的示意图；图3为本技术提供的模头机构的内部结构示意图；图4为本技术提供的沟道单元的结构示意图；图5为本技术提供的静态混合器的剖视图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。下面通过具体实施方式结合附图对本技术作进一步详细说明。银纳米线浆料的涂布过程是一个需要时间积累的过程，银纳米线浆料宜静置供料，以免产生气泡，由于管道的输送与静置再经过模头压力的剪切后，银纳米线在溶剂中的悬浮趋向于有规律的排序，涂布后产品不能达到期望的杂乱搭接的效果，从而造成横纵方向的偏差太大。而本申请提供的用于银纳米线的涂布装置中，通过改变模头中的流道、模头中的垫片、管道的结构，使得涂布后产品在横向方向上和纵向方向上的线阻均匀，进而降低了成品导电膜的线阻，从而提高了产品的质量，对于显示屏多点的触控提供良好的基础。参见图1所示，本实施例所提供的涂布装置主要包括：储料机构1和模头机构2，储料机构1用于静置银纳米线浆料，静置后的银纳米线浆料不易产生气泡，不会影响到后序涂布到基体上的工序。模头机构2用于将储料机构1所存储静置后的银纳米线浆料涂布到基体上。具体的，在模头机构2与储料机构1之间设置有混合组件3，和/或在模头机构2内设置扰流型流道。混合组件3和扰流型流道均用于对流过的银纳米线浆料进行扰流，使银纳米线浆料中的银纳米线排布紊乱。本实施方式是利用狭缝式涂布将银纳米线浆料沿着模头的缝隙挤出并转移到移动基体上，其具有涂布涂膜速度高，膜厚一致性好、涂液粘度范围广、涂液利用率高等优点。在一实施例中，模头机构2和混合组件3是两个相对独立的结构，模头机构2中设置的扰流型流道和混合组件3的作用相同，均是用来对流过的银纳米线浆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于银纳米线的涂布装置，其特征在于，包括：储料机构，用于静置银纳米线浆料；模头机构，用于将所述银纳米线浆料涂布到基体上；所述模头机构与储料机构之间设置有混合组件，和/或模头机构内设置有扰流型流道；所述混合组件和扰流型流道均用于对流过的所述银纳米线浆料扰流，使银纳米线浆料中的银纳米线排布紊乱。

【技术特征摘要】
1.一种用于银纳米线的涂布装置，其特征在于，包括：储料机构，用于静置银纳米线浆料；模头机构，用于将所述银纳米线浆料涂布到基体上；所述模头机构与储料机构之间设置有混合组件，和/或模头机构内设置有扰流型流道；所述混合组件和扰流型流道均用于对流过的所述银纳米线浆料扰流，使银纳米线浆料中的银纳米线排布紊乱。2.如权利要求1所述的涂布装置，其特征在于，所述模头机构的内部具有用于传输所述银纳米线浆料的通道、入料口、空腔室、以及用于涂布银纳米线浆料的出料口，所述入料口通过所述通道依次将空腔室、扰流型流道、出料口串联连通；所述扰流型流道包括：扰动区，以及连通于所述扰动区的混合区，所述扰动区连通所述空腔室，所述混合区连通所述出料口；所述银纳米线浆料经所述扰动区扰流后，再经所述混合区混合。3.如权利要求2所述的涂布装置，其特征在于，所述模头机构包括相互扣合的上模头和下模头；所述上模头与所述下模头通过各自的接触面与对方接触，其中至少一个所述接触面上设置有凹槽，所述凹槽和另一个接触面形成所述扰流型流道。4.如权利要求2所述的涂布装置，其特征在于，所述模头机构包括上模头、垫片和下模头，所述上模头通过所述垫片与下模头扣合，所述垫片处于所述上模头和所述下模头之间；所述上模头和/或所述下模头与垫片接触的接触面上设置有凹槽，所述凹槽和所述垫片接触形成所述扰流型流道。5.如权利要求3或4所述的涂布装置，其特征在于，所述扰流型流道至少一个侧壁上设置有多个并联的沟道单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢礼，关敬党，
申请(专利权)人：深圳市善营自动化股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44