用于生长石墨烯的立式管式炉和挂架制造技术

本发明专利技术提供一种生长石墨烯的立式管式炉和挂架。所述立式管式炉包括：炉体，所述炉体内设置有工艺舱；过渡舱，其设置在所述炉体的上方或下方，所述过渡舱构造成与所述工艺舱可连通和可关断；挂架，设置在所述工艺舱中，用于放置生长衬底；和移动装置，可将所述挂架在所述工艺舱和所述过渡舱之间来回移动。所述挂架包括上面板、下面板和连接所述上面板和下面板的管道。本发明专利技术采用立式的生长方法，在炉体大小不变的情况下，突破了原有管式炉生长的石墨烯薄膜尺寸大小的限制。采用工字型打孔的挂架形式，使得气流能够在各层衬底表面都能流过，使得石墨烯成膜质量提高。

Vertical tubular furnace and hanger for graphene growth

【技术实现步骤摘要】
用于生长石墨烯的立式管式炉和挂架
本专利技术涉及CVD法制备石墨烯的设备，尤其涉及一种用于生长石墨烯的立式管式炉和用于立式管式炉的挂架。
技术介绍
目前CVD石墨烯薄膜的生产主要有两种方式，一种是用片式挂装的方式生长，一种是连续式的卷对卷生长。这两种方法由于石英管尺寸的限制，不能将石墨烯薄膜的尺寸做的很大，卷对卷的方式虽然可以将石墨烯薄膜做的很长，但是它的宽幅却无法做的很大，片式的挂装无论是在长度上还是在宽度上都无法做的很大，不能满足大尺寸石墨烯薄膜的应用需求。
技术介绍
部分的内容仅仅是专利技术人所知晓的技术，并不当然代表本领域的现有技术。
技术实现思路
针对现有技术存在问题中的一个或多个，在本专利技术的一个方面，本专利技术提供一种用于生长石墨烯的立式管式炉，包括：炉体，所述炉体内设置有工艺舱；过渡舱，其设置在所述炉体的上方或下方，所述过渡舱构造成与所述工艺舱可连通和可关断；挂架，设置在所述工艺舱中，用于放置生长衬底；和移动装置，可将所述挂架在所述工艺舱和所述过渡舱之间来回移动。根据本专利技术的一个方面，所述过渡舱设置在所述炉体的下方。根据本专利技术的一个方面，所述立式管式炉还包括机架，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于生长石墨烯的立式管式炉，包括：炉体，所述炉体内设置有工艺舱；过渡舱，其设置在所述炉体的上方或下方，所述过渡舱构造成与所述工艺舱可连通和可关断；挂架，设置在所述工艺舱中，用于放置生长衬底；和移动装置，可将所述挂架在所述工艺舱和所述过渡舱之间来回移动。

【技术特征摘要】
1.一种用于生长石墨烯的立式管式炉，包括：炉体，所述炉体内设置有工艺舱；过渡舱，其设置在所述炉体的上方或下方，所述过渡舱构造成与所述工艺舱可连通和可关断；挂架，设置在所述工艺舱中，用于放置生长衬底；和移动装置，可将所述挂架在所述工艺舱和所述过渡舱之间来回移动。2.根据权利要求1所述的立式管式炉，其中所述过渡舱设置在所述炉体的下方。3.根据权利要求1或2所述的立式管式炉，其还包括机架，所述机架构造成用于支撑所述炉体和所述过渡舱，所述移动装置安装在所述机架上、所述炉体上或所述过渡舱上，所述移动装置包括电机和托盘，所述电机直接或间接驱动所述托盘，所述托盘可与所述挂架接合。4.根据权利要求1-3中任一项所述的立式管式炉，其中所述工艺舱一端设置有进气口，另一端设置有真空抽口。5.根据权利要求1-4中任一项所述的立式管式炉，其中所述工艺舱为石英管。6.根据权利要求1或2所述的立式管式炉，其中所述过渡舱包括设置在所述过渡舱侧壁上的过渡舱进气口、过渡舱真空抽口、真空计接口、舱门和观察窗。7.根据权利要求1-6中任一项所述的立式管式炉，其中还包括阀门，所述阀门可连通和关断所述过渡舱和所述工艺舱，所述阀门优选为插板阀。8.根据权利要求1-7中任一项所述的立式管式炉，其中所述挂架包括：上面板、下面板和连接所述上面板和下面板的管道...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈大勇，谭朋利，刘海滨，谭化兵，
申请(专利权)人：无锡格菲电子薄膜科技有限公司，无锡第六元素电子薄膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32