集成芯片封装结构的多芯片埋入式封装模块结构制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种集成芯片封装结构的多芯片埋入式封装模块结构，封装模块结构包括：封装基板，其一侧具有若干外部引脚；功能芯片，设置于封装基板，功能芯片具有若干第一电极；芯片封装结构，设置于封装基板，芯片封装结构具有第一互连结构；若干第二互连结构，用于导通若干第一电极、第一互连结构及若干外部引脚。本实用新型专利技术利用封装技术将芯片封装结构及功能芯片封装于同一封装基板，可以实现多芯片的高度集成，提高封装基板的利用率，进而实现多芯片埋入式封装模块结构的小型化，另外，芯片封装结构可以是现成的切割好的封装芯片，可以实现产业上的对接，而且，将封装完成的芯片直接与未封装的芯片集成，可以实现封装工艺的多样化。

Multi-Chip Embedded Packaging Module Architecture with Integrated Chip Packaging Architecture

The utility model discloses a multi-chip embedded packaging module structure with integrated chip packaging structure. The packaging module structure includes: a package substrate with a number of external pins on one side; a functional chip, which is set on the package substrate, has a number of first electrodes; a chip packaging structure, which is set on the package substrate, has a number of first interconnection structures; The second interconnection structure is used for conducting a number of first electrodes, a first interconnection structure and a number of external pins. The utility model encapsulates the chip encapsulation structure and functional chips on the same encapsulation substrate by using encapsulation technology, which can realize the high integration of multi-chips, improve the utilization of encapsulation substrate, and then realize the miniaturization of multi-chip embedded encapsulation module structure. In addition, the chip encapsulation structure can be a ready-cut encapsulation chip, which can realize the docking in industry. The packaging process can be diversified by integrating the packaged chips directly with the unpackaged chips.

【技术实现步骤摘要】
集成芯片封装结构的多芯片埋入式封装模块结构
本技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种集成芯片封装结构的多芯片埋入式封装模块结构。
技术介绍
为迎合电子产品日益轻薄短小的发展趋势，滤波器与射频发射组件/接收组件需要被高度集成在有限面积的封装结构中，形成系统级封装(SystemInPackage，SIP)结构，以减小硬件系统的尺寸。对于系统级封装结构中的滤波器与射频前端模块封装整合技术，业内仍存在相当多的技术问题亟需解决，例如，滤波器的保护结构、多个芯片之间的连接结构、多个芯片的布局等等。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种集成芯片封装结构的多芯片埋入式封装模块结构。为实现上述技术目的之一，本技术一实施方式提供一种集成芯片封装结构的多芯片埋入式封装模块结构，包括：封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，所述封装基板的一侧具有若干外部引脚；功能芯片，设置于所述封装基板，所述功能芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面，且所述功能芯片具有若干第一电极；芯片封装结构，设置于所述封装基板，所述芯片封装结构具有第一互连结构；若干第二互连结构，用于导通若干第一电极、第一互连结构及若干外部引脚；其中，所述封装基板具有容纳所述功能芯片的第一腔室及容纳所述芯片封装结构的第二腔室。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述芯片封装结构包括：子封装基板，具有相对设置的子基板上表面及子基板下表面；滤波器芯片，设置于所述子封装基板的上方，所述滤波器芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面，所述第二下表面与所述子基板上表面面对面设置，且所述滤波器芯片具有若干第二电极；其中，所述第一互连结构连通所述第二电极，且所述芯片封装结构暴露出所述第一互连结构。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述芯片封装结构还包括围堰，所述围堰与所述第二下表面及所述子基板上表面配合而围设形成空腔。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述子封装基板具有若干通孔，所述围堰包括第一围堰及第二围堰，所述第一围堰位于所述通孔的内侧，所述第一围堰与所述第二下表面及所述子基板上表面配合而围设形成空腔，所述第二围堰位于所述通孔的外侧。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述第二围堰朝远离所述第一围堰的方向延伸直至所述第二围堰的外侧缘与所述子封装基板的外侧缘齐平。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述芯片封装结构还包括位于所述子封装基板远离所述子基板下表面的一侧的第一塑封层，所述第一塑封层同时包覆所述第二围堰暴露在外的上表面区域及所述滤波器芯片。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述子封装基板具有若干通孔，所述第二电极位于所述第二下表面，所述第一互连结构为金属层，所述金属层充填所述通孔内部区域并往所述子基板下表面方向延伸，且所述芯片封装结构还包括设置于所述子基板下表面且暴露出所述金属层的第一绝缘层。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚，所述第一电极位于所述第一下表面，所述第一互连结构位于所述芯片封装结构的下方，所述第二互连结构包括第一下重布线层，所述第一下重布线层连通所述第一互连结构、所述第一电极，且所述第一下重布线层往所述基板下表面方向延伸。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述多芯片埋入式封装模块结构还包括设置于所述基板下表面及所述第一下重布线层之间的第二绝缘层、包覆所述第二绝缘层及所述第一下重布线层的第三绝缘层、经过所述第三绝缘层的孔洞导通所述第一下重布线层并往所述第三绝缘层的下表面方向延伸的第二下重布线层以及包覆所述第三绝缘层及所述第二下重布线层的第四绝缘层，所述外部引脚连接所述第二下重布线层，且所述第四绝缘层暴露所述外部引脚。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述多芯片埋入式封装模块结构还包括位于所述封装基板远离所述基板下表面的一侧的第二塑封层，所述第二塑封层同时包覆所述芯片封装结构及所述功能芯片。与现有技术相比，本技术的有益效果在于：本技术一实施方式利用封装技术将芯片封装结构及功能芯片封装于同一封装基板，可以实现多芯片的高度集成，提高封装基板的利用率，进而实现多芯片埋入式封装模块结构的小型化，另外，芯片封装结构可以是现成的切割好的封装芯片，即将封装完成的芯片直接装载至封装基板上，可以实现产业上的对接，而且，将封装完成的芯片直接与未封装的芯片集成，可以实现封装工艺的多样化。附图说明图1是本技术一示例的射频前端模块；图2是本技术另一示例的射频前端模块；图3是本技术一实施方式的多芯片埋入式封装模块结构的剖视图；图4是本技术一实施方式的子封装基板上围堰的示意图；图5是本技术一实施方式的多芯片埋入式封装模块结构的制作方法的步骤图；图6a至图6x是本技术一实施方式的多芯片埋入式封装模块结构的制作方法的流程图。具体实施方式以下将结合附图所示的具体实施方式对本技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本技术，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本技术的保护范围内。在本申请的各个图示中，为了便于图示，结构或部分的某些尺寸会相对于其它结构或部分夸大，因此，仅用于图示本申请的主题的基本结构。另外，本文使用的例如“上”、“上方”、“下”、“下方”等表示空间相对位置的术语是出于便于说明的目的来描述如附图中所示的一个单元或特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以旨在包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的设备翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“之下”的单元将位于其他单元或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括上方和下方这两种方位。设备可以以其他方式被定向(旋转90度或其他朝向)，并相应地解释本文使用的与空间相关的描述语。参图1及图2，本技术一实施方式提供一种通用的射频前端模块，射频前端模块可用于手机、电脑等移动设备或者是其他电子设备中。结合图1，在一示例中，射频前端模块包括功率放大器模块200(PowerAmplifierModule，PAM)，功率放大器模块200包括依次电性连接的第一放大器单元201、第一RF开关单元202及第一RF滤波器单元203，第一放大器单元201为多模式-宽带宽的功率放大器单元。实际操作中，第一放大器单元201用于接收其他部件输出的调制信号，经过功率放大器模块200的调制、放大及滤波操作后，由滤波器单元203输出。结合图2，在另一示例中，射频前端模块包括接收分集模块300(ReceiveDiversityModule，RDM)，接收分集模块300包括依次电性连接的低噪音放大复用器301(LNAMultiplexerModule，LMM)、第二RF滤波器单元302及RF天线开关单元303，其中，低噪音放大复用器301包括电性连接的第二放大器单元3011及第二RF开关单元3012，第二放大器单元3011为多模式-宽带宽的低噪声放大器单元，第二RF开关单元3012的两端分别连接第二放大器单元3011及第二RF滤波器单元302。实际操作中，信号经过天线共用器304分为高频信号及低频信号，这里，以高频信号为例，高频信号进入RF天本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片封装结构的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，包括：封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，所述封装基板的一侧具有若干外部引脚；功能芯片，设置于所述封装基板，所述功能芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面，且所述功能芯片具有若干第一电极；芯片封装结构，设置于所述封装基板，所述芯片封装结构具有第一互连结构；若干第二互连结构，用于导通若干第一电极、第一互连结构及若干外部引脚；其中，所述封装基板具有容纳所述功能芯片的第一腔室及容纳所述芯片封装结构的第二腔室。

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片封装结构的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，包括：封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，所述封装基板的一侧具有若干外部引脚；功能芯片，设置于所述封装基板，所述功能芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面，且所述功能芯片具有若干第一电极；芯片封装结构，设置于所述封装基板，所述芯片封装结构具有第一互连结构；若干第二互连结构，用于导通若干第一电极、第一互连结构及若干外部引脚；其中，所述封装基板具有容纳所述功能芯片的第一腔室及容纳所述芯片封装结构的第二腔室。2.根据权利要求1所述的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：子封装基板，具有相对设置的子基板上表面及子基板下表面；滤波器芯片，设置于所述子封装基板的上方，所述滤波器芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面，所述第二下表面与所述子基板上表面面对面设置，且所述滤波器芯片具有若干第二电极；其中，所述第一互连结构连通所述第二电极，且所述芯片封装结构暴露出所述第一互连结构。3.根据权利要求2所述的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括围堰，所述围堰与所述第二下表面及所述子基板上表面配合而围设形成空腔。4.根据权利要求3所述的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，所述子封装基板具有若干通孔，所述围堰包括第一围堰及第二围堰，所述第一围堰位于所述通孔的内侧，所述第一围堰与所述第二下表面及所述子基板上表面配合而围设形成空腔，所述第二围堰位于所述通孔的外侧。5.根据权利要求4所述的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，所述第二围堰朝远离所述第一围堰的方向延伸直至所述第二围堰的外侧缘与所述子封装基板的外侧缘齐平。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：付伟，
申请(专利权)人：付伟，
类型：新型
国别省市：江苏,32