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取向电工钢板及其制备方法技术

技术编号:21507957 阅读:23 留言:0更新日期:2019-07-03 06:55
本发明专利技术的一实施例的取向电工钢板的制备方法包括:将以重量%包含3.0至5.0%的Si、0.01至0.15%的C及0.1至1.5%的Mn且剩余重量%包含Fe及其他不可避免的杂质且满足下述公式1及公式2的钢坯加热的步骤;将钢坯热轧来制备热轧板的步骤;将热轧板冷轧来制备冷轧板的步骤;将冷轧板一次再结晶退火的步骤;以及将一次再结晶退火结束的冷轧板二次再结晶退火的步骤,其中,公式1:0.5≤[Si]/(100×[C]×[Mn])≤3;公式2:(0.04×[Si]‑0.075)‑(0.045×[Mn])≤[C]≤(0.055×[Si]‑0.1)‑(0.055×[Mn]),其中,在公式1及公式2中,[Si]、[C]及[Mn]分别表示Si、C及Mn的含量(重量%)。

Oriented Electrical Steel Plate and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
取向电工钢板及其制备方法
本专利技术涉及取向电工钢板及取向电工钢板的制备方法(GrainOrientedElectricalSteelSheetAndMethodForManufacturingTheSame)。具体地,通过精密地调整钢坯内的与Si含量对应的Mn及C的含量来得到优秀的磁性的取向电工钢板及取向电工钢板的制备方法。
技术介绍
取向电工钢板是通过形成为所谓高斯(Goss)集合组织(texture)来增大了沿钢板的轧制方向的磁学特性的软磁材料,其中,在所谓高斯集合组织中,钢板面的晶体的取向为{110}面,且轧制方向的结晶取向与<001>轴平行。一般地,磁学特性是否优秀可通过磁通密度及铁损来表现,高的磁通密度可通过将晶体的取向准确地排列为{110}<001>取向来得到。磁通密度高的电工钢板不仅可减小电气设备的铁芯材料的大小,而且通过降低磁滞损耗可同时实现电气设备的小型化及高效化。铁损作为在向钢板施加任意的交流磁场时以热能消耗的电力损失,磁通密度及电阻率越高且板厚度及钢板中的杂质量越低,则铁损越小,铁损越小则使电气设备的效率越高。当前,世界各国为了通过减排本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种取向电工钢板的制备方法,其特征在于,包括:将以重量%包含3.0至5.0%的Si、0.01至0.15%的C及0.1至1.5%的Mn且剩余重量%包含Fe及其他不可避免的杂质且满足下述公式1及公式2的钢坯加热的步骤;将所述钢坯热轧来制备热轧板的步骤;将所述热轧板冷轧来制备冷轧板的步骤;将所述冷轧板一次再结晶退火的步骤;以及将一次再结晶退火结束的冷轧板二次再结晶退火的步骤,其中,公式1:0.5≤[Si]/(100×[C]×[Mn])≤3;公式2:(0.04×[Si]‑0.075)‑(0.045×[Mn])≤[C]≤(0.055×[Si]‑0.1)‑(0.055×[Mn]),其中,公式1及公式2...

【技术特征摘要】
2017.12.26 KR 10-2017-01792321.一种取向电工钢板的制备方法,其特征在于,包括:将以重量%包含3.0至5.0%的Si、0.01至0.15%的C及0.1至1.5%的Mn且剩余重量%包含Fe及其他不可避免的杂质且满足下述公式1及公式2的钢坯加热的步骤;将所述钢坯热轧来制备热轧板的步骤;将所述热轧板冷轧来制备冷轧板的步骤;将所述冷轧板一次再结晶退火的步骤;以及将一次再结晶退火结束的冷轧板二次再结晶退火的步骤,其中,公式1:0.5≤[Si]/(100×[C]×[Mn])≤3;公式2:(0.04×[Si]-0.075)-(0.045×[Mn])≤[C]≤(0.055×[Si]-0.1)-(0.055×[Mn]),其中,公式1及公式2中,[Si]、[C]及[Mn]分别表示Si、C及Mn的含量。2.如权利要求1所述的取向电工钢板的制备方法,其特征在于,所述钢坯还包括0.01至0.04重量%的Al、以0.03至0.1重量%为分别单独的量的Sb或Sn或者以0.03至0.1重量%为合计的量的Sb及Sn、0.01重量%以下且大于0重量%的N及0.01%以下且大于0重量%的S。3.如权利要求1所述的取向电工钢板的制备方法,其特征在于,在加热所述钢坯的步骤中,所述钢坯加热温度为1000℃至1250℃。4.如权利要求1所述的取向电工钢板的制备方法,其特征在于,在进行加热所述钢坯的步骤之后,所述钢坯内的奥氏体体积分数为20至40%。5.如权利要求1所述的取向电工钢板的制备方法,其特征在于,在进行所述二次再结晶退火的步骤之后,具有由{100}面与轧制面(ND面)所形成的...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴昶洙金佑信徐进旭金炳久
申请(专利权)人:POSCO公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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