封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种封装结构，包括：重新布线层；底层连接结构，形成于重新布线层的上表面；底层封装层，覆盖重新布线层和底层连接结构；层间天线层，形成于底层封装层的上表面并部分覆盖底层封装层；缓冲层，形成于层间天线层的上表面，包覆层间天线层；顶层连接结构，形成于缓冲层的上表面；顶层封装层，覆盖缓冲层和顶层连接结构；顶层天线层，形成于顶层封装层的上表面。本实用新型专利技术通过引入设置于封装层之间的缓冲层，提高了各封装层之间的结合性能，减少了封装层层间开裂的风险，改善了产品良率。此外，通过引入缓冲层还可以减少封装层形成过程中对层间天线层的应力，从而确保了层间天线层的完整性。

Packaging structure

【技术实现步骤摘要】
封装结构
本技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种封装结构。
技术介绍
扇出型封装是一种晶圆级加工的嵌入式芯片封装方法，具有输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好的特点。扇出型晶圆级封装相较于常规的晶圆级封装具有以下优点：1、I/O间距灵活，不依赖于芯片尺寸；2、只使用有效裸片(die)，产品良率提高；3、具有灵活的3D封装路径，即可以在顶部形成任意阵列的图形；4、具有较好的电性能及热性能；5、可用于高频应用；6、通过重新布线层(RDL)实现高密度布线。目前，在扇出型封装的多层天线结构封装工艺过程中，在形成一层天线布线层后，一般需要使用填充材料形成封装层，而后在封装层上再继续形成上层的天线布线层，如此反复，以形成多层线性结构封装层。然而，在现有的封装工艺条件下，各层天线结构的封装层之间容易因为结合性能不佳而导致出现层间开裂的问题。此外，在形成封装层过程中，采用注塑或层压等成型工艺还容易使被封装的天线布线层在应力的作用下发生形变，进而影响产品良率。因此，有必要提出一种新的封装结构，解决上述问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种封装结构，用于解决现有技术中各层天线结构的封装层容易出现层间开裂的问题。为实现上述目的及其它相关目的，本技术提供了一种封装结构，其特征在于，包括：重新布线层，包括相对的上表面及下表面；底层连接结构，形成于所述重新布线层的上表面，与所述重新布线层电性连接；底层封装层，覆盖所述重新布线层和所述底层连接结构并暴露出所述底层连接结构的顶部；层间天线层，形成于所述底层封装层的上表面并部分覆盖所述底层封装层，所述层间天线层与所述底层连接结构电性连接；缓冲层，形成于所述层间天线层的上表面，包覆所述层间天线层；顶层连接结构，形成于所述缓冲层的上表面，并穿过所述缓冲层与所述层间天线层电性连接；顶层封装层，覆盖所述缓冲层和所述顶层连接结构并暴露出所述顶层连接结构的顶部；顶层天线层，形成于所述顶层封装层的上表面，所述顶层天线层与所述顶层连接结构电性连接。作为本技术的一种可选方案，所述缓冲层包括聚酰亚胺层、硅胶层或环氧树脂层中的一种。作为本技术的一种可选方案，所述封装结构还包括位于所述重新布线层的下表面，并与所述重新布线层电性连接的金属凸块和半导体芯片。作为本技术的一种可选方案，所述重新布线层包括至少一层金属布线层和包裹所述金属布线层的电介质层。作为本技术的一种可选方案，所述重新布线层的所述电介质层上形成有暴露出所述金属布线层的电介质层开口区域，所述底层连接结构包含采用焊线工艺焊接于所述金属布线层上的金属连接线。作为本技术的一种可选方案，所述缓冲层上形成有暴露出所述层间天线层的缓冲层开口区域，所述顶层连接结构包含采用焊线工艺焊接于所述层间天线层上的金属连接线。作为本技术的一种可选方案，所述层间天线层为N层，N层所述层间天线层上下间隔排布；所述缓冲层为N层，位于同一层的所述缓冲层包覆所述层间天线层；所述封装结构还包括：N层层间封装层，所述层间封装层包覆位于同一层的所述缓冲层；其中，N为大于等于2的整数；N层层间连接结构，位于所述层间封装层内，并电性连接相邻两层所述层间天线层；所述底层连接结构远离所述重新布线层的一端与位于底层的所述层间天线层电性连接；所述顶层连接结构远离所述顶层天线层的一端与位于顶层的所述层间天线层电性连接。作为本技术的一种可选方案，所述缓冲层上形成有暴露出所述层间天线层的开口区域，所述层间连接结构包含采用焊线工艺焊接于所述层间天线层上的金属连接线。如上所述，本技术提供了一种封装结构，通过引入设置于封装层之间的缓冲层，提高了各封装层之间的结合性能，减少了封装层层间开裂的风险，改善了产品良率。此外，通过引入所述缓冲层还可以减少封装层形成过程中对层间天线层的应力，从而确保了层间天线层的完整性。附图说明图1至图13显示为本技术实施例一中提供的封装结构的制备方法的各步骤示意图。图14显示为本技术实施例一中提供的具有金属连接柱的封装结构的示意图。图15显示为本技术实施例一中提供的具有三层天线金属层的封装结构的示意图。元件标号说明001支撑衬底001a释放层101重新布线层101a金属布线层101b电介质层102底层连接结构103底层封装层104层间天线层105缓冲层106顶层连接结构107顶层封装层108顶层天线层109层间连接结构110层间封装层111金属凸块111a金属连接柱112半导体芯片112a芯片填充层具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其它优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图15。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，虽图示中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。实施例一请参阅图1至图15，本技术提供了一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：如图1所示，提供一支撑衬底001；如图2所示，在所述支撑衬底001上形成重新布线层101；如图5所示，在所述重新布线层101的上表面形成底层连接结构102和底层封装层103，所述底层连接结构102与所述重新布线层101电性连接，所述底层封装层103覆盖所述重新布线层101和所述底层连接结构102并暴露出所述底层连接结构102的顶部；如图6所示，在所述底层封装层103的上表面形成部分覆盖所述底层封装层103的层间天线层104，所述层间天线层104与所述底层连接结构102电性连接；如图6所示，在所述底层封装层103和所述层间天线层104的上表面形成缓冲层105，所述缓冲层105包覆所述层间天线层104；如图9所示，在所述缓冲层105的上表面形成顶层连接结构106和顶层封装层107，所述顶层连接结构106穿过所述缓冲层105与所述层间天线层104电性连接，所述顶层封装层107覆盖所述缓冲层105和所述顶层连接结构106并暴露出所述顶层连接结构106的顶部；如图10所示，在所述顶层封装层107的上表面形成顶层天线层108，所述顶层天线层108与所述顶层连接结构106电性连接。作为示例，如图9所示，构成所述缓冲层105的材料包括聚酰亚胺、硅胶或环氧树脂中的一种，形成所述缓冲层105的工艺包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压或旋涂中的一种。可选地，在本实施例中，选用聚酰亚胺材料作为所述缓冲层105的材料，通过旋涂工艺使所述聚酰亚胺材料均匀地覆盖于所述底层封装层103和所述层间天线层104的上表面，并包覆所述层间天线层104。如图9所示，通过引入所述缓冲层105，提升了所述底层封装层103与所述顶层封装层107之间的结合性能，防止出现层间开裂。此外，包覆所述层间天线层104的所述缓冲层105还能够减少在形成所述顶层封装层107时，对所述层间天线层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：重新布线层，包括相对的上表面及下表面；底层连接结构，形成于所述重新布线层的上表面，与所述重新布线层电性连接；底层封装层，覆盖所述重新布线层和所述底层连接结构并暴露出所述底层连接结构的顶部；层间天线层，形成于所述底层封装层的上表面并部分覆盖所述底层封装层，所述层间天线层与所述底层连接结构电性连接；缓冲层，形成于所述层间天线层的上表面，包覆所述层间天线层；顶层连接结构，形成于所述缓冲层的上表面，并穿过所述缓冲层与所述层间天线层电性连接；顶层封装层，覆盖所述缓冲层和所述顶层连接结构并暴露出所述顶层连接结构的顶部；顶层天线层，形成于所述顶层封装层的上表面，所述顶层天线层与所述顶层连接结构电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：重新布线层，包括相对的上表面及下表面；底层连接结构，形成于所述重新布线层的上表面，与所述重新布线层电性连接；底层封装层，覆盖所述重新布线层和所述底层连接结构并暴露出所述底层连接结构的顶部；层间天线层，形成于所述底层封装层的上表面并部分覆盖所述底层封装层，所述层间天线层与所述底层连接结构电性连接；缓冲层，形成于所述层间天线层的上表面，包覆所述层间天线层；顶层连接结构，形成于所述缓冲层的上表面，并穿过所述缓冲层与所述层间天线层电性连接；顶层封装层，覆盖所述缓冲层和所述顶层连接结构并暴露出所述顶层连接结构的顶部；顶层天线层，形成于所述顶层封装层的上表面，所述顶层天线层与所述顶层连接结构电性连接。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述缓冲层包括聚酰亚胺层、硅胶层或环氧树脂层中的一种。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述封装结构还包括位于所述重新布线层的下表面，并与所述重新布线层电性连接的金属凸块和半导体芯片。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括至少一层金属布线层和包裹所述金属布线层的电介质层。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32