【技术实现步骤摘要】
一种具有单侧掩蔽层的碳化硅MOSFET器件
本专利技术属于微电子
，具体涉及一种具有单侧掩蔽层的碳化硅MOSFET器件。
技术介绍
宽带隙半导体材料碳化硅具有较大的禁带宽度，较高的临界击穿电场，高热导率和高电子饱和漂移速度等优良物理和化学特性，适合制作高温、高压、大功率及抗辐照的半导体器件。在功率电子领域中，功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)已经被广泛引入，它具有栅极驱动简单，开关时间短等特点。槽栅结构MOSFET是继MOSFET之后新发展的一种高效功率开关器件，它采用沟槽型栅极结构场效应管，不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108Ω)、驱动电流小(0.1μA左右)的优点，还具有耐高压、工作电流大、输出功率高、跨导线性好和开关速度快等优良特性。由于它将电子管与功率晶体管的优点集于一身，因此在开关电源、逆变器、电压放大器、功率放大器等电路中获得广泛应用。因此高击穿电压、大电流、低导通电阻是功率MOSFET器件最为关键的指标。目前，在传统的槽栅结...
【技术保护点】
1.一种具有单侧掩蔽层的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括从下至上依次设置的漏电极(1)、N型掺杂衬底层(2)、N型漂移区(3)和P型基区(4)；所述P型基区(4)上设置有P型源区(5)和N型源区(6)；所述P型基区(4)的内部设置有槽栅结构(7)，所述槽栅结构(7)的底部延伸至所述N型漂移区(3)的内部，所述槽栅结构(7)的顶部延伸出所述P型基区(4)的上表面；所述槽栅结构(7)的下方设置有掩蔽层(8)，且所述掩蔽层(8)的上表面与所述槽栅结构(7)的下表面接触，且所述掩蔽层(8)仅覆盖所述槽栅结构(7)的下表面的一部分；所述P型源区(5)和所述N型源区(6)上设置...
【技术特征摘要】
1.一种具有单侧掩蔽层的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括从下至上依次设置的漏电极(1)、N型掺杂衬底层(2)、N型漂移区(3)和P型基区(4)；所述P型基区(4)上设置有P型源区(5)和N型源区(6)；所述P型基区(4)的内部设置有槽栅结构(7)，所述槽栅结构(7)的底部延伸至所述N型漂移区(3)的内部，所述槽栅结构(7)的顶部延伸出所述P型基区(4)的上表面；所述槽栅结构(7)的下方设置有掩蔽层(8)，且所述掩蔽层(8)的上表面与所述槽栅结构(7)的下表面接触，且所述掩蔽层(8)仅覆盖所述槽栅结构(7)的下表面的一部分；所述P型源区(5)和所述N型源区(6)上设置有源电极(9)；所述槽栅结构(7)上设置有栅电极(10)。2.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在，两个所述P型源区(5)均呈杆状，分别位于所述P型基区(4)上表面的两端；两个所述N型源区(6)均呈杆状，分别位于两个所述P型源区(5)的内侧且与对应侧的所述P型源区(5)相接触；所述槽栅结构(7)包括栅介质沟槽(11)和位于所述栅介质沟槽(11)内部的导电材料(12)，其中，所述栅介质沟槽(11)伸出所述P型基区(4)上表面的部分同时与两个所述N型源区(6)的侧...
【专利技术属性】
技术研发人员：张玉明，白瑞杰，宋庆文，汤晓燕，张艺蒙，王悦湖，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61
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