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本实用新型提供了一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，解决了现有金氧半场效晶体管在应用于高压或高速切换频率时，制作成本高，增加漏电流，降低金氧半场效晶体管的稳定性，产品的结构复杂，产品体积大且良率低的问题。本实用新型包括基板，所述基板的上...
该专利属于四川美阔电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川美阔电子科技有限公司授权不得商用。

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