薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置，属于显示技术领域。本发明专利技术的一种薄膜晶体管，包括设置在基底上的有源层，所述有源层包括沟道区和分别位于所述沟道区两侧的源极接触区、漏极接触区；所述有源层的所述源极接触区和所述漏极接触区的靠近所述沟道区的部分为波浪结构。

Thin film transistor and its preparation method, display substrate and display device

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置。
技术介绍
在制备薄膜晶体管时，需对有源层的沟道区的两侧的半导体部分进行导体化处理。由于扩散效应，有源层的沟道区也存在被导体化的风险，这样会造成薄膜晶体管的均一性较差，导致显示面板出现亮点等不良现象。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种有效避免有源层的沟道区被导体化的薄膜晶体管。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管，包括设置在基底上的有源层，所述有源层包括沟道区和分别位于所述沟道区两侧的源极接触区、漏极接触区；所述有源层的所述源极接触区和所述漏极接触区的靠近所述沟道区的部分为波浪结构。优选的，所述薄膜晶体管还包括绝缘层，其设置于所述有源层靠近所述基底的一侧；所述绝缘层靠近所述有源层的一面，对应所述薄膜晶体管的源极接触区和漏极接触区靠近所述沟道区的位置具有多个第一凹槽，多个所述第一凹槽限制出所述有源层的波浪结构。进一步优选的，所述薄膜晶体管包括顶栅型薄膜晶体管；所述薄膜晶体管还包括遮光层；所述绝缘层设置于所述遮光层与所述有源层之间。进一步优选的，所述遮光层靠近所述绝缘层的一面，对应所述源极接触区和所述漏极接触区靠近所述沟道区的位置具有第二凹槽，所述第二凹槽限制出所述第一凹槽。进一步优选的，所述遮光层的材料包括金属。进一步优选的，所述第二凹槽贯穿所述遮光层解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管的制备方法，包括在基底上形成有源层的步骤；所述有源层包括沟道区和分别位于所述沟道区两侧的源极接触区、漏极接触区；所述有源层的所述源极接触区和所述漏极接触区的靠近所述沟道区的部分为波浪结构；所述制备方法包括：在基底上形成绝缘层，并在所述绝缘层背离所述基底的一面对应所述源极接触区和漏极接触区的靠近所述沟道区的位置形成第一凹槽；所述在基底上形成有源层的步骤包括：在形成有所述绝缘层的基底上形成有源层，所述绝缘层的第一凹槽限制出所述有源层的波浪结构。优选的，所述薄膜晶体管包括顶栅型薄膜晶体管；在形成所述绝缘层的步骤之前，还包括：通过构图工艺在基底上形成遮光层，并在所述遮光层靠近所述绝缘层的一面，对应所述源极接触区和所述漏极接触区靠近所述沟道区的位置形成第二凹槽，所述第二凹槽限制出所述第一凹槽形成遮光层。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，包括基底，以及设置在所述基底上的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括上述任意一种薄膜晶体管。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，包括上述任意一种显示基板。附图说明图1为本专利技术的实施例1的薄膜晶体管的结构示意图；图2为本专利技术的实施例2的薄膜晶体管的制备方法中形成遮光层的示意图；图3为本专利技术的实施例2的薄膜晶体管的制备方法中形成绝缘层的示意图；图4为本专利技术的实施例2的薄膜晶体管的制备方法中形成有源层的示意图；图5为本专利技术的实施例2的薄膜晶体管的制备方法中形成栅绝缘层、栅极、源极、漏极的结构示意图；其中附图标记为：1、基底；2、有源层；21、沟道区；22、源极接触区；23、漏极接触区；3绝缘层；4、遮光层；5、栅绝缘层；6、栅极；7、源极；8、漏极。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1：如图1所示，本实施例提供一种薄膜晶体管，包括设置在基底1上的有源层2，有源层2包括沟道区21和分别位于沟道区21两侧的源极接触区22、漏极接触区23；有源层2的源极接触区22和漏极接触区23的靠近沟道区21的部分为波浪结构。其中，波浪结构指有源层2靠近基底1的一面和/或背离基底1的一面的不同位置与基底1的距离不同，从而形成波浪面。如图1所示，本实施例中，通过将有源层2的源极接触区22和漏极接触区23的靠近沟道区21的部分设置为波浪结构，变相延长有源层2的长度，特别是源极接触区22和漏极接触区23的靠近沟道区21的部分的长度，从而在对有源层2的源极接触区22和漏极接触区23进行导体化时，有效延长导体化扩散效应的传输路径，尽量避免对沟道区21造成影响，进而保证薄膜晶体管的良好特性及均一性。同时，在形状为波浪结构的有源层2中，有源层2材料的原子排列扭曲混乱，从而能够很好地阻挡到导体化效应向沟道区21的扩散，保证薄膜晶体管的良好特性及均一性。本实施例中，薄膜晶体管既可以为顶栅型薄膜晶体管，也可以为底栅型薄膜晶体管。为了对本实施例中的薄膜晶体管进行更为清楚、具体的说明，下面以顶栅型薄膜晶体管为例进行说明。如图1所示，本实施例中的薄膜晶体管包括：沿背离基底1的方向依次设置于基底1上的有源层2、栅绝缘层53、栅极6以及源漏电极。其中，有源层2的源极接触区22和漏极接触区23为半导体结构，且源极接触区22与源极7电连接，漏极接触区23与漏极8电连接。优选的，本实施例中的薄膜晶体管还包括绝缘层3，其设置于有源层2靠近基底1的一侧；绝缘层3靠近有源层2的一面，对应薄膜晶体管的源极接触区22和漏极接触区23靠近沟道区21的位置具有多个第一凹槽，多个第一凹槽限制出有源层2的波浪结构。也即，如图1所示，绝缘层3与有源层2接触，绝缘层3上表面(背离基底1的一面)中的第一凹槽限制出有源层2的波浪结构。具体的，在制备薄膜晶体管时，可在基底1上先制备绝缘层3，并在绝缘层3背离基底1的一面中对应源极接触区22和漏极接触区23靠近沟道区21的位置形成第一凹槽。之后在形成有绝缘层3的基底1上形成有源层2，利用第一凹槽的段差，使有源层2在对应第一凹槽的位置(也即源极接触区22和漏极接触区23靠近沟道区21的位置)自然形成波浪结构。优选的，顶栅型薄膜晶体管时还可包括遮光层4，此时绝缘层3设置于遮光层4与有源层2之间。如图1所示，遮光层4设置于有源层2靠近基底1的一侧，用于遮挡外界光线，以避免有源层2受到光线的影响而破坏薄膜晶体管的特性。其中，遮光层4的材料可包括金属。为了避免遮光层4的导电性质将有源层2的源极接触区22和漏极接触区23导通，故应利用绝缘层3将遮光层4与有源层2隔开。优选的，遮光层4靠近绝缘层3的一面，对应源极接触区22和漏极接触区23靠近沟道区21的位置具有第二凹槽，第二凹槽限制出第一凹槽。也即，在薄膜晶体管的制备过程中，可在基底1上形成遮光层4时，在遮光层4的上表面(背离基底1的一面)中对应源极接触区22和漏极接触区23靠近沟道区21的位置形成多个第二凹槽，之后形成绝缘层3，绝缘层3在对应第二凹槽的位置自然会形成第一凹槽，从而使后续形成的有源层2的源极接触区22和漏极接触区23靠近沟道区21的位置为波浪结构。通过在形成遮光层4的同时在遮光层4中刻蚀形成第二凹槽，无需增加额外的工艺步骤，从而可以简化薄膜晶体管的制备工艺，降低生产成本。优选的，如图1所示，第二凹槽可贯穿遮光层4。其中，可以理解的是，由于第二凹槽设置在对应有源层2的源极接触区22和漏极接触区23靠近沟道区21的位置，故即使第二凹槽贯穿遮光层4，也基本不会影响有源层2的沟道区21的遮光作用，不会对薄膜晶体管的特性造成太大影响。本本实施例中，需要说明的是，当绝缘层3选择不透光材料时，可以不用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，包括设置在基底上的有源层，所述有源层包括沟道区和分别位于所述沟道区两侧的源极接触区、漏极接触区；其特征在于，所述有源层的所述源极接触区和所述漏极接触区的靠近所述沟道区的部分为波浪结构。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括设置在基底上的有源层，所述有源层包括沟道区和分别位于所述沟道区两侧的源极接触区、漏极接触区；其特征在于，所述有源层的所述源极接触区和所述漏极接触区的靠近所述沟道区的部分为波浪结构。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括绝缘层，其设置于所述有源层靠近所述基底的一侧；所述绝缘层靠近所述有源层的一面，对应所述薄膜晶体管的源极接触区和漏极接触区靠近所述沟道区的位置具有多个第一凹槽，多个所述第一凹槽限制出所述有源层的波浪结构。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括顶栅型薄膜晶体管；所述薄膜晶体管还包括遮光层；所述绝缘层设置于所述遮光层与所述有源层之间。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层靠近所述绝缘层的一面，对应所述源极接触区和所述漏极接触区靠近所述沟道区的位置具有第二凹槽，所述第二凹槽限制出所述第一凹槽。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层的材料包括金属。6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二凹槽贯穿所述遮光层。7.一种薄膜晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡迎宾，赵策，丁远奎，宋威，倪柳松，孙学超，郝朝威，闫梁臣，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34