使用固体掺杂源的等离子体掺杂制造技术

本文公开了一种处理工件的方法，其中首先使用含有所需掺杂物质的调节气体来涂布等离子室的内表面。随后引入不含有所需掺杂物质的工作气体并对其供应能量以形成等离子体。此等离子体用于溅镀来自内表面的所需掺杂物质。此掺杂物质沉积在工件上。随后可执行后续植入过程以将掺杂物植入工件中。植入过程可包含热处理、敲入机制或两者。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用固体掺杂源的等离子体掺杂本申请案主张2016年11月8日申请的美国临时专利申请案第62/419,010号的优先权，所述申请案的公开内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开的实施例涉及用于使用固定掺杂源掺杂工件的方法，且更具体地说，涉及一种使用先前沉积在等离子室的内表面上的掺杂物掺杂工件的方法。
技术介绍
半导体工件通常注入有掺杂物质以产生所需的导电性。等离子体植入为掺杂或另外修饰半导体器件的表面的有效方法。举例来说，等离子体植入可有效的掺杂垂直表面(也称为侧壁)。许多类型的新兴半导体器件结构采用侧壁修饰，包含FinFET、3D与非门、CIS及功率器件。在某些实施例中，可能需要修饰具有掺杂物或其它物质的较低或甚至极低浓度的侧壁。然而，等离子室通常更适合于执行具有较高掺杂物浓度的植入。在极低剂量处的精确度及可重复性可能存在问题。因此，允许精确量的掺杂物沉积并随后植入工件中的方法可能为有益的。
技术实现思路
本文公开了一种处理工件的方法，其中首先使用含有所需掺杂物质的调节气体来涂布等离子室的内表面。随后引入不含有所述所需掺杂物质的工作气体并对其供应能量以形成等离子体。所述等离子体用于溅镀来本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在工件上沉积掺杂物质的方法，包括：执行调节过程，所述调节过程包括：将调节气体引入离子源的等离子室中，所述调节气体包括掺杂物质；以及使所述等离子室中的所述调节气体离子化以在所述等离子室的内表面上形成涂层，所述涂层包括呈固体形式的所述掺杂物质；以及在所述调节过程之后执行沉积过程，所述沉积过程包括：在形成所述涂层之后将工作气体引入所述等离子室中，其中所述工作气体不包括所述掺杂物质；以及使所述等离子室中的所述工作气体离子化以产生离子及溅镀所述涂层，以使得所述掺杂物质沉积在所述工件上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.08 US 62/419,010;2017.03.15 US 15/459,4161.一种在工件上沉积掺杂物质的方法，包括：执行调节过程，所述调节过程包括：将调节气体引入离子源的等离子室中，所述调节气体包括掺杂物质；以及使所述等离子室中的所述调节气体离子化以在所述等离子室的内表面上形成涂层，所述涂层包括呈固体形式的所述掺杂物质；以及在所述调节过程之后执行沉积过程，所述沉积过程包括：在形成所述涂层之后将工作气体引入所述等离子室中，其中所述工作气体不包括所述掺杂物质；以及使所述等离子室中的所述工作气体离子化以产生离子及溅镀所述涂层，以使得所述掺杂物质沉积在所述工件上。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述调节过程期间所述工件不安置在所述等离子室中。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工作气体包括惰性气体。4.一种在工件中植入掺杂物质的方法，包括：执行调节过程，所述调节过程包括：将调节气体引入离子源的等离子室中，所述调节气体包括掺杂物质；以及使所述等离子室中的所述调节气体离子化以在所述等离子室的内表面上形成涂层，所述涂层包括呈固体形式的所述掺杂物质；溅镀所述涂层以使得所述掺杂物质沉积在所述工件上；以及将所述掺杂物质植入所述工件中。5.根据权利要求4所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：赛梅克·莎里曼，高琦，海伦·L·梅纳德，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国,US