薄膜晶体管和制作方法、阵列基板、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管和制作方法、阵列基板、显示面板、显示装置，以改善现有技术的显示面板，在分辨率不断提升时，有源层与源漏极层走线之间接触电阻进一步增大，并最终出现严重的RC延迟、功率消耗较大的问题。所述薄膜晶体管，包括：依次层叠设置于衬底基板之上的有源层、绝缘层和源漏极层，其中，所述源漏极层通过贯穿所述绝缘层的通孔与所述有源层导通；所述源漏极层与所述有源层之间在所述通孔位置处具有过渡层，所述过渡层覆盖所述通孔的底部，以及覆盖所述通孔的至少部分侧壁，所述过渡层为一体结构，所述过渡层包括所述有源层的元素以及第一膜层的元素。

Thin film transistor and its fabrication method, array substrate, display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管和制作方法、阵列基板、显示面板、显示装置
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种薄膜晶体管和制作方法、阵列基板、显示面板、显示装置。
技术介绍
平面显示器(F1atPane1Disp1ay，FPD)己成为市场上的主流产品，平面显示器的种类也越来越多，如液晶显示器(LiquidCrysta1Disp1ay，LCD)、有机发光二极管(OrganicLightEmittedDiode，OLED)显示器、等离子体显示面板(P1asmaDisp1ayPane1，PDP)及场发射显示器(FieldEmissionDisplay，FED)等。随着分辨率的不断提升，显示面板的信号走线宽度和通孔尺寸都会不断降低，这都会导致有源层与源漏极层走线之间接触电阻进一步增大，并最终出现严重的RC延迟、功率消耗大问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管和制作方法、阵列基板、显示面板、显示装置，以改善现有技术的显示面板，在分辨率不断提升时，有源层与源漏极层走线之间接触电阻进一步增大，并最终出现严重的RC延迟、功率消耗较大的问题。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管，包括：依次层叠设置于衬底基板之上的有源层、绝缘层和源漏极层，其中，所述源漏极层通过贯穿所述绝缘层的通孔与所述有源层导通；所述源漏极层与所述有源层之间在所述通孔位置处具有过渡层，所述过渡层覆盖所述通孔的底部，以及覆盖所述通孔的至少部分侧壁，所述过渡层为一体结构，所述过渡层包括所述有源层的元素以及第一膜层的元素，其中，所述第一膜层为所述源漏极层中与所述过渡层接触的膜层。在一种可能的实施方式中，所述过渡层覆盖所述通孔的全部侧壁。在一种可能的实施方式中，所述过渡层还覆盖所述绝缘层在所述通孔位置处的边缘区域，且所述过渡层在所述衬底基板的正投影被所述源漏极层在所述衬底基板的正投影所覆盖。在一种可能的实施方式中，所述有源层的材料为多晶硅，所述第一膜层的材料为钛，所述过渡层的材料为二硅化钛。在一种可能的实施方式中，所述源漏极层为钛/铝/钛堆叠结构。在一种可能的实施方式中，所述绝缘层包括第一绝缘层和位于所述第一绝缘层背离所述有源层一面的第二绝缘层，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间还具有栅极。在一种可能的实施方式中，所述绝缘层还包括位于所述第二绝缘层背离所述栅极一面的层间介质层。本专利技术实施例还提供一种阵列基板，包括如本专利技术实施例提供的所述薄膜晶体管。本专利技术实施例还提供一种显示面板，包括如本专利技术实施例提供的所述阵列基板。本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括如本专利技术实施例提供的所述显示面板。本专利技术实施例还提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底基板的一面形成有源层；在所述有源层的背向所述衬底基板的一面形成绝缘层；在所述绝缘层形成暴露所述有源层的通孔；在所述通孔位置处形成过渡层，所述过渡层包括所述有源层的元素以及第一膜层的元素；在所述过渡层背离所述有源层的一面形成源漏极层，所述第一膜层为所述源漏极层中与所述过渡层接触的膜层。在一种可能的实施方式中，在所述通孔位置处形成过渡层之前，所述制作方法还包括：将钛与硅按预设原子比例均匀混合，在预设温度下煅烧形成二硅化钛混合体；所述在所述通孔位置处形成过渡层，包括：以所述二硅化钛混合体作为靶材，通过掩膜板，采用磁控溅射工艺在所述通孔位置处形成二硅化钛过渡层。在一种可能的实施方式中，所述在预设温度下煅烧形成二硅化钛混合体，包括：在1300oC~1500oC煅烧形成二硅化钛混合体。本专利技术实施例有益效果如下：本专利技术实施例提供的薄膜晶体管，包括：依次层叠设置于衬底基板之上的有源层、绝缘层和源漏极层，其中，所述源漏极层通过贯穿所述绝缘层的通孔与所述有源层导通；所述源漏极层与所述有源层之间在所述通孔位置处具有过渡层，所述过渡层覆盖所述通孔的底部，以及覆盖所述通孔的至少部分侧壁，所述过渡层为一体结构，所述过渡层包括所述有源层的元素以及第一膜层的元素，其中，所述第一膜层为所述源漏极层中与所述过渡层接触的膜层，即，本专利技术实施例中，通过在源漏极层与有源层之间在通孔位置处形成过渡层，而过渡层包括有源层以及第一膜层的元素，进而可以降低有源层与源漏极层通过通孔导通时，在通孔位置处的接触电阻；而且，在通孔的尺寸逐渐变小的情况下，过渡层不仅覆盖通孔的底部，还覆盖至少部分侧壁，可以加强源漏极层与有源层在通孔位置处的连接性能。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的过渡层覆盖通孔全部侧壁的薄膜晶体管的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的过渡层还覆盖栅极层上方的部分区域的薄膜晶体管的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的源漏极层为Ti/Al/Ti堆叠结构的薄膜晶体管的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种具体的薄膜晶体管的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的制作流程结构示意图；图7为本专利技术实施例中，制备完成层间介质层薄膜晶体管的结构示意图；图8为本专利技术实施例中，制作完成通孔的薄膜晶体管的结构示意图；图9为本专利技术实施例中，制备完成过渡层的薄膜晶体管的结构示意图；图10为本专利技术实施例中，制备完成Ti/Al/Ti薄膜层的薄膜晶体管的结构示意图；图11为本专利技术实施例中，制备完成源漏极层的薄膜晶体管的结构示意图。具体实施方式下面结合说明书附图对本专利技术实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。参见图1，本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管，包括：依次层叠设置于衬底基板1之上的有源层2、绝缘层3和源漏极层4，其中，源漏极层4通过贯穿绝缘层3的通孔5与有源层2导通；源漏极层4与有源层2之间在通孔5位置处具有过渡层6，过渡层6覆盖通孔5的底部，以及覆盖通孔5的至少部分侧壁，过渡层6为一体结构，过渡层6包括有源层2的元素以及第一膜层的元素，且过渡层6的电阻介于有源层2以及第一膜层之间，其中，第一膜层为源漏极层4中与过渡层6接触的膜层。本专利技术实施例提供的薄膜晶体管，包括：依次层叠设置于衬底基板1之上的有源层2、绝缘层3和源漏极层4，其中，源漏极层4通过贯穿绝缘层3的通孔5与有源层2导通；源漏极层4与有源层2之间在通孔5位置处具有过渡层2，过渡层6覆盖通孔5的底部，以及覆盖通孔5的至少部分侧壁，过渡层6为一体结构，过渡层6包括有源层2的元素以及第一膜层的元素，其中，第一膜层为源漏极层4中与过渡层6接触的膜层，即，本专利技术实施例中，通过在源漏极层4与有源层2之间在通孔5位置处形成过渡层6，而过渡层6包括有源层2以及第一膜层的元素，进而可以降低有源层2与源漏极层4通过通孔5导通时，在通孔5位置处的接触电阻；而且，在通孔5的尺寸逐渐变小的情况下，过渡层6不仅覆盖通孔5的底部，还覆盖至少部分侧壁，可以加强源漏极层4与有源层2在通孔5位置处的连接性能。在具体实施时，本专利技术实施例中的薄膜晶体管可以为OLED显示面板中的薄膜晶体管，衬底基板1具体可以为柔性有机衬底基板。衬底基板1与有源层2之间还可以设置有缓冲层8。在具体实施时，参见图2所示，过渡层6覆盖通孔5的全部侧壁。在具体实施时，参见图3所示，过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：依次层叠设置于衬底基板之上的有源层、绝缘层和源漏极层，其中，所述源漏极层通过贯穿所述绝缘层的通孔与所述有源层导通；所述源漏极层与所述有源层之间在所述通孔位置处具有过渡层，所述过渡层覆盖所述通孔的底部，以及覆盖所述通孔的至少部分侧壁，所述过渡层为一体结构，所述过渡层包括所述有源层的元素以及第一膜层的元素，其中，所述第一膜层为所述源漏极层中与所述过渡层接触的膜层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：依次层叠设置于衬底基板之上的有源层、绝缘层和源漏极层，其中，所述源漏极层通过贯穿所述绝缘层的通孔与所述有源层导通；所述源漏极层与所述有源层之间在所述通孔位置处具有过渡层，所述过渡层覆盖所述通孔的底部，以及覆盖所述通孔的至少部分侧壁，所述过渡层为一体结构，所述过渡层包括所述有源层的元素以及第一膜层的元素，其中，所述第一膜层为所述源漏极层中与所述过渡层接触的膜层。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述过渡层覆盖所述通孔的全部侧壁。3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述过渡层还覆盖所述绝缘层在所述通孔位置处的边缘区域，且所述过渡层在所述衬底基板的正投影被所述源漏极层在所述衬底基板的正投影所覆盖。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料为多晶硅，所述第一膜层的材料为钛，所述过渡层的材料为二硅化钛。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏极层为钛/铝/钛堆叠结构。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层和位于所述第一绝缘层背离所述有源层一面的第二绝缘层，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间还具有栅极。7.如权利要求6所述的薄膜晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：包征，陈功，辛燕霞，胡红伟，吴奕昊，张祎杨，赵广洲，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51