【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件封装以及用于生产该半导体器件封装的方法
实施例涉及半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法、以及包括该半导体器件封装的自动聚焦装置。
技术介绍
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，例如宽且易于调节的带隙能，所以该器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。特别地，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光，例如红光、绿光、蓝光和紫外线。另外，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、响应速度快、安全和环保的优点。此外，随着器件材料的发展，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质来制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，通过吸收具有各种波长域的光来生成光电流，使得能够使用具有各种波长域的光，例如从伽马射线到无线电波。另外，...
【技术保护点】
1.一种半导体器件封装，包括：封装主体，所述封装主体包括支撑件、从所述支撑件的上表面的边缘区域突出到第一厚度并且具有第一宽度的第一上表面的第一侧壁、以及从所述第一侧壁的所述第一上表面突出到第二厚度并且具有第二宽度的第二上表面的第二侧壁，并且所述支撑件、所述第一侧壁和所述第二侧壁由相同材料的一个主体形成；扩散单元，所述扩散单元被布置在所述第一侧壁的第一上表面上并且由所述第二侧壁包围；以及垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件，所述垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件被布置在所述支撑件上并且被布置在所述扩散单元下面。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.15 KR 10-2016-01714671.一种半导体器件封装，包括：封装主体，所述封装主体包括支撑件、从所述支撑件的上表面的边缘区域突出到第一厚度并且具有第一宽度的第一上表面的第一侧壁、以及从所述第一侧壁的所述第一上表面突出到第二厚度并且具有第二宽度的第二上表面的第二侧壁，并且所述支撑件、所述第一侧壁和所述第二侧壁由相同材料的一个主体形成；扩散单元，所述扩散单元被布置在所述第一侧壁的第一上表面上并且由所述第二侧壁包围；以及垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件，所述垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件被布置在所述支撑件上并且被布置在所述扩散单元下面。2.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述支撑件的外表面、所述第一侧壁的外表面和所述第二侧壁的外表面被设置在一个平面中而没有台阶。3.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件的厚度小于所述第一侧壁的第一厚度。4.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述扩散单元的厚度等于或小于所述第二侧壁的厚度。5.根据权利要求1所述的半导体器件封装，还包括：粘合层，所述粘合层被设置在所述扩散单元和所述第二侧壁之间。6.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述支撑件包括第一支撑件和第二支撑件，所述第一支撑件和所述第二支撑件彼此间隔开并且被电绝缘，并且所述垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件被布置在所述第一支撑件或者所述第二支撑件上，以及包括粘合层，所述粘合层被设置在所述第一支撑件和所述第二支撑件之间。7.根据权利要求1所述的半导体器件封装，包括：金属层，所述金属层被布置在所述垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件和所述支撑件之间。8.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述封装主体由金属形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：金伯俊，姜镐在，姜熙成，李建和，李容京，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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