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本发明公开了晶体管外延层制作方法，晶体管外延层制作方法包括至少以下过程：对晶体基板进行一次或多次离子植入处理，使得离子掺杂深度达到第一预定深度；对离子植入处理后的晶体基板进行高温化扩散处理，使得离子掺杂深度达到第二预定深度并稳定，以此得到离...
该专利属于四川美阔电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川美阔电子科技有限公司授权不得商用。

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