具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置制造方法及图纸

公开了一种具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置。所述半导体装置包括形成在衬底上的通孔插塞和形成在通孔插塞的一端处的用于互连的金属层，其中绝缘结构位于用于互连的金属层下方，并且绝缘结构根据与用于互连的金属层的位置关系具有不同的分层结构。

Semiconductor devices with structures that form insulating layers under metal interconnections

【技术实现步骤摘要】
具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置相关申请的交叉引用要求于2017年12月22日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2017-0178361的优先权和权益，其公开内容通过引用全部并入本文。
本专利技术构思涉及一种半导体装置，其具有在金属互连下形成绝缘层的结构，该金属互连形成在通孔插塞结构上。
技术介绍
目前本领域中使用了一种三维(3D)封装技术，其中多个半导体芯片安装在一个封装件(例如，多芯片堆叠封装件或系统级封装件)中。垂直穿过衬底(例如裸片)的通孔插塞结构被应用于实现高密度、低功率和高速薄膜3D封装。
技术实现思路
一些示例实施例旨在提供一种半导体装置，该半导体装置具有在通孔插塞结构上的互连下形成绝缘层的结构，用于改善半导体装置的电特性和可靠性。根据一些示例实施例的半导体装置包括：衬底上的通孔插塞；以及所述通孔插塞一端处的金属层，所述金属层连接到互连层。绝缘结构位于所述金属层下方，并且根据与所述金属层的位置关系，所述绝缘结构具有不同的分层结构。根据一些示例实施例的半导体装置包括：半导体结构；通孔插塞，所述通孔插塞形成为至少部分地穿过所述半导体结构；以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：衬底上的通孔插塞；以及所述通孔插塞一端处的金属层，所述金属层连接到互连层，其中，绝缘结构位于所述金属层下方，并且所述绝缘结构根据与所述金属层的位置关系而具有不同的分层结构。

【技术特征摘要】
2017.12.22 KR 10-2017-01783611.一种半导体装置，包括：衬底上的通孔插塞；以及所述通孔插塞一端处的金属层，所述金属层连接到互连层，其中，绝缘结构位于所述金属层下方，并且所述绝缘结构根据与所述金属层的位置关系而具有不同的分层结构。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘结构根据与所述金属层的外周的距离而具有不同的厚度。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘结构根据与所述金属层的外周的距离而包括不同数量的层。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述绝缘结构包括蚀刻停止层和一个或更多个绝缘层中的至少一种。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述绝缘结构包括数量随着与所述金属层的所述外周的距离增大而增多的层。6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述绝缘结构包括数量随着与所述金属层的所述外周的距离增大而减少的层。7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述绝缘结构在与所述金属层的外周间隔开的位置处包括数量比在与所述金属层的所述外周相邻的位置处更少的层。8.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述绝缘结构包括所述金属层下方的蚀刻停止层。9.一种半导体装置，包括：半导体结构；通孔插塞，所述通孔插塞形成为至少部分地穿过所述半导体结构；以及所述通孔插塞一端处的金属层，其中，与所述金属层的侧表面相邻的底表面根据与所述侧表面的距离而具有不同深度。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述金属层从所述金属层的所述侧表面向下倾斜。11.根据权利要求9所述的半导体装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔珉准，权杜原，金宽植，宋泰荣，尹惺铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR