封装结构制造技术

本公开提供一种封装结构，包括：第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、及芯片。上述第二绝缘层设置在第一绝缘层上，上述芯片设置在第二绝缘层中，且第三绝缘层设置在第二绝缘层上。其中第二绝缘层的导热系数小于第一绝缘层的导热系数，且第二绝缘层的硬度小于第一绝缘层的硬度。

Packaging structure

【技术实现步骤摘要】
封装结构
本技术涉及一种封装结构，且特别关于一种增强导热功能的封装结构。
技术介绍
集成电路(integratedcircuit，IC)工业已经历了指数增长。集成电路材料及设计的技术改进已产生了数个世代的集成电路，每一世代的集成电路都具有比上一世代更小及更复杂的电路，并且已应用于日常生活中的各种装置中(例如手机、变压器、电池、汽车等)。为了进一步增加集成电路装置的效能，业界致力于寻求各种可提高生产效率和降低相关成本的微缩化方法。举例来说，在移动电话中，由于基板占据了一定的空间，从而造成其他元件(如电池)的空间受限。若可降低基板所占据的空间，则这些额外的空间可被灵活地运用，以满足使用者的需求。在降低基板的大小时使用了各种封装结构，而对需要较大电流的装置中的封装结构来说，较大的电流会产生较多的热量，若热量累积在上述装置中，则可能会造成效率下降或损坏装置。因此，如何让上述封装结构实现进一步散热始终成为一重要的课题。
技术实现思路
本技术提供一种封装结构，包括：第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、及芯片。上述第二绝缘层设置在第一绝缘层上，上述芯片设置在第二绝缘层中，上述第三绝缘层设置在第二绝缘层上。其中第二绝缘层的导热系数小于第一绝缘层的导热系数，且第二绝缘层的硬度小于第一绝缘层的硬度。如本技术一些实施例所述的封装结构，其中第一绝缘层的材料包括陶瓷材料，且第二绝缘层的材料包括树脂材料。第二绝缘层的材料不包括玻璃纤维。第二绝缘层的导热系数小于第三绝缘层的导热系数，且第二绝缘层的硬度小于第三绝缘层的硬度。第三绝缘层的材料包括陶瓷材料。如本技术一些实施例所述的封装结构，其中第三绝缘层包括金属层及绝缘薄膜，上述绝缘薄膜设置在金属层上。上述封装结构还包括弹性层、电子元件，设置在第一绝缘层上。第一绝缘层的导热系数小于第三绝缘层的导热系数，且第一绝缘层的硬度小于第三绝缘层的硬度。第一绝缘层中的陶瓷材料的厚度大于第一绝缘层的厚度的50％。其中第二绝缘层的厚度大于该第一绝缘层的厚度及大于第三绝缘层的厚度，第三绝缘层的厚度大于第一绝缘层的厚度。如本技术一些实施例所述的封装结构，其中第一绝缘层的材料包括金属层及第一绝缘薄膜，第二绝缘层的材料包括树脂材料，且第一绝缘薄膜设置在金属层上，第三绝缘层的材料包括陶瓷材料。其中第三绝缘层包括金属层及第二绝缘薄膜，上述金属层包括导电部及绝缘部，且导电部与绝缘部电性隔离。从平行第一绝缘层及第二绝缘层间界面的方向观察，第一绝缘层与第二绝缘层不重叠，且第二绝缘层与第三绝缘层不重叠。封装结构还包括第一导线层、第二导线层、及导孔，其中第一导线层设置在第一绝缘层及第二绝缘层间，第二导线层设置在第二绝缘层及第三绝缘层间，且导孔电性连接芯片、第一导线层、及第二导线层。附图说明以下将配合说明书附图详述本技术的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，多种特征并未按照比例示出且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本技术的特征。图1A为根据一实施例示出的封装结构的剖面图。图1B为根据本技术一实施例示出的封装结构的剖面图。图1C为根据本技术另一实施例示出的封装结构的剖面图。图1D为根据本技术另一实施例示出的封装结构的剖面图。图1E为根据本技术另一实施例示出的封装结构的剖面图。图1F为图1E中区域R的放大图。图1G为根据本技术另一实施例示出的封装结构的剖面图。图1H为根据本技术另一实施例示出的封装结构的剖面图。图1I为根据本技术另一实施例示出的封装结构的剖面图。图1J为根据本技术另一实施例示出的封装结构的剖面图。图2A为根据本技术另一实施例示出的封装结构的剖面图。图2B为根据本技术另一实施例示出的封装结构的剖面图。图3A为根据本技术另一实施例示出的封装结构的剖面图。图3B为根据本技术另一实施例示出的封装结构的剖面图。图4A为根据本技术另一实施例示出的封装结构的剖面图。图4B为根据本技术另一实施例示出的封装结构的剖面图。附图标记说明：1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i、2a、2b、3a、3b、4、5a、5b封装结构10、10c、10m、10r、10r’第一绝缘层11导电部22绝缘部20第二绝缘层30、30c、30m、30r、30r’第三绝缘层40、41芯片50、51、52、53、53’、54、55、56、57、58导线层60、61、61’、62、63、64、65、66、67导孔70、71导电垫80、81、82、83、84钝化层90m、90c、100、110m、110c绝缘层120电子元件130焊球A、B、C厚度E弹性层H隔绝部R区域具体实施方式以下公开许多不同的实施方法或是范例来实行所提供的标的的不同特征，以下描述具体的元件及其排列的实施例以阐述本技术。当然这些实施例仅用以例示，且不该以此限定本技术的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，这些重复仅为了简单清楚地叙述本技术，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。此外，在本技术中的在另一特征部件之上形成、连接到及/或耦接到另一特征部件可包括其中特征部件形成为直接接触的实施例，并且还可包括其中可形成插入上述特征部件的附加特征部件的实施例，使得上述特征部件可能不直接接触。此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“在……下方”、“下方”、“水平的”、“垂直的”、“上方”、“较高的”、＂下方＂、＂较低的＂、＂上＂、＂下＂、＂顶＂、＂底＂及类似的用词(如＂水平地＂、＂向下地＂、＂向上地＂等)，这些空间相关用词是为了便于描述图示中一个(些)元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系，这些空间相关用词旨在涵盖包括特征的装置的不同方向。请参阅图1A，其示出一实施例的封装结构1a。上述封装结构1a主要包括第一绝缘层10r、第二绝缘层20、第三绝缘层30r、芯片40、以及用以将芯片40与外部其他元件电性连接的内连线结构。上述第一绝缘层10r是设置在第二绝缘层20上，第二绝缘层20设置在第三绝缘层30r上，且芯片40设置在第二绝缘层20中。上述内连线结构包括设置在第一绝缘层10r上的导线层50、设置在第一绝缘层10r及第二绝缘层20间的导线层51、设置在第二绝缘层20及第三绝缘层30r间的导线层52、设置在第三绝缘层30r上的导线层53、设置在第一绝缘层10r中的导孔60、设置在第二绝缘层20中的导孔61、62、及设置在第三绝缘层30r中的导孔63。在芯片40及导孔61之间还设置有导电垫70。钝化层80及钝化层81分别设置在第一绝缘层10r及第三绝缘层30r朝向封装结构1a外部的表面上，并且分别覆盖部分导线层50及导线层53。此外，可在形成第二绝缘层20后，使用合适的压合制程(例如热压制程)，使第一绝缘层10r及第三绝缘层30r与第二绝缘层20结合，进而形成上述封装结构1a。在上述内连线结构中，导孔60电性连接导线层50、51，导孔61电性连接导线层52，且通过导电垫70电性连接芯片40，导孔62电性连接导线层51、52，导孔63电性连接导线层52、53。应理解的是，上述示出的导线层50、51、52、53本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：一第一绝缘层；一第二绝缘层，设置在该第一绝缘层上；一芯片，设置在该第二绝缘层中；一第三绝缘层，设置在该第二绝缘层上；其中该第二绝缘层的导热系数小于该第一绝缘层的导热系数，且该第二绝缘层的硬度小于该第一绝缘层的硬度。

【技术特征摘要】
2017.11.07 US 62/582,5911.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：一第一绝缘层；一第二绝缘层，设置在该第一绝缘层上；一芯片，设置在该第二绝缘层中；一第三绝缘层，设置在该第二绝缘层上；其中该第二绝缘层的导热系数小于该第一绝缘层的导热系数，且该第二绝缘层的硬度小于该第一绝缘层的硬度。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该第一绝缘层的材料包括陶瓷材料，且该第二绝缘层的材料包括树脂材料。3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，该第二绝缘层的材料不包括玻璃纤维。4.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，该第二绝缘层的导热系数小于该第三绝缘层的导热系数，且该第二绝缘层的硬度小于该第三绝缘层的硬度。5.如权利要求4所述的封装结构，其特征在于，该第三绝缘层的材料包括陶瓷材料。6.如权利要求4所述的封装结构，其特征在于，该第三绝缘层包括一金属层及一绝缘薄膜，且该绝缘薄膜设置在该金属层上。7.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括一弹性层，设置在该第一绝缘层上。8.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括一电子元件，设置在该第一绝缘层上。9.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，该第一绝缘层的导热系数小于该第三绝缘层的导热系数，且该第一绝缘层的硬度小于该第三绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴铭洪，吴基福，曾安平，吴晧宇，
申请(专利权)人：台湾东电化股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71