多芯片一体布线焊接的功率模块及功率模组制造技术

为克服现有技术中功率模块在进行布局布线时，总是采用单一绑定线或者其他电连接件将功率芯片的源极电连接到对应的功率电极，使得其布线非常复杂，且容易出错的问题，本发明专利技术提供了一种多芯片一体布线焊接的功率模块及功率模组。本发明专利技术公开的功率模块，因其采用源极连接件替代现有技术中每个功率芯片设置对应绑定线或者其他电连接件的方式，源极连接件采用一体成型，同时连接多个功率芯片，使之形成电流通路，简化了功率模块的布线，降低了功率模块的布线电感，同时方便安装，可以使得其装配工艺更简单，提升产品制作效率，并增强其连接可靠性，降低生产成本。

Power Module and Power Module for Multi-Chip Integrated Wiring Welding

In order to overcome the problem that the power module in the prior art always uses a single binding line or other electrical connectors to connect the source of the power chip to the corresponding power electrode, which makes the wiring very complex and error-prone, the present invention provides a power module and power module for multi-chip integrated wiring welding. The power module disclosed in the invention adopts source connector instead of each power chip in the prior art to set corresponding binding wires or other electrical connectors. The source connector is formed in one body and connected with multiple power chips at the same time to form a current path, which simplifies the wiring of power module, reduces the wiring inductance of power module, and is convenient to install. In order to simplify the assembly process, improve the production efficiency, enhance the reliability of the connection and reduce the production cost.

【技术实现步骤摘要】
多芯片一体布线焊接的功率模块及功率模组
本专利技术涉及一种功率模块领域。
技术介绍
功率模块是功率电子电力器件如MOS管(中文全称：金氧半场效晶体管；英文全称：Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)、IGBT(英文全称：InsulatedGateBipolarTransistor，中文全称：绝缘栅双极型晶体管)，FRD(快恢复二极管)按一定的功能组合封装成的功率开关，其主要用于电动汽车，光伏发电，风力发电，工业变频等各种场合下的功率转换。以MOS管为例，如图1a所示，其常见由两个上下串联的MOS管组成，形成桥路。上桥中的MOS管漏极D接电源正极P+，源极S与下桥上MOS管的漏极D连接，下桥上MOS管的源极接电源负极P-，上桥MOS管的源极S和下桥MOS管的漏极D作为输出端Out。上桥MOS管和下桥MOS管的G极接控制信号。然而随着模块中的功率开关被重复地切换，由其结构配置所产生的电感会降低功率模块的可靠性。传统的功率模块由于续流回路面积较大，导致模块的续流回路电感很大，使模块的开关损耗大，可靠性低。如图1b、图1c所示，功率模本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多芯片一体布线焊接的功率模块，包括底板及设置于底板上的功率单元、输出电极和输入电极；所述输入电极包括第一输入电极、第二输入电极；所述第一输入电极为负电极，第二输入电极为正电极；所述功率单元包括基板、电路铜层和功率芯片组，所述电路铜层形成在所述基板上，所述功率芯片组布置于所述电路铜层上；所述电路铜层包括第一输入导电层、第二输入导电层和输出导电层；所述第一输入导电层对应第一输入电极，为正导电层，所述第二输入导电层对应第二输入电极，为负导电层；所述功率芯片组包括上桥功率芯片组和下桥功率芯片组；所述上桥功率芯片组包括若干上桥芯片，所述下桥功率芯片组包括若干下桥芯片；所述下桥功率芯片组布置于所述...

【技术特征摘要】
1.一种多芯片一体布线焊接的功率模块，包括底板及设置于底板上的功率单元、输出电极和输入电极；所述输入电极包括第一输入电极、第二输入电极；所述第一输入电极为负电极，第二输入电极为正电极；所述功率单元包括基板、电路铜层和功率芯片组，所述电路铜层形成在所述基板上，所述功率芯片组布置于所述电路铜层上；所述电路铜层包括第一输入导电层、第二输入导电层和输出导电层；所述第一输入导电层对应第一输入电极，为正导电层，所述第二输入导电层对应第二输入电极，为负导电层；所述功率芯片组包括上桥功率芯片组和下桥功率芯片组；所述上桥功率芯片组包括若干上桥芯片，所述下桥功率芯片组包括若干下桥芯片；所述下桥功率芯片组布置于所述负导电层或者输出导电层上；所述上桥功率芯片布置于所述正导电层上；其特征在于，所述上桥功率芯片组中的上桥芯片的源极通过上桥源极连接件并联连接，且所述上桥源极连接件直接或间接连接至所述输出电极；所述下桥功率芯片组中的下桥芯片通过下桥源极连接件并联连接，且所述下桥源极连接件直接或间接连接至负电极。2.根据权利要求1所述的多芯片一体布线焊接的功率模块，其特征在于，所述下桥源极连接件包括汇流部和连接于汇流部上的若干焊接桥；所述焊接桥上形成与下桥芯片的源极进行焊接的焊接部以及焊接部之间拱起形成避让的避让部；所述汇流部或者焊接桥上设有负电极连接端，所述负电极连接端直接或者间接与所述负电极电连接。3.根据权利要求2所述的多芯片一体布线焊接的功率模块，其特征在于，所述上桥源极连接件包括汇流部和连接于汇流部上的焊接桥，每个焊接...

【专利技术属性】
技术研发人员：周卫国，
申请(专利权)人：深圳市慧成功率电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44