The invention provides a bulk acoustic wave resonator, which comprises a bottom-to-top sequential arrangement of a base, an acoustic mirror structure, a bottom electrode, a piezoelectric film structure and an upper electrode. The upper and/or lower surfaces of the upper and/or lower electrodes have an appendage structure, and the appendage structure has a protrusion or depression in a direction perpendicular to the surface of the upper electrode.
【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器
本专利技术涉及半导体
，特别地涉及一种体声波谐振器。
技术介绍
体声波谐振器的传统俯视结构如图1所示，沿图1中的折线AOA’剖开可得到图2中的剖视结构，图1和图2中包含的体声波基本结构包括基底SUB，嵌入于基底上的声学镜结构AM，位于基底和声学镜之上的下电极BE，位于下电极和基底之上的压电薄膜结构PZ，以及位于压电薄膜之上的上电极TE。其中图1中还包含下电极引脚BEC和上电极引脚TEC，此两部分结构在图2中未示出。体声波谐振器的理想工作状态是：在上下电极TE和BE施加射频输入电压时，压电薄膜PZ会响应该电压产生活塞模式的机械振动，从而将电能转化为机械能。然而，在传统结构的体波谐振器的实际工作状态中，除了产生活塞模式的振动之外，还会产生大量的寄生模式振动(杂波)，杂波的存在会占据可观的能量从而导致谐振器的品质因数(Q值)劣化，此外由多个谐振器构成的滤波器的性能也会因此大幅下降。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种体声波谐振器，能够减少杂波，具有更高品质因素。本专利技术的体声波谐振器，包括由下至上依次排列的基底、声学镜结构、下电极、压电薄膜结构...
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括由下至上依次排列的基底、声学镜结构、下电极、压电薄膜结构、上电极，其特征在于，所述上电极和/或下电极的上表面和/或下表面具有附属结构，所述附属结构在垂直于上电极表面的方向上具有凸起或凹陷。
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括由下至上依次排列的基底、声学镜结构、下电极、压电薄膜结构、上电极，其特征在于，所述上电极和/或下电极的上表面和/或下表面具有附属结构，所述附属结构在垂直于上电极表面的方向上具有凸起或凹陷。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述凸起高度或所述凹陷深度范围为至3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述附属结构的凸起或凹陷的分布形式具有如下特征：具有最小晶胞结构，所述晶胞沿直线轨迹进行平面分布，且每个所述晶胞在至少两个不同方向上呈周期性分布。4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于，所述晶胞具有一个中心圆形和三个周边圆形，且三个周边圆形和中心圆形由三个棒状结构相连接，所述晶胞沿中心圆圆心和三个周边圆圆心的三个连心线方向进行周期分布。5.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于，所述晶胞具有一个中心圆形和六个平均地放射状分布的相同棒状结构，所述晶胞沿所述六个棒状结构所在的三条直线方向进行周期分布。6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述附属结构的凸起或凹陷的分布形式具有如下特征：具有最小晶胞结构，所述晶胞沿同心封闭曲线迹进行平面分布。7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述附属结构的凸起或凹陷的分布形式具有如下特征：具有最小晶胞结构，所述晶胞沿同心封闭曲线的轨迹进行平面分...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨清瑞，庞慰，孙晨，张孟伦，
申请(专利权)人：天津大学，诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津,12
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