覆晶薄膜型半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供的覆晶薄膜型半导体装置，使用了双面布线型带式载体，且能够确实地确认第一布线组的布线与半导体芯片的半导体连接端子之间的接合状态，由此能提供品质上良好的产品。该覆晶薄膜型半导体装置具备：光透射的绝缘薄膜；第一布线组，包括形成在绝缘薄膜的第一面上的多个布线；第二布线组，包括形成在绝缘薄膜的与第一面相反侧的第二面上的多个光不透射的布线；以及半导体芯片，安装于第一面上；第一布线组的布线与半导体芯片的半导体连接端子分别通过接合部而接合，在第二面的、与接合部对应的至少一个部位，设有不存在第二布线组的布线的非布线区域。

Cladding film semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
覆晶薄膜型半导体装置
本专利技术涉及覆晶薄膜(COF：ChipOnFilm)型半导体装置的构造，尤其是涉及双面布线型带式载体(tapecarrier)的特征性的布线设计、和后续的组装工序。
技术介绍
覆晶薄膜型半导体装置例如被使用作为用于驱动便携电话机等的便携式终端装置的显示器的半导体装置。一般而言，被使用于覆晶薄膜型半导体装置的带式载体，成为在绝缘薄膜上形成有多个布线图案的构造。图10是示出使用了单面布线型带式载体210的覆晶薄膜型半导体装置200的一例的概略截面图。图11是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察图10所示的覆晶薄膜型半导体装置200的概略仰视图。使用了单面布线型带式载体210的覆晶薄膜型半导体装置200，如图10所示，由绝缘薄膜1、第一布线组1a、第一保护层2a、半导体芯片3以及树脂4构成。第一保护层2a以将第一布线组1a的布线11～111进行绝缘、保护为目的。在半导体芯片3，设有半导体连接端子3a～3a。树脂4以将第一布线组1a的布线11～11和半导体芯片3的半导体连接端子3a～3a之间的接合部10～10进行保护、固定为目的。关于覆晶薄膜型半导体装置200中所使用的绝缘薄膜1、第一保护层2a、树脂4，多数情形是采用具有光透射性的材料。其理由是，即使是在绝缘薄膜1安装半导体芯片3并密封树脂4之后，也能够从带式载体的与芯片安装面(安装了半导体芯片3的面)相反侧的面，透射而确认第一布线组1a的布线11～11与半导体连接端子3a～3a之间的接合状态、接合偏差。关于能够确认第一布线组1a的布线11～11与半导体连接端子3a～3a之间的接合状态、接合偏差的这件事，为了在产品的生产时制造品质稳定的产品，是非常重要的。在单面布线型带式载体210的情形，如图10及图11所示，从与芯片安装面相反侧的面，透射绝缘薄膜1。由此，可确认第一布线组1a的布线11～11与半导体连接端子3a～3a之间的接合状态。因此，在产品的生产时，容易对第一布线组1a的布线11～11与半导体连接端子3a～3a之间的接合状态进行监测。关于此方面，专利文献1记载有：在带式载体与显示面板的安装中，以在显示面板无引线的去引线部和带式载体的虚拟布线重叠的方式进行安装，从显示面板侧观察带式载体的虚拟布线，而根据各向异性导电薄膜(ACF)的压扁情况等来确认ACF的连接状态。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2001-318620号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题然而，近年来伴随便携电话机等的便携式终端装置的小型化、显示画面的高精细化持续进展，带式载体也被要求小型化、多输出化。为了对应此，作为谋求多输出化的方法，进行了布线图案的细间距化。但是，在布线加工技术及装配技术存在有极限。因而，现今作为带式载体而使用双面布线型带式载体，由此进行多输出化。图12是示出使用了双面布线型带式载体310的现有的覆晶薄膜型半导体装置300的一例的概略截面图。图13是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察图12所示的覆晶薄膜型半导体装置300的概略仰视图。使用了双面布线型带式载体310的现有的覆晶薄膜型半导体装置300，如图12及图13所示，为了最大限度地活用双面布线型带式载体310表面上的有效区域，除了图10及图11的构成外，在与芯片安装面相反侧的面包括有第二布线组1b及第二保护层2b。第二保护层2b以对第二布线组1b的布线12～12进行绝缘、保护为目的。第二保护层2b也以与第一保护层2a相同的材料形成。像这种的双面布线型带式载体310，也在与芯片安装面相反侧的面，形成有第二布线组1b。双面布线型带式载体310，在安装了半导体芯片3后，存在有不具透射性的第二布线组1b的布线12～12。第二布线组1b的布线12～12设置于与接合部10～10的至少一个(此例中为全部)对应的部位(重叠的部位)。因而存在有如下课题，即，第二布线组1b的布线12～12成为障碍，而无法从带式载体的与芯片安装面相反侧的面，确认第一布线组1a的布线11～11与半导体连接端子3a～3a之间的接合状态。如所述，在双面布线型带式载体310的与芯片安装面相反侧的与接合部10～10对应的部位存在有第二布线组1b的情形时，无法在生产时监测第一布线组1a的布线11～11与半导体连接端子3a～3a之间的接合状态、接合偏差，因此恐无法提供品质上良好的产品。本专利技术鉴于如以上的现有的课题，目的在提供一种覆晶薄膜型半导体装置，其为使用了双面布线型带式载体的覆晶薄膜型半导体装置，能够确实地确认第一布线组的布线与半导体芯片的半导体连接端子之间的接合状态，且由此能提供品质上良好的产品。解决问题的手段为了解决上述的课题，本专利技术的覆晶薄膜型半导体装置，包括：光透射的绝缘薄膜；第一布线组，包括形成在上述绝缘薄膜的第一面上的多个布线；第二布线组，包括形成在上述绝缘薄膜的与上述第一面相反侧的第二面上的多个光不透射的布线；以及半导体芯片，安装于上述第一面上；上述第一布线组的布线与上述半导体芯片的半导体连接端子分别通过接合部而接合，上述覆晶薄膜型半导体装置的特征在于：在上述第二面的、与上述接合部对应的至少一个部位，设有不存在上述第二布线组的布线的非布线区域。专利技术效果根据本专利技术，能够确实地确认第一布线组的布线与半导体芯片的半导体连接端子之间的接合状态，且由此可提供品质上良好的产品。附图说明图1是示出使用了双面布线型带式载体的第一实施方式的覆晶薄膜型半导体装置的一例的概略截面图。图2是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察图1所示的覆晶薄膜型半导体装置的概略仰视图。图3是放大表示图2所示的接合部部分的放大仰视图。图4是第二实施方式的覆晶薄膜型半导体装置的一例的概略截面图。图5是放大表示第三实施方式的覆晶薄膜型半导体装置的一例的非布线区域及第二布线组部分的放大仰视图。图6是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察第四实施方式的覆晶薄膜型半导体装置的一例的概略仰视图。图7是放大表示图6所示的非布线区域及第二布线组部分的放大仰视图。图8是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察第五实施方式的覆晶薄膜型半导体装置的一例的概略仰视图。图9是放大表示图8所示的非布线区域及第二布线组部分的放大仰视图。图10是示出使用了单面布线型带式载体的覆晶薄膜型半导体装置的一例的概略截面图。图11是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察图10所示的覆晶薄膜型半导体装置的概略仰视图。图12是示出使用了双面布线型带式载体的现有的覆晶薄膜型半导体装置的一例的概略截面图。图13是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察图12所示的覆晶薄膜型半导体装置的概略仰视图。具体实施方式以下，针对本专利技术的实施方式一面参照附图一面进行说明。在以下的说明中，对相同的元件标注相同的附图标记。它们的名称以及功能也相同。因此，不重复它们的详细的说明。〔第一实施方式〕图1是示出使用了双面布线型带式载体110的第一实施方式的覆晶薄膜型半导体装置100的一例的概略截面图。图2是从带式载体的与芯片安装面相反侧观察图1所示的覆晶薄膜型半导体装置100的概略仰视图。使用了双面布线型带式载体110的本第一实施方式的覆晶薄膜型半导体装置100，包括绝缘薄膜1、第一布线组1a(第一布线层)、第二布线组1b(第二布线层)、第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种覆晶薄膜型半导体装置，包括：光透射的绝缘薄膜；第一布线组，包括形成在所述绝缘薄膜的第一面上的多个布线；第二布线组，包括形成在所述绝缘薄膜的与所述第一面相反侧的第二面上的多个光不透射的布线；以及半导体芯片，安装于所述第一面上，所述第一布线组的布线与所述半导体芯片的半导体连接端子分别通过接合部而接合，所述覆晶薄膜型半导体装置的特征在于：在所述第二面的、与所述接合部对应的至少一个部位，设有不存在所述第二布线组的布线的非布线区域。

【技术特征摘要】
2017.11.29 JP 2017-2294571.一种覆晶薄膜型半导体装置，包括：光透射的绝缘薄膜；第一布线组，包括形成在所述绝缘薄膜的第一面上的多个布线；第二布线组，包括形成在所述绝缘薄膜的与所述第一面相反侧的第二面上的多个光不透射的布线；以及半导体芯片，安装于所述第一面上，所述第一布线组的布线与所述半导体芯片的半导体连接端子分别通过接合部而接合，所述覆晶薄膜型半导体装置的特征在于：在所述第二面的、与所述接合部对应的至少一个部位，设有不存在所述第二布线组的布线的非布线区域。2.根据权利要求1所述的覆晶薄膜型半导体装置，其特征在于，所述非布线区域为用于从所述第二面透射所述绝缘薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅山宣明，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP