【技术实现步骤摘要】
一种具有电源总线的功率模块
本专利技术涉及一种功率模块领域。
技术介绍
功率模块是功率电子电力器件如MOS管(中文全称:金氧半场效晶体管;英文全称:Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)、IGBT(英文全称:InsulatedGateBipolarTransistor,中文全称:绝缘栅双极型晶体管),FRD(快恢复二极管)按一定的功能组合封装成的功率开关,其主要用于电动汽车,光伏发电,风力发电,工业变频等各种场合下的功率转换。以MOS管为例,如图1a所示,其常见由两个上下串联的MOS管组成,形成桥路。上桥中的MOS管漏极D接电源正极P+,源极S与下桥上MOS管的漏极D连接,下桥上MOS管的源极接电源负极P-,上桥MOS管的源极S和下桥MOS管的漏极D作为输出端Out。上桥MOS管和下桥MOS管的G极接控制信号。然而随着模块中的功率开关被重复地切换,由其结构配置所产生的电感会降低功率模块的可靠性。传统的功率模块由于续流回路面积较大,导致模块的续流回路电感很大,使模块的开关损耗大,可靠性低。如图1b、图1c所示 ...
【技术保护点】
1.一种具有电源总线的功率模块,其特征在于,包括底板及设置于底板上的两个以上的功率单元、与功率单元对应的输出电极和两个输入总线母排;所述两个输入总线母排包括第一输入总线母排和第二输入总线母排;所述功率单元包括基板、电路铜层和功率芯片组,所述电路铜层形成在所述基板上,所述功率芯片组布置于所述电路铜层上;所述电路铜层包括第一输入导电层、第二输入导电层和输出导电层;所述功率芯片组包括第一桥臂功率芯片组和第二桥臂功率芯片组;所述第一输入总线母排和第二输入总线母排层叠布置;所述第一输入总线母排包括第一母排外接部、第一母排主体部和第一母排内连部;该第一母排内连部直接或间接连接到各功率单 ...
【技术特征摘要】
1.一种具有电源总线的功率模块,其特征在于,包括底板及设置于底板上的两个以上的功率单元、与功率单元对应的输出电极和两个输入总线母排;所述两个输入总线母排包括第一输入总线母排和第二输入总线母排;所述功率单元包括基板、电路铜层和功率芯片组,所述电路铜层形成在所述基板上,所述功率芯片组布置于所述电路铜层上;所述电路铜层包括第一输入导电层、第二输入导电层和输出导电层;所述功率芯片组包括第一桥臂功率芯片组和第二桥臂功率芯片组;所述第一输入总线母排和第二输入总线母排层叠布置;所述第一输入总线母排包括第一母排外接部、第一母排主体部和第一母排内连部;该第一母排内连部直接或间接连接到各功率单元的所述第一输入导电层;所述第二输入总线母排包括第二母排外接部、第二母排主体部和第二母排内连部;该第二母排内连部直接或间接连接到各功率单元的所述第二输入导电层。2.根据权利要求1所述的具有电源总线的功率模块,其特征在于,所述第一输入总线母排上的第一母排外接部为2个以上;所述第二输入总线母排上的第二母排外接部为2个...
【专利技术属性】
技术研发人员:周卫国,
申请(专利权)人:深圳市慧成功率电子有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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