抗单粒子烧毁LDMOS器件制造技术

本发明专利技术提出了一种抗单粒子烧毁LDMOS器件，该结构通过在器件的漂移区制作一个P

Single Event Burning Resistance LDMOS Devices

【技术实现步骤摘要】
抗单粒子烧毁LDMOS器件
本专利技术涉及功率半导体器件抗辐射加固技术，具体地说是一种抗单粒子烧毁LDMOS器件结构。
技术介绍
LDMOS(lateraldouble-diffusedMOS)由于更容易与CMOS工艺兼容且开关速度快而被广泛应用于制作RF集成电路和高压集成电路，可用于无线通讯中的RF功率放大器和宇航空间系统中的电源管理设备。目前，LDMOS已经发展到比较成熟的阶段，国外各大公司都有多种LDMOS产品面世以满足各种功率的需求，但宇航用LDMOS通常以牺牲基本电学特性为代价换取抗辐射性能的改善，因此一直以来受到自身性能的限制。单粒子烧毁(singleeventburnout，SEB)效应属于重离子辐射效应中最严重的一种，重离子射入器件后损耗的能量可直接转化为极高浓度的电子-空穴对，进而引发瞬态大电流。LDMOS内部的N+源区、P-区和N-漂移区共同构成了寄生双极结型晶体管(bipolarjunctiontransistor，BJT)，而瞬态电流的出现极有可能使寄生BJT正向导通，瞬态电流在寄生BJT放大作用下会急剧增大直至烧毁器件。因此，如何在不牺牲LDMOS基本电学特本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.抗单粒子烧毁LDMOS器件，其特征在于：在传统SOI LDMOS结构基础上，还包括P

【技术特征摘要】
1.抗单粒子烧毁LDMOS器件，其特征在于：在传统SOILDMOS结构基础上，还包括P-埋层；所述P-埋层设置在浅槽隔离氧化层下方；P-埋层可紧邻浅槽隔离氧化层底部或与浅槽隔离氧化层保持一段距离；P-埋层横向尺寸不大于浅槽隔离氧长度。2.根据权利要求1所述的抗单粒子烧毁LDMOS器...

【专利技术属性】
技术研发人员：王颖，于成浩，曹菲，包梦恬，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33