晶体管外延层制作方法技术

本发明专利技术公开了晶体管外延层制作方法，晶体管外延层制作方法包括至少以下过程：对晶体基板进行一次或多次离子植入处理，使得离子掺杂深度达到第一预定深度；对离子植入处理后的晶体基板进行高温化扩散处理，使得离子掺杂深度达到第二预定深度并稳定，以此得到离子掺杂深度达到第二预定深度的晶体管外延层。本发明专利技术采用多次、多种形式的物理渗透的方式，可以以低成本、高质量的构造出大深度的掺杂层。其先采用高能量离子植入技术，可以解决离子由外界进入基板内部的突变问题，再配合低成本的高温扩散渗透，使其离子自由扩散渗透形成更加深的掺杂层。

Fabrication method of transistor epitaxial layer

【技术实现步骤摘要】
晶体管外延层制作方法
本专利技术涉及外延层制造技术，主要涉及晶体管外延层制作方法。
技术介绍
外延是半导体工艺当中的一种，硅片最底层是P型衬底硅，然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层，再后来在外延层上主任基区、发射区等。现有生长外延层有多种方法，按照反应机理，可以分为化学反应生长法和物理反应生长法。在现有的外延加工中，多数采用的表面生长方法完成外延，必如，在衬底表面沉积化学反应生长、采用沉积、溅射等方法在表面生长。最常见的就是衬底表面沉积化学反应生长。在现有技术向内生长外延层的技术中，比较常见的是采用离子注入，然后进行退火处理来恢复完整晶格。这种工艺一般采用低于400℃的多次退火处理来实现恢复完整晶格完整性的问题。但无论是表面外延处理工艺还是内生长外延处理工艺，都存在较为突出的问题：现有工艺复杂、成本高，无法获得掺杂深度大、均匀性好的外延层。
技术实现思路
本专利技术的主要目的之一就是可以提高生产质量、低成本制造外延基板。为达上述目的，本专利技术提供一种晶体管外延层制作方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.晶体管外延层制作方法，其特征在于：/n对晶体基板进行一次或多次离子植入处理，使得离子掺杂深度达到第一预定深度；/n对离子植入处理后的晶体基板进行高温化扩散处理，使得离子掺杂深度达到第二预定深度并稳定，以此得到离子掺杂深度达到第二预定深度的晶体管外延层。/n

【技术特征摘要】
1.晶体管外延层制作方法，其特征在于：
对晶体基板进行一次或多次离子植入处理，使得离子掺杂深度达到第一预定深度；
对离子植入处理后的晶体基板进行高温化扩散处理，使得离子掺杂深度达到第二预定深度并稳定，以此得到离子掺杂深度达到第二预定深度的晶体管外延层。


2.根据权利要求1所述的晶体管外延层制作方法，其特征在于：
所述高温化扩散处理具体为：对离子植入处理后的晶体基板进行渐变升温处理至预定温度、并在预定温度处进行预定时间的保温处理、再由第一预定温度进行渐变降温处理。


3.根据权利要求1所述的晶体管外延层制作方法，其特征在于：
所述高温化扩散处理具体为：对离子植入处理后的晶体基板放置与预定温度进行保温预定时间后取出自然冷却。


4.根据权利要求2或3所述的晶体管外延层制作方法，其特征在于：
所述预定温度为T，1000摄氏度≤T＜1414摄氏度。


5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢思义，黄进文，李俊峰，
申请(专利权)人：四川美阔电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51