一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管制造技术

本实用新型专利技术提供了一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，解决了现有金氧半场效晶体管在应用于高压或高速切换频率时，制作成本高，增加漏电流，降低金氧半场效晶体管的稳定性，产品的结构复杂，产品体积大且良率低的问题。本实用新型专利技术包括基板，所述基板的上表面设置有磊晶层，所述磊晶层上形成有第一介电层，所述第一介电层的部分表面形成有至少一个闸极，未被闸极覆盖的所述磊晶层上掺杂形成有至少一个本体，所述本体的部分区域掺杂形成有至少一个源极区，所述第一介电层和所述闸极上形成有第二介电层，所述第二介电层上设置有源极，所述基板、磊晶层、本体及源极区均为半导体。本实用新型专利技术具有排除累计电荷快，产品构造简单及体积小等优点。

A Planar Field Effect Transistor with Integrated Schottky Diode

【技术实现步骤摘要】
一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管
本技术涉及晶体管领域，具体涉及一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管。
技术介绍
金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)被广泛的使用在模拟电路与数字电路中。金氧半场效晶体管依照其通道极性的不同，可分为电子占多数的N信道型与电洞占多数的P信道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管(NMOSFET)与P型金氧半场效晶体管(PMOSFET)。当金氧半场效晶体管有高速切换需求时，通常会选择以下两种方式来满足要求：一种是以贵重金属制作源极，或者是以电子或质子的离子注入基板，以快速排除累积电荷。但如此一来不仅会增加金氧半场效晶体管的制作成本，同时还会增加漏电流，进而降低了金氧半场效晶体管的稳定性。另一种是在金氧半场效晶体管封装时将萧特基二极管并接源极和汲极后再封装一起，以减少排除晶体管切换时于体二极管(Body-diode)累积的少数载子的时间，进而提高切换的频率，减少切换的功率损失，但是这样使得产品的结构复杂并且增加了产品的体积。因此，开发一种既能低成本快速排除累计电荷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，其特征在于，包括基板(11)，所述基板(11)的上表面设置有磊晶层(13)，所述磊晶层(13)上形成有第一介电层(171)，所述第一介电层(171)的部分表面形成有至少一个闸极(16)，未被闸极(16)覆盖的所述磊晶层(13)上掺杂形成有至少一个本体(14)，所述本体(14)的部分区域掺杂形成有至少一个源极区(15)，所述第一介电层(171)和所述闸极(16)上形成有第二介电层(173)，所述第二介电层(173)上设置有源极(18)，所述基板(11)、磊晶层(13)、本体(14)及源极区(15)均为半导体材料。

【技术特征摘要】
1.一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，其特征在于，包括基板(11)，所述基板(11)的上表面设置有磊晶层(13)，所述磊晶层(13)上形成有第一介电层(171)，所述第一介电层(171)的部分表面形成有至少一个闸极(16)，未被闸极(16)覆盖的所述磊晶层(13)上掺杂形成有至少一个本体(14)，所述本体(14)的部分区域掺杂形成有至少一个源极区(15)，所述第一介电层(171)和所述闸极(16)上形成有第二介电层(173)，所述第二介电层(173)上设置有源极(18)，所述基板(11)、磊晶层(13)、本体(14)及源极区(15)均为半导体材料。2.根据权利要求1所述的一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，其特征在于，所述源极(18)连接所述源极区(15)与所述本体(14)。3.根据权利要求1或2所述的一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，其特征在于，所述第二介电层(173)上部分区域刻蚀形成有延伸至与所述本体(14)和所述源极区(15)接触的凹槽，所述第二介电层(173)和凹槽上设置有所述源极(18)。4.根据权利要求1或2所述的一种集成肖特基二极管的平面型场效...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶荣辉，
申请(专利权)人：四川美阔电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51