具有掺杂隔离结构的体声波谐振器制造技术

本发明专利技术提供一种具有掺杂隔离结构的体声波谐振器，包括基底，嵌入基底的声学镜，位于基底和声学镜之上的下电极，位于下电极之上的压电层，以及位于压电层之上的上电极，上电极、压电层、下电极与声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠部分形成有效区域，其中，压电层的周边区域具有掺杂隔离结构，掺杂隔离结构在横向上具有多层结构，每层具有均匀的元素掺杂浓度，彼此邻近的两层中掺杂浓度或者掺杂元素不同。

Bulk acoustic resonator with doped isolation structure

The present invention provides a bulk acoustic wave resonator with doped isolation structure, including a base, an acoustic mirror embedded in the base, a lower electrode located above the base and the acoustic mirror, a piezoelectric layer located above the lower electrode, and an upper electrode located above the piezoelectric layer. The overlapping parts of the upper electrode, the piezoelectric layer, the lower electrode and the acoustic mirror in the thickness direction of the resonator form an effective region. In the piezoelectric layer, there is a doping isolation structure in the surrounding area. The doping isolation structure has a multilayer structure in the transverse direction. Each layer has a uniform doping concentration. The doping concentration or doping elements in the two adjacent layers are different.

【技术实现步骤摘要】
具有掺杂隔离结构的体声波谐振器
本专利技术涉及半导体
，特别地涉及一种具有掺杂隔离结构的体声波谐振器。
技术介绍
传统的体声波谐振器俯视结构如图1所示，沿直线AA’剖开可得到如图2所示的剖面结构。如图2所示，传统体声波谐振器包含基底SUB200(对应图1中的SUB100)，嵌入或位于基底上的声学镜结构AM200(对应图1中的AM100)，位于声学镜和基底上方的下电极BE200(对应于对应图1中的BE100)，位于下电极之上并并向四周延伸且覆盖下电极的压电薄膜层PZ200(对应于对应图1中的PZ100)，位于压电薄膜层之上的上电极TE200。此外，图2中未示出的结构还包含图1中所示的下电极的引脚BE110和上电极引脚TE110。该体声波谐振器中，声学镜、下电极、压电层和上电极在横向上的重合区域构成谐振器的有效声学区域AR200(图1中未示出)。此外，图1和图2中所示的压电层横向边界不代表实际边界。此规则也适用于本文中的其他实施例。具有如图2所示结构的体声波谐振器在工作时，总会有部分声波从有效区域AR200内泄漏到有效区域之外，从而造成体声波谐振器的品质因数(Q值)下降，从而使谐振本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有掺杂隔离结构的体声波谐振器，包括基底，嵌入基底的声学镜，位于基底和声学镜之上的下电极，位于下电极之上的压电层，以及位于压电层之上的上电极，所述上电极、所述压电层、所述下电极与所述声学镜在所述谐振器的厚度方向上的重叠部分形成有效区域，其特征在于：所述压电层的周边区域具有掺杂隔离结构，所述掺杂隔离结构在横向上具有多层结构，每层具有均匀的元素掺杂浓度，彼此邻近的两层中掺杂浓度或者掺杂元素不同。

【技术特征摘要】
1.一种具有掺杂隔离结构的体声波谐振器，包括基底，嵌入基底的声学镜，位于基底和声学镜之上的下电极，位于下电极之上的压电层，以及位于压电层之上的上电极，所述上电极、所述压电层、所述下电极与所述声学镜在所述谐振器的厚度方向上的重叠部分形成有效区域，其特征在于：所述压电层的周边区域具有掺杂隔离结构，所述掺杂隔离结构在横向上具有多层结构，每层具有均匀的元素掺杂浓度，彼此邻近的两层中掺杂浓度或者掺杂元素不同。2.根据权利要求1所述的具有掺杂隔离结构的体声波谐振器，其特征在于，所述掺杂隔离结构的内侧边界与所述体声波谐振器有效声学区域外侧边界的距离大于3μm小于30μm，或者大于声波波长并且小于十倍声波波长。3.根据权利要求1所述的具有掺杂隔离结构的体声波谐振器，其特征在于，所述掺杂隔离结构中掺杂浓度范围为0-40％。4.根据权利要求1所述的具有掺杂隔离结构的体声波谐振器，其特征在于，所述掺杂隔离结构中各层的横向厚度范围为1-20μm。5.根据权利要求1所述的具有掺杂隔离结构的体声波谐振器，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨清瑞，庞慰，张孟伦，
申请(专利权)人：天津大学，诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津,12