一种纳米压印模组及其压印方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米压印模组及其压印方法，在模板一侧的纳米压印结构与基板一侧的纳米压印胶层接触压印时，对电极结构施加电压，通过改变纳米压印胶层液滴与纳米压印结构之间的电压，来改变纳米压印胶层液滴在纳米压印结构上的润湿性，即改变液滴与纳米压印结构之间的接触角，液滴在纳米压印结构表面能铺展，固液接触面有扩大趋势，即液滴对纳米压印结构表面的附着力大于其内聚力，使与纳米压印结构接触的纳米压印胶层液滴具有润湿性，可以使纳米压印胶层液滴对纳米压印结构填充充分。因此本发明专利技术的纳米压印模组解决了现有技术中因对模板进行抗粘处理导致模板与纳米压印胶层液滴的接触角变大，导致纳米压印胶对模板的纳米结构填充不充分的问题。

A Nanoimprint Module and Its Impression Method

【技术实现步骤摘要】
一种纳米压印模组及其压印方法
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种纳米压印模组及其压印方法。
技术介绍
纳米压印是一种不同于传统光刻技术的全新图形转移技术，其能够把纳米图形从模板“复制”到基板上，具有产量高、成本低和工艺简单的优点。如图1和图2所示，图1为一组纳米压印模组，包括相对设置的模板1和基板2，模板1具有纳米压印结构3，基板2具有纳米压印胶层4，纳米压印技术就是要把纳米压印结构3的图形复制到纳米压印胶层4上，通过将图1中的纳米压印结构3和纳米压印胶层4进行接触，然后施加一定压力，使纳米压印结构3印制到纳米压印胶层4中，再通过激光固化纳米压印胶层4，最后将具有纳米压印结构3的模板1进行脱模处理，形成图2所示的结构，可以看出纳米压印结构3的图形印制到了纳米压印胶层4上。在纳米压印技术中，关键环节是高精度模板的制备和模板的重复利用。为了提高模板的使用寿命，需对模板进行抗粘处理、对基板进行增粘处理，并保持适度的压印力。然而模板进行抗粘处理之后，模板缝隙与UV压印胶液滴的接触角变大，导致UV压印胶对模板的纳米结构填充不充分。随着模板的重复利用，模板对UV压印胶液滴的接触角逐渐变小，填充有所改善，但极易造成脱模失败。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种纳米压印模组及其压印方法，用以解决
技术介绍
中的问题。因此，本专利技术实施例提供了一种纳米压印模组，包括：相对设置的模板和基板，所述模板面向所述基板一侧具有纳米压印结构，所述基板面向所述模板一侧具有纳米压印胶层；还包括位于所述模板与所述基板之间的电极结构；在所述模板一侧的纳米压印结构与所述基板一侧的纳米压印胶层进行接触压印时，所述电极结构被配置为在电压的驱动下，使与所述纳米压印结构接触的纳米压印胶层的液滴具有润湿性。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述纳米压印模组中，所述电极结构包括：驱动电极和参考电极；所述参考电极与所述驱动电极相对设置。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述纳米压印模组中，所述参考电极和所述驱动电极均位于所述基板与所述纳米压印胶层之间。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述纳米压印模组中，所述参考电极和所述驱动电极均位于所述纳米压印结构背向所述模板的一侧。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述纳米压印模组中，所述参考电极和所述驱动电极位于同一层，且所述驱动电极和所述参考电极交替排列。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述纳米压印模组中，所述参考电极和所述驱动电极位于不同层。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述纳米压印模组中，所述参考电极位于所述纳米压印结构背向所述模板的一侧，所述驱动电极位于所述基板与所述纳米压印胶层之间。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述纳米压印模组中，还包括：位于所述纳米压印结构最外侧表面依次层叠设置的第一介电层和第一疏水层，以及位于所述纳米压印胶层面向所述基板一侧的表面接触设置的第二疏水层和第二介电层。相应地，本专利技术实施例还提供了一种本专利技术实施例提供的上述纳米压印模组的压印方法，包括:将所述模板一侧的纳米压印结构与所述基板一侧的纳米压印胶层进行接触压印；向所述电极结构加载电压，使与所述纳米压印结构接触的所述纳米压印胶层的液滴具有润湿性，将所述纳米压印结构印制在所述纳米压印胶层上。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述压印方法中，在将所述纳米压印结构印制在所述纳米压印胶层上，具体包括：采用紫外光固化所述纳米压印胶层，使所述纳米压印结构印制在所述纳米压印胶层上。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述压印方法中，向所述电极结构加载电压预设时间后，采用紫外光固化所述纳米压印胶层；或，向所述电极结构加载电压预设时间后，停止向所述电极结构加载电压，采用紫外光固化所述纳米压印胶层。本专利技术的有益效果：本专利技术实施例提供的纳米压印模组及其压印方法，该纳米压印模组包括：相对设置的模板和基板，模板面向基板一侧具有纳米压印结构，基板面向模板一侧具有纳米压印胶层；还包括位于模板与基板之间的电极结构；本专利技术通过在模板一侧的纳米压印结构与基板一侧的纳米压印胶层进行接触压印时，对电极结构施加电压，通过改变纳米压印胶层的液滴与纳米压印结构之间的电压，来改变纳米压印胶层的液滴在纳米压印结构上的润湿性，即改变液滴与纳米压印结构之间的接触角，液滴在纳米压印结构表面能铺展，固液接触面有扩大的趋势，即液滴对纳米压印结构表面的附着力大于其内聚力，使与纳米压印结构接触的纳米压印胶层的液滴具有润湿性，因此可以使纳米压印胶层的液滴对纳米压印结构填充充分。因此，本专利技术实施例提供的纳米压印模组解决了现有技术中因对模板进行抗粘处理导致模板缝隙与UV压印胶液滴的接触角变大，导致UV压印胶对模板的纳米结构填充不充分的问题。附图说明图1为相关技术中纳米压印模组的结构示意图之一；图2为相关技术中纳米压印模组的结构示意图之二；图3为本专利技术实施例提供的纳米压印模组的结构示意图之一；图4为本专利技术实施例提供的纳米压印模组的结构示意图之二；图5为本专利技术实施例提供的纳米压印模组的结构示意图之三；图6为本专利技术实施例提供的纳米压印模组的结构示意图之四；图7为本专利技术实施例提供的纳米压印模组的压印方法的流程图。具体实施方式为了使本专利技术的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本专利技术实施例提供的纳米压印模组及其压印方法的具体实施方式进行详细地说明。附图中各层薄膜厚度和形状不反映纳米压印模组的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供的纳米压印模组，如图3至图6所示，包括：相对设置的模板1和基板2，模板1面向基板2一侧具有纳米压印结构3，基板2面向模板1一侧具有纳米压印胶层4；还包括位于模板1与基板2之间的电极结构5；在模板1一侧的纳米压印结构3与基板2一侧的纳米压印胶层4进行接触压印时，电极结构5被配置为在电压的驱动下，使与纳米压印结构3接触的纳米压印胶层5的液滴具有润湿性。本专利技术实施例提供的纳米压印模组包括：相对设置的模板和基板，模板面向基板一侧具有纳米压印结构，基板面向模板一侧具有纳米压印胶层；还包括位于模板与基板之间的电极结构；本专利技术通过在模板一侧的纳米压印结构与基板一侧的纳米压印胶层进行接触压印时，对电极结构施加电压，通过改变纳米压印胶层的液滴与纳米压印结构之间的电压，来改变纳米压印胶层的液滴在纳米压印结构上的润湿性，即改变液滴与纳米压印结构之间的接触角，液滴在纳米压印结构表面能铺展，固液接触面有扩大的趋势，即液滴对纳米压印结构表面的附着力大于其内聚力，使与纳米压印结构接触的纳米压印胶层的液滴具有润湿性，因此可以使纳米压印胶层的液滴对纳米压印结构填充充分。因此，本专利技术实施例提供的纳米压印模组解决了现有技术中因对模板进行抗粘处理导致模板缝隙与UV压印胶液滴的接触角变大，导致UV压印胶对模板的纳米结构填充不充分的问题。进一步地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述纳米压印模组中，如图3至图6所示，电极结构5包括：驱动电极51和参考电极52；驱动电极51与参考电极52相对设置。下面通过几个具体实施例对本专利技术实施例提供的上述纳米压印模组的结构进行详细说明。实施例一：如图3所示，驱动电极51和参考电极52本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米压印模组，其特征在于，包括：相对设置的模板和基板，所述模板面向所述基板一侧具有纳米压印结构，所述基板面向所述模板一侧具有纳米压印胶层；还包括位于所述模板与所述基板之间的电极结构；在所述模板一侧的纳米压印结构与所述基板一侧的纳米压印胶层进行接触压印时，所述电极结构被配置为在电压的驱动下，使与所述纳米压印结构接触的纳米压印胶层的液滴具有润湿性。

【技术特征摘要】
1.一种纳米压印模组，其特征在于，包括：相对设置的模板和基板，所述模板面向所述基板一侧具有纳米压印结构，所述基板面向所述模板一侧具有纳米压印胶层；还包括位于所述模板与所述基板之间的电极结构；在所述模板一侧的纳米压印结构与所述基板一侧的纳米压印胶层进行接触压印时，所述电极结构被配置为在电压的驱动下，使与所述纳米压印结构接触的纳米压印胶层的液滴具有润湿性。2.如权利要求1所述的纳米压印模组，其特征在于，所述电极结构包括：驱动电极和参考电极；所述参考电极与所述驱动电极相对设置。3.如权利要求2所述的纳米压印模组，其特征在于，所述参考电极和所述驱动电极均位于所述基板与所述纳米压印胶层之间。4.如权利要求2所述的纳米压印模组，其特征在于，所述参考电极和所述驱动电极均位于所述纳米压印结构背向所述模板的一侧。5.如权利要求3或4所述的纳米压印模组，其特征在于，所述参考电极和所述驱动电极位于同一层，且所述驱动电极和所述参考电极交替排列。6.如权利要求3或4所述的纳米压印模组，其特征在于，所述参考电极和所述驱动电极位于不同层。7.如权利要求2所述的纳米压印模组，其特征在于，所述参...

【专利技术属性】
技术研发人员：王健，李建，张文余，黄东升，徐诗雨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11