自对准双重图形化半导体结构的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种自对准双重图形化半导体结构的制作方法，包括：提供依次形成有待刻蚀薄膜、核心图形薄膜和图案化的第一光刻胶层的半导体衬底，以第一光刻胶层为掩膜对核心图形薄膜进行刻蚀，形成第一尺寸核心图形层和第二尺寸核心图形层，分别在第一尺寸和第二尺寸核心图形层的两侧形成侧墙。形成覆盖第二尺寸核心图形层的第二光刻胶层。去除第一尺寸核心图形层和第二光刻胶层。以侧墙和述第二尺寸核心图形层为掩膜刻蚀待刻蚀薄膜；以及去除侧墙和第二尺寸核心图形层，形成自对准双重图形。本发明专利技术具有工艺步骤简单，且解决了在第二尺寸核心图形层对准第一尺寸核心图形层时套层精度难以控制，最终导致自对准双重图形的形貌难以控制的问题。

【技术实现步骤摘要】
自对准双重图形化半导体结构的制作方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其是涉及一种自对准双重图形化半导体结构的制作方法。
技术介绍
在半导体集成电路中，随着半导体工艺的特征尺寸的不断缩小，为了提高半导体器件的集成度，业界已经提出了多种双层图形工艺，其中，自对准双重图形(Self-AlignedDoublePatterning，SADP)工艺即为其中的一种。现有技术中，对于半导体器件中的同一核心层上形成两种不同尺寸的核心图形层时，其小尺寸的核心图形和大尺寸的核心图形要经过前后两次曝光工艺，即，在形成小尺寸的核心图形和大尺寸的核心图形时，需要先后分开采用两个光罩(mask)形成，但由于带有大尺寸的核心图形的光罩精度较低，在对准临近带有小尺寸的核心图形的半导体器件薄膜层时，会出现将所述不需要覆盖的小尺寸的核心图形的区域的重叠(overlay)现象，即大尺寸的核心图形对准小尺寸的核心图形时套层精度难以控制，进而导致后期形成的自主对准双层图形的形貌难以控制的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种自对准双重图形化半导体结构的制作方法，以解决现有自对准双重图形化半导体结构的制作方法前后本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自对准双重图形化半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上从下至上依次形成有待刻蚀薄膜、核心图形薄膜、图案化的第一光刻胶层，所述图案化的第一光刻胶层定义了第一尺寸的核心图形和第二尺寸的核心图形；以所述图案化的第一光刻胶层为掩膜对所述核心图形薄膜进行刻蚀，将所述第一尺寸的核心图形和第二尺寸的核心图形的图案转移至所述核心图形薄膜上，形成具有第一尺寸的核心图形形貌的第一尺寸核心图形层和第二尺寸核心图形层；分别在所述第一尺寸核心图形层和所述第二尺寸核心图形层的两侧形成侧墙；形成图案化的第二光刻胶层，所述图案化的第二光刻胶层覆盖所述第二尺寸核心图形层；去除所述第一...

【技术特征摘要】
1.一种自对准双重图形化半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上从下至上依次形成有待刻蚀薄膜、核心图形薄膜、图案化的第一光刻胶层，所述图案化的第一光刻胶层定义了第一尺寸的核心图形和第二尺寸的核心图形；以所述图案化的第一光刻胶层为掩膜对所述核心图形薄膜进行刻蚀，将所述第一尺寸的核心图形和第二尺寸的核心图形的图案转移至所述核心图形薄膜上，形成具有第一尺寸的核心图形形貌的第一尺寸核心图形层和第二尺寸核心图形层；分别在所述第一尺寸核心图形层和所述第二尺寸核心图形层的两侧形成侧墙；形成图案化的第二光刻胶层，所述图案化的第二光刻胶层覆盖所述第二尺寸核心图形层；去除所述第一尺寸核心图形层；去除所述第二光刻胶层；以所述侧墙和所述第二尺寸核心图形层为掩膜刻蚀所述待刻蚀薄膜；以及去除所述侧墙和所述第二尺寸核心图形层，以形成自对准双重图形。2.如权利要求1所述的自对准双重图形化半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一尺寸小于所述第二尺寸。3.如权利要求1所述的自对准双重图形化半导体结构的制作方法，其特征在于，所述图案化的第二光刻胶层覆盖所述第二尺寸核心图形层和位于所述第二尺寸核心图形层两侧的侧墙。4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶滋婧，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31