用于数字X射线检测器的基板，包括该基板的数字X射线检测器及其制造方法技术

用于被配置为感测X射线信号的数字X射线检测器的基板，包括该基板的检测器及其制造方法。根据本公开内容的实施例，用于X射线检测器的基板包括布置在薄膜晶体管上的层间介电层、布置在层间介电层上的第一钝化层和第二钝化层、以及布置在与薄膜晶体管对应的晶体管区中的第一钝化层和第二钝化层中的至少一个上的氢阻挡层。

A substrate for a digital X-ray detector, including a digital X-ray detector for the substrate, and a manufacturing method thereof

【技术实现步骤摘要】
用于数字X射线检测器的基板，包括该基板的数字X射线检测器及其制造方法
本公开内容涉及用于被配置为感测X射线信号的数字X射线检测器的基板，包括该基板的检测器及其制造方法。
技术介绍
已经广泛用于医学诊断的X射线检查方法需要X射线感测胶片和预定的胶片冲印时间以获得结果。近来，随着半导体技术的发展，已经研究和开发了使用薄膜晶体管(TFT)的数字X射线检测器(DXD)。由于DXD使用TFT作为开关器件，因此可以在执行X射线摄影时立即输出X射线图像。因此，可以基于所得到的X射线图像实时诊断对象的状况。通常，DXD包括层叠在TFT阵列基板的上层上的非晶硒(Se)层和形成在非晶Se层上的透明电极。DXD中使用两种不同类型的方法：直接型DXD方法和间接型DXD方法。直接型DXD方法检测与TFT的像素电极从Se层接收电荷一样多的电流并执行信令处理过程。间接型DXD方法允许当通过闪烁体将X射线转换成可见光线时，可见光线通过PIN二极管转换成电信号，并执行一系列信号处理过程。可以提供TFT阵列基板以便检测X射线，并且可以为TFT阵列基板的每个像素布置TFT。连接到TFT的光电二极管可以提供感测X射线的功能。产生光电二极管的过程可以包括降低TFT性能的过程，因此，需要用于防止TFT性能下降的配置和方法。
技术实现思路
实施例涉及用于包括有源区和焊盘区的数字X射线检测器的基板。有源区包括基础基板的一部分、多个薄膜晶体管、布置在每个薄膜晶体管上的层间介电层、第一钝化层和第二钝化层、氢阻挡层和多个光电二极管。该基础基板的部分包括沿第一方向布置的多条栅极线、沿第二方向布置以与多条栅极线交叉的多条数据线、以及沿第一方向或者第二方向布置的多条偏置线。薄膜晶体管分别布置在有源区的像素区中的栅极线和数据线的交叉点处。层间介电层布置在每个薄膜晶体管上。第一和第二钝化层布置在层间介电层上。氢阻挡层布置在晶体管区中的第一钝化层和第二钝化层中的至少一个上。光电二极管布置在像素区中的第一钝化层上。每个光电二极管电连接到每个薄膜晶体管。焊盘区包括基础基板的另一部分和在基础基板的另一部分上的焊盘电极。焊盘电极包括由与氢阻挡层相同的材料形成并且通过相同的过程形成的层。在一个或多个实施例中，氢阻挡层布置在第二钝化层上。焊盘电极的最上层由与氢阻挡层相同的材料形成，并通过相同的过程形成。在一个或多个实施例中，氢阻挡层布置在第一钝化层上。布置在第一钝化层上的光电二极管的像素电极包括由与氢阻挡层相同的材料形成并且通过相同的过程形成的层。在一个或多个实施例中，氢阻挡层和像素电极包括包含氧化铟锡(ITO)的第一层；和包含导电金属的第二层。在一个或多个实施例中，氢阻挡层包括氧化铟锡(ITO)，并且像素电极包括包含ITO的第一层和包含导电金属的第二层。在一个或多个实施例中，焊盘电极还包括：第一层，由与薄膜晶体管的源电极和漏电极相同的材料和通过相同的过程形成；以及第二层，由与偏置线相同的材料和通过相同的过程形成。在一个或多个实施例中，氢阻挡层布置在第一钝化层上，并且还包括在第二钝化层上的另一氢阻挡层，并且焊盘电极还包括由与另一氢阻挡层相同的材料形成并通过相同的过程形成的另一层。实施例还涉及数字X射线检测器，其包括：基板，包括有源区和焊盘区；栅极驱动器，连接到每条栅极线；读出电路单元，连接到每条数据线；以及偏置驱动器，连接到每条偏置线。实施例还涉及用于数字X射线检测器的基板的制造。形成至少一个薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括在基础基板的有源区中的有源层、栅极绝缘层和栅电极。在薄膜晶体管上形成层间介电层。在层间介电层上形成源电极和漏电极。在源电极和漏电极上形成第一钝化层。在第一钝化层上形成光电二极管。在光电二极管上形成第二钝化层。在晶体管区中的第二钝化层上形成氢阻挡层。在一个或多个实施例中，在布置在焊盘区中的焊盘电极上形成与氢阻挡层相同的材料。附图说明图1示出了根据本公开内容实施例的数字X射线检测器(DXD)的基板区域。图2示出了根据本公开内容实施例的在DXD中形成一个像素的薄膜晶体管(TFT)和光电二极管(PD)的配置。图3至5各自示出了根据本公开内容实施例的在沉积第三钝化层(PAS3)之前布置氢阻挡层的结构和过程。图6至14各自示出了根据本公开内容实施例的在沉积第二钝化层(PAS2)之前布置氢阻挡层的结构和过程。图15至19各自示出了根据本公开内容实施例的图3至5的过程。图20至22各自示出了根据本公开内容实施例的图6和7的过程。图23示出了根据本公开内容实施例的未应用氢阻挡层的情况。图24示出了根据本公开内容实施例的应用氢阻挡层的情况。具体实施方式在下文中，将参考附图详细说明本公开内容的实施例，使得本领域技术人员可以容易地实施本专利技术。本公开内容不限于本文公开的实施例，而是可以以各种不同的形式实现。为了清楚地说明实施例，省略了与实施例无关的描述。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同或相似的元件。此外，将参考说明性附图详细说明一些实施例。关于分配给附图中的元件的附图标记，应当注意，在可能的情况下，相同的元件将由相同的附图标记标明，即使它们在不同的附图中示出。此外，在实施例的说明中，当认为这样的描述将导致对本公开内容的模糊解释时，将省略对公知的相关配置或功能的详细描述。在下文中，在基材的上部(或下部)或基材的上(或下)提供或布置任何配置的特征意味着提供或布置与基材的上表面(或下表面)接触的任何配置，并且不限于在基材与在基材上(或下)提供或布置的任何配置之间不包括其他配置的特征。另外，在描述本专利技术的部件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)等术语。这些术语仅旨在将部件与其他部件区分开，并且相应部件的性质、顺序、次序或数量不受这些术语的限制。当任何部件被描述为“链接”、“耦合”或“连接”到其他部件时，必须理解的是，该部件可以直接链接或连接到其他部件，而其他部件“插入”在每个部件之间，或者每个部件可以通过其他部件“链接”、“耦合”或“连接”。图1示出了根据本公开内容实施例的数字X射线检测器(DXD)的基板区域。根据本公开内容实施例的DXD1可以包括基板5、偏置驱动器10、栅极驱动器20和读出电路单元30。DXD1可以包括包括布置在其上的多个晶体管和光电二极管(PD或光电传感器)的基板5。晶体管和PD中的每一个可以形成一个像素单元P。诸如闪烁体的光电转换器可以布置在基板5上。此外，DXD1可以连接到附加控制设备，使得根据控制设备的控制来控制读出电路单元30、栅极驱动器20和偏置驱动器10，这将在后面描述。具体地，基板5可以包括稍后将描述的基础基板100，包括布置在其上的线、薄膜晶体管(TFT、Tr、晶体管)和PD。基础基板100可以包括沿第一方向(例如，水平方向)布置的多条栅极线GL，以及沿不同于第一方向的第二方向(例如，垂直方向)布置的多条数据线DL。基础基板100可以包括沿第一方向或第二方向布置的多条偏置线BL，并且可以被划分为包括多个像素区的有源区和形成在有源区外部的焊盘区。焊盘区可以提供有焊盘电极，栅极驱动器20、读出电路单元30或偏置驱动器10可以电连接到焊盘电极。并且，焊盘电极可以在布置TFT的过程中形成。像素单元P可以感测从X射线发生器辐射的X射线，光电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于数字X射线检测器的基板，包括：有源区，所述有源区包括：基础基板的一部分，包括：沿第一方向布置的多条栅极线，沿第二方向布置以与所述多条栅极线交叉的多条数据线，以及沿所述第一方向或者所述第二方向布置的多条偏置线；多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管布置在所述栅极线和所述数据线之间的交叉点处；层间介电层，布置在每个所述薄膜晶体管上；第一钝化层和第二钝化层，布置在所述层间介电层上；氢阻挡层，布置在晶体管区中的所述第一钝化层和所述第二钝化层中的至少一个上；以及多个光电二极管，布置在所述第一钝化层上，每个所述光电二极管电连接到每个所述薄膜晶体管，以及焊盘区，在所述有源区外，所述焊盘区包括所述基础基板的另一部分和在所述基础基板的另一部分上的焊盘电极，所述焊盘电极包括由与所述氢阻挡层相同的材料形成并且通过相同的过程形成的层。

【技术特征摘要】
2017.12.14 KR 10-2017-01720101.一种用于数字X射线检测器的基板，包括：有源区，所述有源区包括：基础基板的一部分，包括：沿第一方向布置的多条栅极线，沿第二方向布置以与所述多条栅极线交叉的多条数据线，以及沿所述第一方向或者所述第二方向布置的多条偏置线；多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管布置在所述栅极线和所述数据线之间的交叉点处；层间介电层，布置在每个所述薄膜晶体管上；第一钝化层和第二钝化层，布置在所述层间介电层上；氢阻挡层，布置在晶体管区中的所述第一钝化层和所述第二钝化层中的至少一个上；以及多个光电二极管，布置在所述第一钝化层上，每个所述光电二极管电连接到每个所述薄膜晶体管，以及焊盘区，在所述有源区外，所述焊盘区包括所述基础基板的另一部分和在所述基础基板的另一部分上的焊盘电极，所述焊盘电极包括由与所述氢阻挡层相同的材料形成并且通过相同的过程形成的层。2.根据权利要求1所述的用于数字X射线检测器的基板，其中，所述氢阻挡层布置在所述第二钝化层上，以及所述焊盘电极的最上层由与所述氢阻挡层相同的材料形成并通过相同的过程形成。3.根据权利要求1所述的用于数字X射线检测器的基板，其中，所述氢阻挡层布置在所述第一钝化层上，以及布置在所述第一钝化层上的光电二极管的像素电极包括由与所述氢阻挡层相同的材料形成并且通过相同的过程形成的层。4.根据权利要求3所述的用于数字X射线检测器的基板，其中，所述氢阻挡层和所述像素电极包括：包含氧化铟锡(ITO)的第一层；以及包含导电金属的第二层。5.根据权利要求3所述的用于数字X射线检测器的基板，其中，所述氢阻挡层包括氧化铟锡(ITO)，以及所述像素电极包括包含ITO的第一层和包含导电金属的第二层。6.根据权利要求3所述的用于数字X射线检测器的基板，其中，所述焊盘电极还包括：第一层，由与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极相同的材料并通过相同的过程形成；以及第二层，由与所述偏置线相同的材料并通过相同的过程形成。7.根据权利要求3所述的用于数字X射线检测器的基板，其中，所述氢阻挡层布置在所述第一钝化层上，并且所述有源区还包括在所述第二钝化层上的另一氢阻挡层，以及其中，所述焊盘电极还包括由与所述另一氢阻挡层相同的材料形成并通过相同的过程形成的另一层。8.一种数字X射线检测器，包括：基板，包括：有源区，所述有源区包括：基础基板的一部分，包括：沿第一方向布置的多条栅极线，沿第二方向布置以与所述多条栅极线交叉的多条数据线，以及沿所述第一方向或者所述第二方向布置的多条偏置线，多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管布置在所述栅极线和所述数据线之间的交叉点处；层间介电层，布置在每个所述薄膜晶体管上；第一钝化层和第二钝化层，布置在所述层间介电层上；氢阻挡层，布置在晶体管区中的所述第一钝化层和所述第二钝化层中的至少一个上；以及多个光电二极管，布置在所述第一钝化层上，每个所述光电二极管电连接到每个所述薄膜晶体管，以及焊盘区，在所述有源区外，所述焊盘区包括所述基础基板的另一部分和在所述基础基...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永镇，张允琼，金镇必，李汉锡，田惠知，韩永勋，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR