【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置制造工序中的半导体制造用基板(晶片)端面的保护膜、用于形成该保护膜的保护膜形成组合物、使用该保护膜制造的半导体制造用晶片、该半导体制造用晶片和半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、在半导体装置的制造中，随着制造工艺的复杂化，例如出于提高蚀刻选择比等目的，研究了将含有金属的药液涂布于晶片的方法。此外，在例如使用极端紫外线(euv)进行曝光时的抗蚀剂图案的分辨率变高，且具有高耐蚀刻性，因此研究了使用含有无机系金属的抗蚀剂形成抗蚀剂膜。然而，金属对半导体装置的制造工序中的晶片的未预定部位的附着对半导体装置的电特性有很大影响。但是，在如上述那样形成含有金属的涂布膜时，供给至晶片的表面的药液绕到晶片的周端面和背面的周缘部，涂布膜形成到未预定的这些周端面和背面周缘部，因此担心这些部位可能被金属污染。此外，由于晶片的被污染的部位与曝光装置、蚀刻装置等晶片的处理装置、晶片的输送机构接触，经由这些处理装置、输送机构在该晶片之后被输送和处理的晶片也有可能被金属污染，即，发生交叉污染。
2、公开了在基板的表面形成涂布膜时，能够以基板的周缘部即周端面和背面侧周缘部不与涂布膜接触的方式形成该涂布膜的技术(专利文献1)。
3、公开了抑制膜从基板的斜面(bevel)部剥离的半导体装置的制造方法(专利文献2)。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2017-098333号公报
7、专利文献2：日本特开2011-228340号公报
【技术保护点】
1.一种半导体制造用晶片端部保护膜形成组合物，其特征在于，包含具有交联性基团的聚合物或化合物、以及溶剂。
2.根据权利要求1所述的保护膜形成组合物，其中，所述交联性基团选自环氧基、(甲基)丙烯酸基、乙烯基、羧酸基、硫醇基、硅烷醇基、肉桂酰基和羟基。
3.根据权利要求1所述的保护膜形成组合物，其中，所述保护膜形成组合物在25℃下具有100cps以下的粘度。
4.根据权利要求1所述的保护膜形成组合物，其中，所述保护膜形成组合物具有感光性。
5.一种保护膜，其特征在于，所述保护膜为包含权利要求1～4中任一项所述的保护膜形成组合物的涂布膜的固化物。
6.根据权利要求5所述的保护膜，其中，所述保护膜具有1nm～10μm的厚度。
7.根据权利要求5所述的保护膜，其中，所述保护膜用于防止晶片端部的金属污染。
8.根据权利要求5所述的保护膜，其中，所述保护膜通过170～800nm波长的光而固化。
9.一种半导体制造用晶片，其特征在于，所述半导体制造用晶片为晶片端部被保护的半导体制造用晶片，其在晶片前体
10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体装置的制造方法在工序(A)之前包含工序(X)。
12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体装置的制造方法在工序(A)与工序(B)之间包含工序(X)。
13.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体装置的制造方法在工序(B)或工序(C)之后包含工序(X)。
14.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体装置的制造方法在工序(X)之后包含除去所述保护膜之上的部分的抗蚀剂膜的工序(Y)。
15.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体装置的制造方法在工序(X)之后包含除去所述保护膜的工序(Z)。
16.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体装置的制造方法在工序(Y)之后包含除去所述保护膜的工序(Z)。
17.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，所述抗蚀剂膜包含金属。
18.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述工序(X)中，涂布权利要求4所述的保护膜形成组合物，对规定的区域进行曝光、显影。
19.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其中，通过灰化、或者用氢氟酸、有机溶剂、碱显影液或半导体用清洗液进行的处理来进行工序(Z)。
20.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其中，通过灰化、或者用氢氟酸、有机溶剂、碱显影液或半导体用清洗液进行的处理来进行工序(Z)。
21.一种半导体制造用晶片的制造方法，其特征在于，包含在晶片前体的端部涂布权利要求1～4中任一项所述的保护膜形成用组合物，制造所述端部被保护的晶片的工序。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体制造用晶片端部保护膜形成组合物，其特征在于，包含具有交联性基团的聚合物或化合物、以及溶剂。
2.根据权利要求1所述的保护膜形成组合物，其中，所述交联性基团选自环氧基、(甲基)丙烯酸基、乙烯基、羧酸基、硫醇基、硅烷醇基、肉桂酰基和羟基。
3.根据权利要求1所述的保护膜形成组合物，其中，所述保护膜形成组合物在25℃下具有100cps以下的粘度。
4.根据权利要求1所述的保护膜形成组合物，其中，所述保护膜形成组合物具有感光性。
5.一种保护膜，其特征在于，所述保护膜为包含权利要求1～4中任一项所述的保护膜形成组合物的涂布膜的固化物。
6.根据权利要求5所述的保护膜，其中，所述保护膜具有1nm～10μm的厚度。
7.根据权利要求5所述的保护膜，其中，所述保护膜用于防止晶片端部的金属污染。
8.根据权利要求5所述的保护膜，其中，所述保护膜通过170～800nm波长的光而固化。
9.一种半导体制造用晶片，其特征在于，所述半导体制造用晶片为晶片端部被保护的半导体制造用晶片，其在晶片前体的端部涂布权利要求1～4中任一项所述的保护膜形成组合物而形成。
10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体装置的制造方法在工序(a)之前包含工序(x)。
12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体装置的制造方法在工...
【专利技术属性】
技术研发人员：服部隼人，武田谕，森谷俊介，岸冈高广，坂本力丸，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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