一种高透明性阻隔膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种高透明性阻隔膜及其制备方法，其中，稿透明性阻隔膜包括基膜，于基膜上形成一阻隔层，阻隔层为一混合金属‑硅‑氮氧化合物层，且阻隔层的折射率介于1.5～2.2之间，厚度介于20～60nm之间。本发明专利技术的高透明性阻隔膜及其制备方法生产稳定性高，且阻隔性能优异，有效减少水气侵入。

A highly transparent barrier membrane and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种高透明性阻隔膜及其制备方法
本专利技术涉及保护膜
，尤其涉及一种高透明性阻隔膜及其制备方法。
技术介绍
专利号为201580002853.1的中国专利揭示了一种波长转换片材保护膜，该保护膜的O/Si比例控制在1.7～2.0之间，可得到优秀的水蒸气阻隔效果以及良好的光学透射率。但是，由于O/Si比例处于不饱和状态，该状态下O2含量非常的敏感，些微之O2波动就会影响镀膜速率，造成厚度的差异；尤其是大幅宽连续性的生产上，易造成宽度、长度均匀性上的偏差，从而导致良品率低。
技术实现思路
本专利技术提供一种生产过程稳定，提高良品率，且阻隔性能优异，有效减少水气侵入的高透明性阻隔膜及其制备方法。本专利技术采用的技术方案为：一种高透明性阻隔膜，其包括：基膜，于所述基膜上形成一阻隔层，所述阻隔层为混合金属-硅-氮氧化合物层，且所述阻隔层的折射率介于1.5～2.2之间，厚度介于20nm～60nm之间。进一步地，所述混合金属-硅-氮氧化合物层为铝-硅-氮氧化合物层、钛-硅-氮氧化合物层、锌-硅-氮氧化合物层、或锡-硅-氮氧化合物层。进一步地，所述阻隔层的折射率优选为介于1.5～1.8之间。进一步地，所述阻隔层的厚度优选为介于20nm～40nm之间。进一步地，所述基膜为PET膜、尼龙膜、或OPP膜。进一步地，所述基膜为PET膜，且厚度介于6um～50um之间。进一步地，所述阻隔层的透光率为80％以上。进一步地，所述阻隔层的制备方法为电子束蒸镀法或感应式蒸镀法。本专利技术还提供如下技术方案：一种高透明性阻隔膜，其包括：基膜，于所述基膜上形成一阻隔层，所述阻隔层的制备方法为使用电子束蒸镀设备或感应式蒸镀设备将金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物和氧化硅、氮化硅或氮氧化硅进行蒸发，同时导入氮气、氧气进行反应，得到混合金属-硅-氮氧化合物层，且所述阻隔层的折射率介于1.5～2.2之间，厚度介于20nm～60nm之间。进一步地，所述金属氧化物为氧化铝、氧化钛、氧化锌、或氧化锡。进一步地，所述金属氮化物为氮化铝、氮化钛、氮化锌、或氮化锡。进一步地，所述金属氮氧化物为氮氧化铝、氮氧化铝、氮氧化钛、或氮氧化锡。本专利技术进一步提供如下技术方案：一种高透明性阻隔膜的制备方法，其包括以下步骤：提供基膜；使用电子束蒸镀设备或感应式蒸镀设备将金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物和氧化硅、氮化硅或氮氧化硅进行蒸发，同时导入氮气、氧气进行反应，于基膜上形成混合金属-硅-氮氧化合物的阻隔层，所述阻隔层的折射率介于1.5～2.2之间，厚度介于20nm～60nm之间。相较于现有技术，本专利技术的高透明性阻隔膜及其制备方法通过使用电子束蒸镀设备将金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物和氧化硅、氮化硅或氮氧化硅进行蒸发，同时导入氮气、氧气进行反应，得到混合金属-硅-氮氧化合物层作为阻隔层，从而有效提高生产稳定，提高良品率，且阻隔性能优异，有效减少水气侵入。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但不应构成对本专利技术的限制。在附图中，图1：本专利技术高透明性阻隔膜的示意图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。如图1所示，本专利技术的高透明性阻隔膜包括基膜1，于采用电子束蒸镀法或感应式蒸镀法在基膜1上形成一阻隔层2，阻隔层2为一混合金属-硅-氮氧化合物层，且阻隔层2的折射率介于1.5～2.2之间，优选为介于1.5～1.8之间；阻隔层2厚度介于20nm～60nm之间，优选为介于20nm～40nm之间。其中，基膜1为PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜、尼龙膜、或OPP(领苯基苯酚)膜；进一步，基膜1为PET膜，且厚度介于6um～50um之间。混合金属-硅-氮氧化合物层为铝-硅-氮氧化合物层、钛-硅-氮氧化合物层、锌-硅-氮氧化合物层、或锡-硅-氮氧化合物层。本专利技术的高透明性阻隔膜的制备方法如下：提供基膜1；使用电子束蒸镀设备或感应式蒸镀设备将金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物和氧化硅、氮化硅或氮氧化硅进行蒸发，同时导入氮气、氧气进行反应，于基膜1上形成混合金属-硅-氮氧化合物的阻隔层2。其中，金属氧化物为氧化铝、氧化钛、氧化锌、或氧化锡。金属氮化物为氮化铝、氮化钛、氮化锌、或氮化锡。金属氮氧化物为氮氧化铝、氮氧化铝、氮氧化钛、或氮氧化锡。以下通过实验验证本专利技术的高透明性阻隔膜的性能；实施例1:使用PET薄膜作为基膜，铝、硅为材料，使用电子束蒸镀设备对铝、硅材料进行蒸发，并于反应过程中导入氧气、氮气，藉由调整铝及氮气在整体化合物中的比例，得到一折射率为1.5，厚度为60nm的铝-硅-氮氧化合物阻隔层。实施例2:使用PET薄膜作为基膜，铝、硅为材料，使用电子束蒸镀设备对铝、硅材料进行蒸发，并于反应过程中导入氧气、氮气，藉由调整铝及氮气在整体化合物中的比例，得到一折射率为1.6，厚度为60nm的铝-硅-氮氧化合物阻隔层。实施例3:使用PET薄膜作为基膜，铝、硅为材料，使用电子束蒸镀设备对铝、硅材料进行蒸发，并于反应过程中导入氧气、氮气，藉由调整铝及氮气在整体化合物中的比例，得到一折射率为1.8，厚度为60nm的铝-硅-氮氧化合物阻隔层。实施例4:使用PET薄膜作为基膜，铝、硅为材料，使用电子束蒸镀设备对铝、硅材料进行蒸发，并于反应过程中导入氧气、氮气，藉由调整铝及氮气在整体化合物中的比例，得到一折射率为1.6，厚度为20nm的铝-硅-氮氧化合物阻隔层。实施例5:使用PET薄膜作为基膜，铝、硅为材料，使用电子束蒸镀设备对铝、硅材料进行蒸发，并于反应过程中导入氧气、氮气，藉由调整铝及氮气在整体化合物中的比例，得到一折射率为2.0，厚度为40nm的铝-硅-氮氧化合物阻隔层。实施例6:使用PET薄膜作为基膜，钛、硅为材料，使用电子束蒸镀设备对钛、硅材料进行蒸发，并于反应过程中导入氧气、氮气，藉由调整钛及氮气在整体化合物中的比例，得到一折射率为2.2，厚度为20nm的钛-硅-氮氧化合物阻隔层。实施例7:使用PET薄膜作为基膜，锌、硅为材料，使用电子束蒸镀设备对铝、硅材料进行蒸发，并于反应过程中导入氧气、氮气，得到一20nm的锌-硅-氮氧化合物阻隔层。实施例8:使用PET薄膜作为基膜，锡、硅为材料，使用电子束蒸镀设备对铝、硅材料进行蒸发，并于反应过程中导入氧气、氮气，得到一20nm的锡-硅-氮氧化合物阻隔层。实施例9:使用PET薄膜作为基膜，铝、氧化硅为材料，使用电子束蒸镀设备对铝、硅材料进行蒸发，并于反应过程中导入氧气、氮气，得到一20nm的铝-硅-氮氧化合物阻隔层。实施例10:使用PET薄膜作为基膜，氧化铝、氧化硅为材料，使用电子束蒸镀设备对铝、硅材料进行蒸发，并于反应过程中导入氧气、氮气，得到一20nm的铝-硅-氮氧化合物阻隔层。实施例11：使用PET薄膜作为基膜，铝、氧化硅为材料，使用电子束蒸镀设备对铝、硅材料进行蒸发，并于反应过程中导入氧气、氮气，得到一100nm的铝-硅-氮氧化合物阻隔层。比较例1:使用PET薄膜作为基膜，氧化硅为材料，使用电子束蒸镀设备对氧化硅材料进行蒸发，并于反应过程中导入氧气，得到一折射率为1.45本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高透明性阻隔膜，其特征在于，包括：基膜，于所述基膜上形成一阻隔层，所述阻隔层为混合金属‑硅‑氮氧化合物层，且所述阻隔层的折射率介于1.5～2.2之间，厚度介于20nm～60nm之间。

【技术特征摘要】
1.一种高透明性阻隔膜，其特征在于，包括：基膜，于所述基膜上形成一阻隔层，所述阻隔层为混合金属-硅-氮氧化合物层，且所述阻隔层的折射率介于1.5～2.2之间，厚度介于20nm～60nm之间。2.如权利要求1所述的高透明性阻隔膜，其特征在于：所述混合金属-硅-氮氧化合物层为铝-硅-氮氧化合物层、钛-硅-氮氧化合物层、锌-硅-氮氧化合物层、或锡-硅-氮氧化合物层。3.如权利要求1所述的高透明性阻隔膜，其特征在于：所述阻隔层的折射率优选为介于1.5～1.8之间。4.如权利要求1所述的高透明性阻隔膜，其特征在于：所述阻隔层的厚度优选为介于20nm～40nm之间。5.如权利要求1所述的高透明性阻隔膜，其特征在于：所述基膜为PET膜、尼龙膜、或OPP膜。6.如权利要求1所述的高透明性阻隔膜，其特征在于：所述基膜为PET膜，且厚度介于6um～50um之间。7.如权利要求1所述的高透明性阻隔膜，其特征在于：所述阻隔层的透光率为80％以上。8.如权利要求1-7任一项所述的高透明性阻隔膜，其特征在于：所述阻隔层的制备方法为电子束蒸镀法或感应式蒸镀法。9.一种高透明性阻隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡文玮，
申请(专利权)人：汕头万顺新材集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44