耐热用功率模块基板、耐热用镀覆膜和镀液制造技术

本发明专利技术的目的在于，提供：即使进行高温侧200℃以上的TCT也防止覆膜中产生裂纹的耐热用功率模块基板、耐热用镀覆膜和镀液。一种耐热用功率模块基板，其特征在于，其为用于搭载产生最高到300℃的高热的功率半导体的耐热用功率模块基板，所述功率模块基板至少具备：基材，其由氧化铝、氮化铝或氮化硅形成；电路，其直接形成于前述基材上或借助钎料形成于前述基材上，且由铜或铝形成；和，镀覆膜，其形成于前述电路表面，前述镀覆膜为化学镀镍‑磷‑钼覆膜，前述镀覆膜中的磷的含有率为10.5～13重量％。

Heat-resistant power module substrates, heat-resistant coatings and plating solutions

【技术实现步骤摘要】
耐热用功率模块基板、耐热用镀覆膜和镀液
本专利技术涉及用于搭载发出高热的功率半导体的耐热用功率模块基板、耐热用镀覆膜和镀液。
技术介绍
一直以来，功率模块基板大多使用Si半导体芯片，在半导体芯片的性能保证上，在工作温度最高为150℃左右的条件下使用。为了提高导体电路的耐腐蚀性，对上述功率模块基板实施了能耐受上述工作温度的镀镍-磷等。例如专利文献1中公开了一种化学镀镍-磷镀覆膜，其以以往使用的树脂基板、陶瓷基板等为对象，为了能实现高的软钎料接合强度，在导电体电路中的软钎料接合部分具有选自铁、钨、钼和铬中的至少一种成分。另外，专利文献2中公开了一种化学镀镍-硼的方法，其在不对陶瓷、铝等被镀物进行高温处理的情况下可以得到高硬度。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-256444号公报专利文献2：日本专利3146065号
技术实现思路
专利技术要解决的问题功率模块一般由功率半导体、功率模块基板(绝缘基板)和冷却器构成。功率半导体由于进行高电压、高电流的控制而工作时的放热量较高。以往，控制电流电压来控制功率半导体本身的温度上升，且以安装有功率半导体的功率模块基板和冷却器促进放热，控制功本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐热用功率模块基板，其特征在于，其为用于搭载产生最高到300℃的高热的功率半导体的耐热用功率模块基板，所述功率模块基板至少具备：基材，其由氧化铝、氮化铝或氮化硅形成；电路，其直接形成于所述基材上或借助钎料形成于所述基材上，且由铜或铝形成；和，镀覆膜，其形成于所述电路表面，所述镀覆膜为化学镀镍‑磷‑钼覆膜，所述镀覆膜中的磷的含有率为10.5～13重量％。

【技术特征摘要】
2017.12.22 JP 2017-2469311.一种耐热用功率模块基板，其特征在于，其为用于搭载产生最高到300℃的高热的功率半导体的耐热用功率模块基板，所述功率模块基板至少具备：基材，其由氧化铝、氮化铝或氮化硅形成；电路，其直接形成于所述基材上或借助钎料形成于所述基材上，且由铜或铝形成；和，镀覆膜，其形成于所述电路表面，所述镀覆膜为化学镀镍-磷-钼覆膜，所述镀覆膜中的磷的含有率为10.5～13重量％。2.根据权利要求1所述的功率模块基板，其特征在于，所述镀覆膜中的钼的含有率为0.01～2.0重量％。3.根据权利要求2所述的功率模块基板，其特征在于，所述镀覆膜中的磷的含有率为11～13重量％。4.一种耐热用镀覆膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑坂成吾，小田幸典，
申请(专利权)人：上村工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP