一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法，将三氧化铼置于硅片A上后再置于反应舟中，将碳布基底平铺于反应舟上方，再将硅片B压盖在碳布基底上，同时还在反应舟的两端留置通气口；将硫粉置于反应容器中，反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内，将石英玻璃管置于真空管式炉内，然后在惰性气体气氛围下，将真空管式炉内温度升至650‑850℃，保温20‑40min，即得到垂直生长的二硫化铼纳米片。本发明专利技术提供的制备方法工艺简单，所制备的三维二硫化铼纳米片作为电化学产氢催化剂具有较好电催化活性，稳定性好。同时由于生长衬底廉价，实验条件可控性好，易于引入实际工业生产当中，因此在绿色化学工业中具有广阔的应用前景。

Preparation of Vertically Grown Rhenium Disulfide Nanosheets

【技术实现步骤摘要】
一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法
本专利技术涉及电化学催化产氢催化剂制备
，具体涉及一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法。
技术介绍
近年来，新兴的二维纳米材料已被证实具有成为重要电化学催化剂的巨大潜力。这类超薄的纳米材料与其块体相比性质差异极大，且超薄纳米片的扩散路径短，可有效促进电荷转移。二维材料可以较容易地采用多种策略制备以及调控微观结构，成为探索激发催化活性和电子转移的理想对象。其中二硫化铼由于其低结构对称性与其它过渡金属二硫化物在性能上有所不同，其具有光学和电学的各向异性，尤其是三维结构垂直生长的二硫化铼纳米片，相对于二维结构的二硫化铼纳米片来说，其活性位点能够最大限度地暴露，从而使其电子转移效率更高，催化活性更好。目前三维结构二硫化铼纳米片的制备方法主要是气相沉积法，气相沉积法相比于其他技术工艺更加简单，更加可控，在近年来得到了广泛的应用。但是利用气相沉积法合成较大面积的三维结构二硫化铼纳米片仍存在缺陷，如得到的三维结构的二硫化铼纳米片中会混有一定量二维结构的二硫化铼纳米片以及沉积速率较低等。为了对二硫化铼产氢催化作用进行更加深入的研究，并推动其实用化进程，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将三氧化铼置于硅片A上后再置于反应舟中，然后将碳布基底平铺于反应舟上方，再将硅片B压盖在碳布基底上，同时还在反应舟的两端均留置通气口；将硫粉置于反应容器中，反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内，再将石英玻璃管置于真空管式炉内，然后在惰性气体气氛围下，将真空管式炉内温度升至650‑850℃，保温20‑40min，即在碳布基底上沉积得到垂直生长的二硫化铼纳米片；其中，所述三氧化铼与硫粉的质量比为0.4‑2:100。

【技术特征摘要】
1.一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将三氧化铼置于硅片A上后再置于反应舟中，然后将碳布基底平铺于反应舟上方，再将硅片B压盖在碳布基底上，同时还在反应舟的两端均留置通气口；将硫粉置于反应容器中，反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内，再将石英玻璃管置于真空管式炉内，然后在惰性气体气氛围下，将真空管式炉内温度升至650-850℃，保温20-40min，即在碳布基底上沉积得到垂直生长的二硫化铼纳米片；其中，所述三氧化铼与硫粉的质量比为0.4-2:100。2.根据权利要求1所述的垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法，其特征在于，硅片A和碳布基底在使用前均经过预处理。3.根据权利要求2所述的垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法，其特征在于，硅片A的预处理步骤如下：将硅片A分别在无水乙醇、异丙醇和丙酮中超声清洗...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵亚娟，李建国，黄剑锋，曹丽云，冯亮亮，冯永强，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61