一种对失效芯粒的自动分析方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及一种对失效芯粒的自动分析方法及系统，所述方法包括以下步骤：收集待测晶圆的WAT数据及CP数据，进行数据分析处理，所述WAT数据为待测警员的电性测试数据，所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据；根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WAT mapping图；根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CP mapping图，并根据生成的CP mapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据，形成新的CP‑WAT mapping图；将待测晶圆的WAT mapping图与CP‑WAT mapping图进行比对，计算得到WAT mapping图与CP‑WAT mapping图的相似值，并根据计算得到的相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。节省人力物力，提高效率。

An Automatic Analysis Method and System for Failure Core

【技术实现步骤摘要】
一种对失效芯粒的自动分析方法及系统
本专利技术涉及晶圆测试
，特别涉及一种对失效芯粒的自动分析方法及系统。
技术介绍
当晶圆在完成所有制程工艺之后，需要对晶圆进行WAT测试(WaferAcceptanceText晶片允收测试)对晶圆上各个测试结构进行电性测试及CP测试(CircuitProbing晶圆测试)确保晶圆上每个芯粒能基本满足器件的特征等。而现有WAT测试完成后需手动处理数据，根据测试坐标手动汇出WATmapping图并计算出单片晶圆各个测试项目的最大值，最小值，均值，标准差等。一般测试项目较多，在40-60项左右。CP测试完成后需手动处理数据，根据测试坐标手动汇出CPmapping图并计算出单片晶圆各个测试项目的最大值，最小值，均值，标准差等。根据单颗芯粒尺寸大小，晶圆上芯粒颗数数量不一，一般在20000颗以上。其中测试项目根据客户需求设定，一般在10-20项。CPmapping生成后，需手动提取每个shot中的PCM区域边缘3行3列数据重新计算，形成与WATmapping图相对应的CP-WATmapping图。将生成的WATmapping图与CP-WATmapping图进行色阶填充后，手动一一比对WATmapping图与CP-WATmapping图的相似性，找出相似性最高的项目。假设WAT测试项目40项，分别为项目一、项目二，……，项目四十，则根据坐标手动绘制WATmapping图，则生成相对应的40张WATmapping图。假设CP测试芯粒25000颗，测试项目10项，分别为项目A、项目B，……，项目J，则根据坐标手动绘制CPmapping图，则生成相对应的10张CPmapping图。CPmapping生成后，需手动提取每个shot中的PCM区域边缘3行3列数据重新计算，形成与WATmapping图相对应的CP-WATmapping图，并手动进行色阶填充mapping图。手动提取项目A的CP-WATmapping图依次与40张WATmapping图进行一一比对，找出相似值最大的WAT测试项目，则找出了项目A与WAT测试项目XX相关性最大。接着提取项目B再依次比对，得出相关性最大的WAT测试项目。以此类推，一一比对。假设项目A是无效的，则需工艺调整与A相关性最大的WAT测试项目XX。显然手动数据处理工作量大，繁琐，需耗费大量的人力物力，同时数据量大，数据精度小。
技术实现思路
为此，需要提供一种对失效芯粒的自动分析方法，解决现有对晶圆失效分析中通过动数据处理工作量大，繁琐，需耗费大量的人力物力，及数据量大，数据精度小的问题。为实现上述目的，专利技术人提供了一种对失效芯粒的自动分析方法，包括以下步骤：收集待测晶圆的WAT数据及CP数据，进行数据分析处理，所述WAT数据为待测警员的电性测试数据，所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据；根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WATmapping图；根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CPmapping图，并根据生成的CPmapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据，形成新的CP-WATmapping图；将待测晶圆的WATmapping图与CP-WATmapping图进行比对，计算得到WATmapping图与CP-WATmapping图的相似值，并根据计算得到的相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。进一步优化，所述“将待测晶圆的WATmapping图与CP-WATmapping图进行比对，计算得到WATmapping图与CP-WATmapping图的相似值，并根据计算得到的相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性”具体包括以下步骤：将待测晶圆的CP-WATmapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第一图片，将待测晶圆的WATmapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第二图片；将第一图片与第二图片根据像素点比对法进行比对，计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WATmapping图的正相关相似值；根据计算得到的正相关相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。进一步优化，所述“根据计算得到的正相关相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性”之后还包括步骤：将待测晶圆的WATmapping图根据负色阶填充规则进行填充生成第三图片；将第一图片与第三图片根据像素点比对法进行比对，计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WATmapping图的负相关相似值；根据计算得到的正相关相似值及负相关相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。进一步优化，还包括以下步骤：对待测晶圆是否进行CP测试、CP测试是否完成、WAT数据和CP测试数据是否已经发送及WAT数据和CP数据是否已经进行数据处理分析进行实时监控，获得监控信息；并将获得的监控信息发送至工程师。进一步优化，所述“将待测晶圆的WATmapping图与CP-WATmapping图进行比对，计算得到WATmapping图与CP-WATmapping图的相似值，并根据计算得到的相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性”之后还包括步骤：根据计算得到的相似值大小排序及判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性生成测试报告。专利技术人还提供了另一个技术方案：一种对失效芯粒的自动分析系统，包括数据收集模块、数据处理模块及数据比对模块；所述数据收集模块用于收集待测晶圆的WAT数据及CP数据，并发送至数据处理模块，所述WAT数据为待测警员的电性测试数据，所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据；所述数据处理模块用于根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WATmapping图，根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CPmapping图，并根据生成的CPmapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据，形成新的CP-WATmapping图；所述数据比对模块用于将待测晶圆的WATmapping图与CP-WATmapping图进行比对，计算得到WATmapping图与CP-WATmapping图的相似值，并根据计算得到的相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。进一步优化，所述数据比对模块具体用于：将待测晶圆的CP-WATmapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第一图片，将待测晶圆的WATmapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第二图片；将第一图片与第二图片根据像素点比对法进行比对，计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WATmapping图的正相关相似值；根据计算得到的正相关相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。进一步优化，所述数据比对模块还用于：将待测晶圆的WATmapping图根据负色阶填充规则进行填充生成第三图片；将第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对失效芯粒的自动分析方法，其特征在于，包括以下步骤：收集待测晶圆的WAT数据及CP数据，进行数据分析处理，所述WAT数据为待测警员的电性测试数据，所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据；根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WAT mapping图；根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CP mapping图，并根据生成的CP mapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据，形成新的CP‑WAT mapping图；将待测晶圆的WAT mapping图与CP‑WAT mapping图进行比对，计算得到WAT mapping图与CP‑WAT mapping图的相似值，并根据计算得到的相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。

【技术特征摘要】
1.一种对失效芯粒的自动分析方法，其特征在于，包括以下步骤：收集待测晶圆的WAT数据及CP数据，进行数据分析处理，所述WAT数据为待测警员的电性测试数据，所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据；根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WATmapping图；根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CPmapping图，并根据生成的CPmapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据，形成新的CP-WATmapping图；将待测晶圆的WATmapping图与CP-WATmapping图进行比对，计算得到WATmapping图与CP-WATmapping图的相似值，并根据计算得到的相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。2.根据权利要求1所述对失效芯粒的自动分析方法，其特征在于，所述“将待测晶圆的WATmapping图与CP-WATmapping图进行比对，计算得到WATmapping图与CP-WATmapping图的相似值，并根据计算得到的相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性”具体包括以下步骤：将待测晶圆的CP-WATmapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第一图片，将待测晶圆的WATmapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第二图片；将第一图片与第二图片根据像素点比对法进行比对，计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WATmapping图的正相关相似值；根据计算得到的正相关相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。3.根据权利要求2所述对失效芯粒的自动分析方法，其特征在于，所述“根据计算得到的正相关相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性”之后还包括步骤：将待测晶圆的WATmapping图根据负色阶填充规则进行填充生成第三图片；将第一图片与第三图片根据像素点比对法进行比对，计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WATmapping图的负相关相似值；根据计算得到的正相关相似值及负相关相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。4.根据权利要求1所述对失效芯粒的自动分析方法，其特征在于，还包括以下步骤：对待测晶圆是否进行CP测试、CP测试是否完成、WAT数据和CP测试数据是否已经发送及WAT数据和CP数据是否已经进行数据处理分析进行实时监控，获得监控信息；并将获得的监控信息发送至工程师。5.根据权利要求1所述对失效芯粒的自动分析方法，其特征在于，所述“将待测晶圆的WATmapping图与CP-WATmapping图进行比对，计算得到WATmapping图与CP-WATmapping图的相似值，并根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁佩雪，郭文海，林锦伟，邓丹丹，赵玉会，林伟铭，钟艾东，甘凯杰，
申请(专利权)人：福建省福联集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35