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一种哈密瓜的种植方法技术

技术编号:21729744 阅读:96 留言:0更新日期:2019-07-31 17:02
本发明专利技术公开了一种哈密瓜的种植方法,包括以下步骤:(1)选种和播种,选择优质、饱满的哈密瓜种子,然后播种,每穴2‑3粒哈密瓜种子,(2)播种后浇水,待种子长出2‑4片叶子时,整株移植,(3)待哈密瓜秧苗到15‑25厘米时,将哈密瓜秧苗移植到地垄上种植,(4)将哈密瓜秧苗盘结在枝干上,哈密瓜秧苗高度在80‑100厘米之前的分支枝丫全部撇掉,(5)待哈密瓜秧苗高度在100厘米以上时,保留三个分支枝丫,待三个分支枝丫最短的一个枝丫也长出5‑10厘米之后,将哈密瓜秧苗的头部掐掉,(6)每个分支枝丫上保留1‑2朵哈密瓜花芽,其余花芽全部去掉。通过上述方式,本发明专利技术哈密瓜的种植方法操作简单、生长快速、亩产量高。

【技术实现步骤摘要】
一种哈密瓜的种植方法
本专利技术涉及哈密瓜的种植领域,特别是涉及一种哈密瓜的种植方法。
技术介绍
哈密瓜堪称“瓜中之王”,清爽解渴,味道甘味多汁,是盛夏佳果,哈密瓜除不含脂肪和胆固醇外,含有大量葡萄糖、苹果酸、果糖、蛋白氨基酸、番茄素及丰富的维生素C等物质,是一种富有很高的营养、纯净、食用安全食品,但是现有哈密瓜的亩产量不高,亩产量一般在3000-7000斤,并且哈密瓜的种植需要人工进行授粉,一般一颗哈密瓜藤上只能收获一个成熟哈密瓜,之后的哈密瓜个头变小,口感变差,并且哈密瓜主根系,主根深度在1米以上,根群主要分布在20~30cm的根层内,根纤细易断,再生力弱,不耐移植。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种操作简单、生长快速、亩产量高的哈密瓜的种植方法。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种哈密瓜的种植方法,包括以下步骤:(1)选种和播种,选择优质、饱满的哈密瓜种子,用凉水浸泡5-20小时,水温为0-30度,将土地翻整后去除杂物,施农家肥,然后播种,每穴2-3粒哈密瓜种子,播种深度为2-5厘米,(2)播种后浇水,待种子长出2-4片叶子时,整株移植,每颗哈密瓜秧苗间距为8-15厘米,移植后追肥一次,(3)待哈密瓜秧苗到15-25厘米时,将哈密瓜秧苗移植到地垄上种植,地垄宽度为30-50厘米,地垄之间凹沟宽度为5-15厘米,在哈密瓜秧苗的5-25厘米范围内立起枝干,所述枝干高100-150厘米,(4)将哈密瓜秧苗盘结在枝干上,哈密瓜秧苗高度在80-100厘米之前的分支枝丫全部撇掉,(5)待哈密瓜秧苗高度在100厘米以上时,保留三个分支枝丫,待三个分支枝丫最短的一个枝丫也长出5-10厘米之后,将哈密瓜秧苗的头部掐掉,(6)每个分支枝丫上保留1-2朵哈密瓜花芽,其余花芽全部去掉。在本专利技术一个较佳实施例中,所述哈密瓜秧苗每一个月追肥一次,所述肥料为化学肥料或者微生物肥料,所述化学肥料为氮肥、磷肥和钾肥的复合肥,所述微生物肥料为解磷细菌肥或解钾细菌肥。在本专利技术一个较佳实施例中,所述步骤(6)中的哈密瓜花芽结成哈密瓜后,待哈密瓜直径长到6-10厘米时,摘掉多余的哈密瓜,一个分支枝丫上最多保留一个哈密瓜继本专利技术的有益效果是:本专利技术哈密瓜的种植方法种植的哈密瓜是立式生长的,哈密瓜秧苗盘附在枝干上,哈密瓜秧苗上的三个分支枝丫上差不多时间长出哈密瓜,提高了哈密瓜的亩产量,并且由于哈密瓜是架长的,哈密瓜不会受到地面上杂草、雨水等的影响,哈密瓜是否有虫害也能一目了然,哈密瓜的采摘人员站着就能够将哈密瓜采摘下来,操作简单、生长快速、亩产量高。具体实施方式本专利技术实施例包括:一种哈密瓜的种植方法,包括以下步骤:(1)选种和播种,选择优质、饱满的哈密瓜种子,用凉水浸泡5-20小时,水温为0-30度,将土地翻整后去除杂物,施农家肥,然后播种,每穴2-3粒哈密瓜种子,播种深度为2-5厘米,(2)播种后浇水,待种子长出2-4片叶子时,整株移植,每颗哈密瓜秧苗间距为8-15厘米,移植后追肥一次,(3)待哈密瓜秧苗到15-25厘米时,将哈密瓜秧苗移植到地垄上种植,地垄宽度为30-50厘米,地垄之间凹沟宽度为5-15厘米,在哈密瓜秧苗的5-25厘米范围内立起枝干,所述枝干高100-150厘米,(4)将哈密瓜秧苗盘结在枝干上,哈密瓜秧苗高度在80-100厘米之前的分支枝丫全部撇掉,(5)待哈密瓜秧苗高度在100厘米以上时,保留三个分支枝丫,待三个分支枝丫最短的一个枝丫也长出5-10厘米之后,将哈密瓜秧苗的头部掐掉,(6)每个分支枝丫上保留1-2朵哈密瓜花芽,其余花芽全部去掉。另外,所述哈密瓜秧苗每一个月追肥一次,所述肥料为化学肥料或者微生物肥料,所述化学肥料为氮肥、磷肥和钾肥的复合肥,所述微生物肥料为解磷细菌肥或解钾细菌肥。另外,所述步骤(6)中的哈密瓜花芽结成哈密瓜后,待哈密瓜直径长到6-10厘米时,摘掉多余的哈密瓜,一个分支枝丫上最多保留一个哈密瓜继续生长。区别于现有技术,本专利技术哈密瓜的种植方法种植的哈密瓜是立式生长的,哈密瓜秧苗盘附在枝干上,哈密瓜秧苗上的三个分支枝丫上差不多时间长出哈密瓜,提高了哈密瓜的亩产量,并且由于哈密瓜是架长的,哈密瓜不会受到地面上杂草、雨水等的影响,哈密瓜是否有虫害也能一目了然,哈密瓜的采摘人员站着就能够将哈密瓜采摘下来,操作简单、生长快速、亩产量高。当然,以上只是本专利技术的典型实例,除此之外,本专利技术还可以有其它多种具体实施方式,凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本专利技术要求保护的范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种哈密瓜的种植方法,其特征在于,包括以下步骤: (1)选种和播种,选择优质、饱满的哈密瓜种子,用凉水浸泡5‑20小时,水温为0‑30度,将土地翻整后去除杂物,施农家肥,然后播种,每穴2‑3粒哈密瓜种子,播种深度为2‑5厘米, (2)播种后浇水,待种子长出2‑4片叶子时,整株移植,每颗哈密瓜秧苗间距为8‑15厘米,移植后追肥一次, (3)待哈密瓜秧苗到15‑25厘米时,将哈密瓜秧苗移植到地垄上种植,地垄宽度为30‑50厘米,地垄之间凹沟宽度为5‑15厘米,在哈密瓜秧苗的5‑25厘米范围内立起枝干,所述枝干高100‑150厘米, (4)将哈密瓜秧苗盘结在枝干上,哈密瓜秧苗高度在80‑100厘米之前的分支枝丫全部撇掉, (5)待哈密瓜秧苗高度在100厘米以上时,保留三个分支枝丫,待三个分支枝丫最短的一个枝丫也长出5‑10厘米之后,将哈密瓜秧苗的头部掐掉, (6)每个分支枝丫上保留1‑2朵哈密瓜花芽,其余花芽全部去掉。

【技术特征摘要】
1.一种哈密瓜的种植方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)选种和播种,选择优质、饱满的哈密瓜种子,用凉水浸泡5-20小时,水温为0-30度,将土地翻整后去除杂物,施农家肥,然后播种,每穴2-3粒哈密瓜种子,播种深度为2-5厘米,(2)播种后浇水,待种子长出2-4片叶子时,整株移植,每颗哈密瓜秧苗间距为8-15厘米,移植后追肥一次,(3)待哈密瓜秧苗到15-25厘米时,将哈密瓜秧苗移植到地垄上种植,地垄宽度为30-50厘米,地垄之间凹沟宽度为5-15厘米,在哈密瓜秧苗的5-25厘米范围内立起枝干,所述枝干高100-150厘米,(4)将哈密瓜秧苗盘结在枝干上,哈密瓜秧苗高度在80-100厘米之前的分...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄兆达
申请(专利权)人:黄兆达
类型:发明
国别省市:广西,45

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