OLED显示面板的制作方法及OLED显示面板技术

本发明专利技术提供一种OLED显示面板的制作方法及OLED显示面板。该方法包括如下步骤：提供衬底基板，在所述衬底基板上形成呈阵列排布的多个阳极及位于多个阳极的间隔区域内的辅助电极；在所述衬底基板、多个阳极及辅助电极上形成像素定义层，在所述像素定义层上形成分别对应于多个阳极上方的多个第一开口以及对应于辅助电极上方的第二开口；在所述辅助电极、像素定义层及多个阳极上形成整面覆盖的OLED发光层；对所述OLED发光层进行UV光照；在所述OLED发光层形成整面分布的阴极，通过UV光照处理可提高OLED发光层中电子传输材料的电流导通性，消除辅助电极与阴极之间的导通障碍，提升电压降改善效果。

Manufacturing Method of OLED Display Panel and OLED Display Panel

【技术实现步骤摘要】
OLED显示面板的制作方法及OLED显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED显示面板的制作方法及OLED显示面板。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。OLED通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED显示器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。随着显示技术的发展，显示面板的尺寸越来越大，OLED显示面板的阴极的尺寸越来越大，阴极电阻也相应增大，导致施加到阴极上的电压在低于目标值，产生电压降(IRDrop)，为此，现有技术提出了在阴极下方设置与阳极同层且分隔的辅助电极的技术方案，通过开口(Contacthole)将阴极与辅助电极连接到一起，可以有效减少阴极的方块电阻，改善电压降问题，但该方案在实际应用时，开口形成以后，需要形成OLED发光功能层，包括电子传输层在内的OLED发光功能层同样沉积于开口里面，阴极与辅助电极需要经过电子传输层才能连接到一起，而电子传输层的材料阻抗较高，使得开口穿过的电流过小，导致阴极与辅助电极的导通存在障碍，影响电压降的改善效果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED显示面板的制作方法，能够提升电子传输层的电流导通性，消除辅助电极与阴极的导通障碍，提升电压降改善效果。本专利技术的目的还在于提供一种OLED显示面板，能够提升电子传输层的电流导通性，消除辅助电极与阴极的导通障碍，提升电压降改善效果。为实现上述目的，本专利技术提供了一种OLED显示面板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成呈阵列排布的多个阳极及位于多个阳极的间隔区域内的辅助电极；步骤S2、在所述衬底基板、多个阳极及辅助电极上形成像素定义层，在所述像素定义层上形成分别对应于多个阳极上方的多个第一开口以及对应于辅助电极上方的第二开口；步骤S3、在所述辅助电极、像素定义层及多个阳极上形成整面覆盖的OLED发光层；步骤S4、对所述OLED发光层进行UV光照；步骤S5、在所述OLED发光层形成整面分布的阴极。所述步骤S4中对所述OLED发光层进行UV光照时，仅对位于第二开口中的OLED发光层进行UV光照。所述步骤S4中对所述OLED发光层进行UV光照，其中采用低压汞灯进行UV光照，所述UV光照的波长为250～260nm，照度25～30mW/cm2，UV光照的时长大于或等于600秒。所述步骤S3具体包括：步骤S31、在所述辅助电极、像素定义层及多个阳极上形成整面覆盖的空穴注入层；步骤S32、在空穴注入层上形成整面覆盖空穴传输层；步骤S33、在空穴传输层上形成分别与多个阳极一一对应的数个发光功能层；步骤S34、在空穴传输层及发光功能上形成整面覆盖的电子传输层，所述空穴注入层、空穴传输层、发光功能层及电子传输层共同组成所述OLED发光层。所述步骤S34中采用蒸镀工艺形成所述电子传输层。所述阳极和阴极中的一个的材料为透明氧化物，另一个的材料为金属。所述辅助电极的材料为透明氧化物。所述辅助电极的材料为金属。所述辅助电极呈网格状分布。本专利技术还提供一种OLED显示面板，采用上述的OLED显示面板的制作方法制作。本专利技术的有益效果：本专利技术提供了一种OLED显示面板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成呈阵列排布的多个阳极及位于多个阳极的间隔区域内的辅助电极；步骤S2、在所述衬底基板、多个阳极及辅助电极上形成像素定义层，在所述像素定义层上形成分别对应于多个阳极上方的多个第一开口以及对应于辅助电极上方的第二开口；步骤S3、在所述辅助电极、像素定义层及多个阳极上形成整面覆盖的OLED发光层；步骤S4、对所述OLED发光层进行UV光照；步骤S5、在所述OLED发光层形成整面分布的阴极，通过UV光照处理可提高OLED发光层中电子传输材料的电流导通性，消除辅助电极与阴极之间的导通障碍，提升电压降改善效果。本专利技术还提供一种OLED显示面板，能够提升电子传输层的电流导通性，消除辅助电极与阴极的导通障碍，提升电压降改善效果。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术的OLED显示面板的制作方法的步骤S1的示意图；图2为本专利技术的OLED显示面板的制作方法的步骤S2的示意图；图3为本专利技术的OLED显示面板的制作方法的步骤S3的示意图；图4为本专利技术的OLED显示面板的制作方法的第一实施例的步骤S4的示意图；图5为本专利技术的OLED显示面板的制作方法的第二实施例的步骤S4的示意图；图6为本专利技术的OLED显示面板的制作方法的步骤S5的示意图；图7为本专利技术的OLED显示面板的制作方法的步骤S6的示意图；图8为本专利技术的OLED显示面板的制作方法的流程图；图9为电子传输材料ET1在UV光照前后的电流-电压曲线图；图10为电子传输材料ET2在UV光照前后的电流-电压曲线图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图7，本专利技术提供一种OLED显示面板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、请参阅图1，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上形成呈阵列排布的多个阳极21及位于多个阳极21的间隔区域内的辅助电极22。具体地，所述衬底基板10为TFT基板，其上形成有TFT阵列以及覆盖TFT阵列的平坦层，所述多个阳极21及辅助电极22均形成于所述平坦层上。具体地，在本专利技术的一些实施例中，所述阳极21的材料为透明氧化物，优选为氧化铟锡，当然这并非对本申请限定，在本专利技术的其他实施例中，所述阳极21还可以为金属。具体地，在本专利技术的一些实施例中，所述辅助电极22的材料与所述阳极21的材料相同，均为透明氧化物，优选为氧化铟锡，当然在本专利技术另一些实施例中，所述辅助电极22的材料还可以与所述阳极21的材料不同，所述辅助电极22的材料可以为金属，优选为银、铝和铜中的一种或多种的组合。具体地，所述辅助电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成呈阵列排布的多个阳极(21)及位于多个阳极(21)的间隔区域内的辅助电极(22)；步骤S2、在所述衬底基板(10)、多个阳极(21)及辅助电极(22)上形成像素定义层(30)，在所述像素定义层(30)上形成分别对应于多个阳极(21)上方的多个第一开口(31)以及对应于辅助电极(22)上方的第二开口(32)；步骤S3、在所述辅助电极(22)、像素定义层(30)及多个阳极(21)上形成整面覆盖的OLED发光层(40)；步骤S4、对所述OLED发光层(40)进行UV光照；步骤S5、在所述OLED发光层(40)形成整面分布的阴极(50)。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成呈阵列排布的多个阳极(21)及位于多个阳极(21)的间隔区域内的辅助电极(22)；步骤S2、在所述衬底基板(10)、多个阳极(21)及辅助电极(22)上形成像素定义层(30)，在所述像素定义层(30)上形成分别对应于多个阳极(21)上方的多个第一开口(31)以及对应于辅助电极(22)上方的第二开口(32)；步骤S3、在所述辅助电极(22)、像素定义层(30)及多个阳极(21)上形成整面覆盖的OLED发光层(40)；步骤S4、对所述OLED发光层(40)进行UV光照；步骤S5、在所述OLED发光层(40)形成整面分布的阴极(50)。2.如权利要求1所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中对所述OLED发光层(40)进行UV光照时，仅对位于第二开口(32)中的OLED发光层(40)进行UV光照。3.如权利要求1所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中对所述OLED发光层(40)进行UV光照，其中采用低压汞灯进行UV光照，所述UV光照的波长为250～260nm，照度25～30mW/cm2，UV光照的时长大于或等于600秒。4.如权利要求1所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜中辉，吴元均，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44