直接焊锡互连的滤波器芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种直接焊锡互连的滤波器芯片封装结构，封装结构包括：封装基板，基板下表面的一侧具有外部引脚；滤波器芯片，芯片下表面具有电极；互连结构，用于导通若干电极及若干外部引脚；围堰；封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，围堰包括位于通孔内侧的第一围堰及位于通孔外侧的第二围堰，第一围堰与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔，互连结构包括相互配合互连的焊锡结构及电镀层结构，焊锡结构导通电极，电镀层结构导通外部引脚。本实用新型专利技术通过设置围堰形成空腔，避免在封装结构制作过程中或在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。

Packaging structure of filter chip for direct solder interconnection

The utility model discloses a filter chip encapsulation structure with direct solder interconnection. The encapsulation structure includes: a encapsulation substrate with external pins on one side of the lower surface of the substrate; a filter chip with electrodes on the lower surface of the chip; an interconnection structure for conducting a number of electrodes and external pins; a cofferdam; and a encapsulation substrate with several through holes and Cofferdams for several interconnection structures to pass through. The weir includes the first cofferdam on the inside of the through hole and the second cofferdam on the outside of the through hole. The first cofferdam is arranged with the surface under the chip and the surface on the substrate to form a cavity. The interconnection structure includes the solder structure and the electroplating structure, the conducting electrode of the solder structure and the electroplating structure to conduct the external pins. By setting cofferdam to form cavity, the utility model avoids the external material entering into the cavity during the manufacturing process of the packaging structure or during the use of the packaging structure and affects the normal use of the filter chip, thereby improving the overall performance of the packaging structure.

【技术实现步骤摘要】
直接焊锡互连的滤波器芯片封装结构
本技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种直接焊锡互连的滤波器芯片封装结构。
技术介绍
射频集成电路(RFIC)被广泛地用于无线装置，例如，蜂巢式电话。RFIC在基体上把传输线、匹配网络和电感线圈、电阻、电容器和晶体管之类的分立元件结合在一起提供能够传输和接收高频信号的子系统，举例来说，在大约0.1到100千兆赫(GHz)的范围内，RFIC的封装明显不同于数字集成电路的封装，因为该封装往往是射频电路的一部分，而且，因为RFIC复杂的射频电场和/或磁场能与任何附近的绝缘体和导体相互作用，为了符合无线工业日益增加的需求，RFIC封装发展设法提供更小巧、更廉价、性能更高的能适应多裸片射频模块的装置，同时提供更高的可靠性和使用无铅焊剂和其它“绿色的”材料。单或多裸片RFIC被个别封装的单一芯片封装是解决RFIC的小尺寸和低成本需求的直接解决办法，而且现在被用于大多数RFIC。微电子机械系统(MEMS)准许微小尺度机械运动和指定的电信号之间的受控转换，举例来说，与指定的频率一致，MEMS正在广泛地用于RFIC。基于机械运动，射频MEMS就射频频带滤波器而言能实现极好的信号品质，举例来说，SAW滤波器把电信号转换成机械波，后者在它转换回电信号之前沿着压电晶体基体传播的时候被延迟；BAW滤波器使用体积整体运动实现预期的特殊共振；而在RF开关中，电信号用来控制微电极的运动，打开或关闭开关。现在的MEMS技术已经从半导体制造工艺发展起来，然而，与MEMS相关联的机械运动要求完全不同于传统的半导体集成电路的封装构造和要求，具体地说，在所有的MEMS集成电路内部，一些材料必须不受干扰地自由移动，因此，MEMS集成电路必须被遮蔽在运动材料周围形成小的真空或气穴以便在允许它们运动同时保护它们。而现有技术中，无法形成一个封闭且可靠的空腔来实现电路或其他结构的保护。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种直接焊锡互连的滤波器芯片封装结构。为实现上述技术目的之一，本技术一实施方式提供一种直接焊锡互连的滤波器芯片封装结构，包括：封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚；滤波器芯片，具有相对设置的芯片上表面及芯片下表面，所述芯片下表面与所述基板上表面面对面设置，所述芯片下表面具有若干电极；若干互连结构，用于导通若干电极及若干外部引脚；围堰；其中，所述封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，所述围堰包括位于若干通孔内侧的第一围堰及位于若干通孔外侧的第二围堰，所述第一围堰与所述芯片下表面及所述基板上表面配合而围设形成空腔，所述互连结构包括相互配合互连的焊锡结构及电镀层结构，所述焊锡结构导通所述电极，所述电镀层结构导通所述外部引脚，所述焊锡结构包括焊锡，所述电镀层结构包括覆盖于所述通孔内壁并延伸至所述基板上表面、所述基板下表面的电镀种子层及位于所述电镀种子层外且与所述电镀种子层相互匹配的电镀层，所述焊锡延伸至所述通孔而导通所述通孔内壁的所述电镀层。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述电镀层结构延伸至所述基板上表面的宽度小于所述电镀层结构延伸至所述基板下表面的宽度。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述电镀层结构的上表面与所述芯片下表面之间具有缝隙。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述焊锡的上表面与所述电镀层结构的上表面齐平。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述焊锡结构还包括导通所述焊锡及所述电极的UBM层，所述电镀层结构及所述UBM层靠近所述空腔的一侧连接所述第一围堰，所述电镀层结构及所述UBM层远离所述空腔的一侧连接所述第二围堰。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述第一围堰与所述电镀层结构部分重叠，且所述第二围堰与所述电镀层结构部分重叠。作为本技术一实施方式的进一步改进，若干通孔围设形成的内轮廓连接所述第一围堰，若干通孔围设形成的外轮廓连接所述第二围堰，所述第一围堰与所述第二围堰相互连通。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述第二围堰朝远离所述第一围堰的方向延伸直至所述第二围堰的外侧缘与所述封装基板的外侧缘齐平。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述封装结构还包括位于所述封装基板远离所述基板下表面的一侧的塑封层，所述塑封层同时包覆所述第二围堰暴露在外的上表面区域及所述滤波器芯片，且所述封装结构还包括设置于所述基板下表面且暴露出所述外部引脚的防焊层。与现有技术相比，本技术的有益效果在于：本实施方式通过设置围堰形成空腔，可以有效避免在封装结构制作过程中或是在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。附图说明图1是本技术第一实施方式的封装结构剖视图；图2是本技术第一实施方式的封装基板及围堰的示意图；图3是本技术第一实施方式的封装结构的制作方法步骤图；图4a-图4v是本技术第一实施方式的封装结构的制作方法流程图；图5是本技术第二实施方式的封装结构剖视图；图6是本技术第二实施方式的封装基板及围堰的示意图；图7是本技术第二实施方式的封装结构的制作方法步骤图；图8a-图8u是本技术第二实施方式的封装结构的制作方法流程图；图9是本技术第三实施方式的封装结构剖视图；图10是本技术第三实施方式的封装基板及围堰的示意图；图11是本技术第三实施方式的封装结构的制作方法步骤图；图12a-图12w是本技术第三实施方式的封装结构的制作方法流程图；图13是本技术第四实施方式的封装结构剖视图；图14是本技术第四实施方式的封装基板及围堰的示意图；图15是本技术第四实施方式的封装结构的制作方法步骤图；图16a-图16p是本技术第四实施方式的封装结构的制作方法流程图。具体实施方式以下将结合附图所示的具体实施方式对本技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本技术，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本技术的保护范围内。在本申请的各个图示中，为了便于图示，结构或部分的某些尺寸会相对于其它结构或部分夸大，因此，仅用于图示本申请的主题的基本结构。另外，本文使用的例如“上”、“上方”、“下”、“下方”等表示空间相对位置的术语是出于便于说明的目的来描述如附图中所示的一个单元或特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以旨在包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的设备翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“之下”的单元将位于其他单元或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括上方和下方这两种方位。设备可以以其他方式被定向(旋转90度或其他朝向)，并相应地解释本文使用的与空间相关的描述语。参图1，为本技术第一实施方式的带有延伸双围堰的芯片封装结构100的剖视图。封装结构100包括封装基板10、滤波器芯片20、若干互连结构30及围堰40。封装基板10具有相对设置的基板上表面11及基板下表面12，封装基板10的一侧具有若干外部引脚121。这里，封装基板10为承载芯片的承载板，封装基板10可以是有机树脂制成的印刷电路板，也可以是玻璃基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直接焊锡互连的滤波器芯片封装结构，其特征在于，包括：封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚；滤波器芯片，具有相对设置的芯片上表面及芯片下表面，所述芯片下表面与所述基板上表面面对面设置，所述芯片下表面具有若干电极；若干互连结构，用于导通若干电极及若干外部引脚；围堰；其中，所述封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，所述围堰包括位于若干通孔内侧的第一围堰及位于若干通孔外侧的第二围堰，所述第一围堰与所述芯片下表面及所述基板上表面配合而围设形成空腔，所述互连结构包括相互配合互连的焊锡结构及电镀层结构，所述焊锡结构导通所述电极，所述电镀层结构导通所述外部引脚，所述焊锡结构包括焊锡，所述电镀层结构包括覆盖于所述通孔内壁并延伸至所述基板上表面、所述基板下表面的电镀种子层及位于所述电镀种子层外且与所述电镀种子层相互匹配的电镀层，所述焊锡延伸至所述通孔而导通所述通孔内壁的所述电镀层。

【技术特征摘要】
1.一种直接焊锡互连的滤波器芯片封装结构，其特征在于，包括：封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚；滤波器芯片，具有相对设置的芯片上表面及芯片下表面，所述芯片下表面与所述基板上表面面对面设置，所述芯片下表面具有若干电极；若干互连结构，用于导通若干电极及若干外部引脚；围堰；其中，所述封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，所述围堰包括位于若干通孔内侧的第一围堰及位于若干通孔外侧的第二围堰，所述第一围堰与所述芯片下表面及所述基板上表面配合而围设形成空腔，所述互连结构包括相互配合互连的焊锡结构及电镀层结构，所述焊锡结构导通所述电极，所述电镀层结构导通所述外部引脚，所述焊锡结构包括焊锡，所述电镀层结构包括覆盖于所述通孔内壁并延伸至所述基板上表面、所述基板下表面的电镀种子层及位于所述电镀种子层外且与所述电镀种子层相互匹配的电镀层，所述焊锡延伸至所述通孔而导通所述通孔内壁的所述电镀层。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述电镀层结构延伸至所述基板上表面的宽度小于所述电镀层结构延伸至所述基板下表面的宽度。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述电镀层结构的上表...

【专利技术属性】
技术研发人员：付伟，
申请(专利权)人：付伟，
类型：新型
国别省市：江苏,32