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一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法技术
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文档序号:21906912
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本发明公开了一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法,将三氧化铼置于硅片A上后再置于反应舟中,将碳布基底平铺于反应舟上方,再将硅片B压盖在碳布基底上,同时还在反应舟的两端留置通气口;将硫粉置于反应容器中,反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内,将...
该专利属于陕西科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过陕西科技大学授权不得商用。
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