【技术实现步骤摘要】
包括着落垫的半导体器件
本专利技术构思涉及半导体器件，更具体地，涉及包括用于将衬底的有源区域与电容器的下电极连接的着落垫(landingpad)的半导体器件。
技术介绍
随着半导体器件的集成度增加，半导体器件的元件的设计规则减少。在高度地按比例缩放的半导体器件中，多个布线的剖面面积以及其间的接触插塞的剖面面积正逐渐减小。因此，当通过接触插塞将电容器下电极(其形成在具有减小的剖面面积的接触插塞上)连接到衬底的有源区域时，发生着落垫(其将接触插塞与电容器下电极连接)的桥现象(bridgephenomenon)。
技术实现思路
本专利技术构思提供了防止相邻着落垫之间的桥故障的半导体器件。根据本专利技术构思的一方面，提供了一种半导体器件，其包括：包括有源区域的衬底；沿着平行于衬底的上表面的第一方向在衬底上延伸的多个导电线结构；在衬底上形成于所述多个导电线结构之间并连接到有源区域的多个接触插塞；分别连接到所述多个接触插塞的多个着落垫；着落垫绝缘图案，其围绕所述多个着落垫的至少一部分并将所述多个着落垫中的第一着落垫与邻近于第一着落垫的第二着落垫电分离；以及在所述多个导电线结构与所...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：包括有源区域的衬底；沿着平行于所述衬底的上表面的第一方向在所述衬底上延伸的多个导电线结构；在所述衬底上形成于所述多个导电线结构之间并连接到所述有源区域的多个接触插塞；分别连接到所述多个接触插塞的多个着落垫；着落垫绝缘图案，其围绕所述多个着落垫的至少一部分并将所述多个着落垫当中的第一着落垫与邻近于所述第一着落垫的第二着落垫电分离；以及导电阻挡层，其在所述多个导电线结构与所述多个着落垫之间，其中阻挡底切区域形成在所述着落垫绝缘图案和所述导电阻挡层彼此接触的部分中。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：包括有源区域的衬底；沿着平行于所述衬底的上表面的第一方向在所述衬底上延伸的多个导电线结构；在所述衬底上形成于所述多个导电线结构之间并连接到所述有源区域的多个接触插塞；分别连接到所述多个接触插塞的多个着落垫；着落垫绝缘图案，其围绕所述多个着落垫的至少一部分并将所述多个着落垫当中的第一着落垫与邻近于所述第一着落垫的第二着落垫电分离；以及导电阻挡层，其在所述多个导电线结构与所述多个着落垫之间，其中阻挡底切区域形成在所述着落垫绝缘图案和所述导电阻挡层彼此接触的部分中。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述着落垫绝缘图案包括填充所述阻挡底切区域并向外凸出的凸起。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一着落垫垂直地重叠所述多个导电线结构的在平行于所述衬底的所述上表面且垂直于所述第一方向的第二方向上的第一宽度的一部分，以及所述第二着落垫垂直地重叠所述多个导电线结构的在所述第二方向上的整个第一宽度。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，当从垂直于所述衬底的所述上表面的第三方向上被观察时，所述第二着落垫的最上表面重叠导电阻挡层的与邻近于所述第二着落垫的所述第一着落垫接触的部分。5.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：绝缘间隔物结构，其设置在所述多个导电线结构的侧壁上以及在所述多个导电线结构与所述导电阻挡层之间，其中所述着落垫绝缘图案包括围绕所述第一着落垫的第一着落垫绝缘区域以及围绕所述第二着落垫的第二着落垫绝缘区域，以及其中所述导电阻挡层不设置在所述第二着落垫绝缘区域与所述绝缘间隔物结构之间。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第二着落垫绝缘区域和所述绝缘间隔物结构彼此接触。7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述绝缘间隔物结构包括顺序地设置在所述多个导电线结构的下侧壁上的第一绝缘间隔物至第三绝缘间隔物以及设置在所述多个导电线结构的上侧壁上的第四绝缘间隔物。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第四绝缘间隔物的一部分与所述第二着落垫绝缘区域接触。9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述着落垫绝缘图案的底表面在比所述第二绝缘间隔物的上表面的高度更高的高度处，以及其中所述多个着落垫在与所述第二绝缘间隔物的所述上表面的高度相同的高度处的在所述第二方向上的第三宽度小于所述多个着落垫在比所述第二绝缘间隔物的所述上表面的高度更高的高度处且在比所述着落垫绝缘图案的所述底表面的高度更低的高度处的在所述第二方向上的第二宽度。10.一种半导体器件，包括：包括有源区域的衬底；沿着平行于所述衬底的上表面的第一方向在所述衬底上延伸的多个导电线结构；在所述衬底上形成于所述多个导电线结构之间并连接到所述有源区域的多个接触插塞；分别连接到所述多个接触插塞的多个着落垫；围绕所述多个着落垫的着落垫绝缘图案；导电阻挡层，其在所述多个导电线结构与所...
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