剥离层的制造方法技术

本发明专利技术提供剥离层的制造方法，其包含将剥离层形成用组合物涂布于基体上、在最高温度450～550℃下进行烧成的工序，所述剥离层形成用组合物包含由下述式(1A)～(1C)表示的聚酰胺酸中的至少一种和有机溶剂。

Manufacturing Method of Peeling Layer

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】剥离层的制造方法
本专利技术涉及剥离层的制造方法。
技术介绍
近年来，对于电子器件，除了需要薄型化及轻质化这样的特性以外，还需要赋予能够弯曲这样的功能。由此考虑，要求替代以往的重、脆弱、不能弯曲的玻璃基板而使用轻质的柔性塑料基板。特别地，对于新一代显示器而言，要求开发使用轻质的柔性塑料基板(以下表记为树脂基板)的有源矩阵型全色TFT显示器面板。因此，开始研究各种以树脂膜作为基板的电子器件的制造方法，对于新一代显示器而言，在进行可转用现有的TFT显示器面板制造用的设备的工艺的研究。在专利文献1、2和3中公开了如下的方法：在玻璃基板上形成无定形硅薄膜层，在该薄膜层上形成了塑料基板后，从玻璃基板侧照射激光而使无定形硅结晶化，利用与该结晶化相伴而产生的氢气将塑料基板从玻璃基板剥离。另外，在专利文献4中公开有如下的方法：使用专利文献1～3中公开的技术将被剥离层(专利文献4中记载为“被转印层”)粘贴于塑料膜，完成液晶显示装置。但是，在专利文献1～4中公开的方法、特别是专利文献4中公开的方法中，存在如下问题：为了使激光透过，必须使用透光性高的基板；需要足以使其通过基板、进而使无定形硅中所含的氢放出的比较大的能量的激光的照射；由于激光的照射，有时对被剥离层造成损伤。并且，在被剥离层为大面积的情况下，激光处理需要长时间，因此难以提高器件制作的生产率。作为解决这样的问题的手段，在专利文献5中采用如下的制造工序：使用现有的玻璃基板作为基体(以下称为玻璃基体)，在该玻璃基体上使用环状烯烃共聚物这样的聚合物形成剥离层，在该剥离层上形成聚酰亚胺膜等耐热树脂膜后，在该膜上采用真空工艺形成ITO透明电极、TFT等并密封后，最终将玻璃基体剥离·除去。但是，现在，作为TFT，使用迁移率比无定形硅TFT快2倍的低温多晶硅TFT。就该低温多晶硅TFT而言，在无定形硅蒸镀后，需要在400℃以上进行脱氢退火，照射脉冲激光，使硅结晶化(以下将它们称为TFT工序)，上述脱氢退火工序的温度为现有的聚合物的玻璃化转变温度(以下记为Tg)以上。但是，就现有的聚合物而言，已知在加热到Tg以上的温度的情况下，密合性提高(例如参照专利文献6)，在加热处理后剥离层与树脂基板的密合性提高，有时将树脂基板从基体剥离变得困难。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平10-125929号公报专利文献2：日本特开平10-125931号公报专利文献3：国际公开第2005/050754号专利文献4：日本特开平10-125930号公报专利文献5：日本特开2010-111853号公报专利文献6：日本特开2008-188792公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供能够不对柔性电子器件的树脂基板造成损伤地进行剥离的剥离层的制造方法。用于解决课题的手段本专利技术人为了解决上述课题反复认真研究，结果发现：使用包含在分子内具有碱可溶性基团的聚酰胺酸和有机溶剂的组合物，使剥离层形成时的烧成温度为规定的最高到达温度以上，由此能够形成具有与基体的优异的密合性和与柔性电子器件中使用的树脂基板的适度的密合性和适度的剥离性的剥离层，完成本专利技术。即，本专利技术提供：1.剥离层的制造方法，其包含将剥离层形成用组合物涂布于基体上、在最高温度450～550℃下进行烧成的工序，所述剥离层形成用组合物包含由下述式(1A)～(1C)表示的聚酰胺酸中的至少一种、和有机溶剂，[化1](式中，X相互独立地为具有2个羧酸衍生物的4价的芳香族基团，Y相互独立地为2价的芳香族基团，Z1及Z2相互独立地为1价的有机基团，式(1A)中，Y、Z1及Z2中的至少一个具有碱可溶性基团，式(1B)中，Y及2个Z1中的至少一个具有碱可溶性基团，式(1C)中，Y及2个Z2中的至少一个具有碱可溶性基团，m相互独立地表示自然数。)2.1的剥离层的制造方法，其中，上述碱可溶性基团为羧基或酚性羟基，3.1或2的剥离层的制造方法，其中，上述Y包含由下述式(2)～(5)表示的芳香族基团，[化2](式中，W相互独立地表示羧基或羟基，R1～R3相互独立地表示可被卤素原子取代的、碳原子数1～20的亚烷基、碳原子数2～20的亚烯基、碳原子数2～20的亚炔基、碳原子数6～20的亚芳基或碳原子数2～20的亚杂芳基、醚基、酯基或酰氨基，○表示键合端。)4.3的剥离层的制造方法，其中，上述Y包含由下述式(6)～(9)表示的芳香族基团，[化3](式中，○表示键合端。)5.1～4中任一项的剥离层的制造方法，其中，上述Z1为由下述式(10)表示的1价的有机基团，[化4](式中，Z3表示羧基或羟基，○表示键合端。)6.1～5中任一项的剥离层的制造方法，其中，上述Z2为由下述式(11)表示的1价的有机基团，[化5](式中，Z3表示羧基或羟基，○表示键合端。)7.3～6中任一项的剥离层的制造方法，其中，上述Y还包含不具有碱可溶性基团的芳香族基团，8.7的剥离层的制造方法，其中，上述不具有碱可溶性基团的芳香族基团为亚苯基、亚联苯基或亚三联苯基，9.具备树脂基板的柔性电子器件的制造方法，其特征在于，使用剥离层，所述剥离层为使用1～8中任一项的制造方法而形成，10.柔性电子器件的制造方法，其包含如下工序：在使用1～8中任一项的制造方法所形成的剥离层上涂布树脂基板形成用组合物后，在最高温度450℃以上进行烧成而形成树脂基板，11.9或10的柔性电子器件的制造方法，其中，上述树脂基板为聚酰亚胺树脂基板。专利技术的效果通过采用本专利技术的剥离层的制造方法，能够再现性良好地得到具有与基体的优异的密合性以及与树脂基板的适度的密合性和适度的剥离性的剥离层。因此，通过实施本专利技术的制造方法，在柔性电子器件的制造工艺中，不对在基体上形成的树脂基板、进而在其上设置的电路等造成损伤，与该电路等一起将该树脂基板从该基体分离成为可能。因此，本专利技术的制造方法可有助于具备树脂基板的柔性电子器件的制造工艺的简便化、其收率提高等。具体实施方式以下，对本专利技术更详细地说明。本专利技术涉及的剥离层的制造方法，其特征在于，包含将剥离层形成用组合物涂布于基体上、在最高温度450～550℃下进行烧成的工序，所述剥离层形成用组合物包含由下述式(1A)～(1C)表示的聚酰胺酸中的至少一种、和有机溶剂。其中，所谓本专利技术中的剥离层，是根据规定的目的在玻璃基体正上方设置的层，作为其典型例，可列举出在柔性电子器件的制造工艺中在基体与由聚酰亚胺这样的树脂制成的柔性电子器件的树脂基板之间为了将该树脂基板在规定的工艺中固定而设置且在该树脂基板上形成电子电路等后为了使得该树脂基板能够从该基体容易地剥离而设置的剥离层。[化6]上述各式中，X相互独立地为具有2个羧酸衍生物的4价的芳香族基团，Y相互独立地为2价的芳香族基团，Z1及Z2相互独立地为1价的有机基团，式(1A)中，Y、Z1及Z2中的至少一个具有碱可溶性基团，式(1B)中，Y及2个Z1中的至少一个具有碱可溶性基团，式(1C)中，Y及2个Z2中的至少一个具有碱可溶性基团。m相互独立地表示自然数，优选2以上的整数。上述X优选包含1～5个苯环的4价的芳香环，更优选4价的苯环、4价的萘环、4价的联苯环，进一步优选4价的苯环、4价的联苯环。作为上述Y的2价的芳香族基团，优选包含1～本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种剥离层的制造方法，其包含将剥离层形成用组合物涂布于基体上、在最高温度450～550℃下进行烧成的工序，所述剥离层形成用组合物包含由下述式(1A)～(1C)表示的聚酰胺酸中的至少一种、和有机溶剂，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.08 JP 2016-2386351.一种剥离层的制造方法，其包含将剥离层形成用组合物涂布于基体上、在最高温度450～550℃下进行烧成的工序，所述剥离层形成用组合物包含由下述式(1A)～(1C)表示的聚酰胺酸中的至少一种、和有机溶剂，式中，X相互独立地为具有2个羧酸衍生物的4价的芳香族基团，Y相互独立地为2价的芳香族基团，Z1及Z2相互独立地为1价的有机基团，式(1A)中，Y、Z1及Z2中的至少一个具有碱可溶性基团，式(1B)中，Y及2个Z1中的至少一个具有碱可溶性基团，式(1C)中，Y及2个Z2中的至少一个具有碱可溶性基团，m相互独立地表示自然数。2.根据权利要求1所述的剥离层的制造方法，其中，所述碱可溶性基团为羧基或酚性羟基。3.根据权利要求1或2所述的剥离层的制造方法，其中，所述Y包含由下述式(2)～(5)表示的芳香族基团，式中，W相互独立地表示羧基或羟基，R1～R3相互独立地表示可被卤素原子取代的、碳原子数1～20的亚烷基、碳原子数2～20的亚烯基、碳原子数2～20的亚炔基、碳原子数6～20的亚芳基或碳原子数2～20的亚杂芳基、醚基、酯基或酰氨基，○表示键...

【专利技术属性】
技术研发人员：江原和也，进藤和也，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP