一种电源选择电路及耐高压IO电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种电源选择电路及耐高压IO电路，所述电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一供电电源以及第二供电电源，所述第一供电电源分别与所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极连接，所述第二供电电源分别与所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的衬底和源极、所述第二PMOS管的衬底和源极连接在同一点后与所述输出端连接。

A Power Selection Circuit and High Voltage IO Circuit

The utility model provides a power selection circuit and a high voltage IO circuit, which comprises a first PMOS tube, a second PMOS tube, a first power supply and a second power supply. The first power supply is connected with the drain of the first PMOS tube and the gate of the second PMOS tube, respectively. The second power supply is connected with the gate of the first PMOS tube and the gate of the second PMOS tube, respectively. The drain connection of the tube, the substrate and source of the first PMOS tube, the substrate and source of the second PMOS tube are connected at the same point and then connected with the output terminal.

【技术实现步骤摘要】
一种电源选择电路及耐高压IO电路
本技术涉及电源电路选择与比较
，具体为一种电源选择电路及耐高压IO电路
技术介绍
随着电子技术发展，各行业对供电可靠性要求越来越高，许多重要的应用场景都要求不间断供电，大部分不间断供电系统都由一个主电源和一个备用电源组成，一般主电源为直流电，备用电源为电池。在主电源掉电后，电子设备在备用电池电源供电下仍然能够正常工作。主电源与备用电源之间的切换技术广泛应用于双电源供电应用场景中。传统的电源切换方案利用二极管的单相导通特性切换主电源和备用电源供电，但是二极管的正向导通压降和正向导通电阻使得其工作效率较低，并且由于增加了二极管造成了应用成本的增加。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种电源选择电路及耐高压IO电路，以解决电路中供电电源的比较和选择问题。为了解决上述技术问题，本技术提供了以下技术方案：第一方面：本申请提供一种电源选择电路，所述电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一供电电源以及第二供电电源，所述第一供电电源分别与所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极连接，所述第二供电电源分别与所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的衬底和源极、所述第二PMOS管的衬底和源极连接在同一点后与所述输出端连接。上述方案设计的电路，使用PMOS管来实现电路自动比较选择电压较高的供电电源，结构简单，电路可靠，成本较低并且工作效率高。在第一方面的可选实施方式中，所述电路还包括电容，所述电容一端与所述输出端连接，所述电容另一端与接地端连接。上述方案设计的电路，电容起到过滤作用，使得电路中产生的波动信号能够通过电容，流入大地，实现提高输出信号的抗干扰能力。在第一方面的可选实施方式中，所述第一供电电源的工作电平为0～3.3V。上述方案设计的电路，工作电平为3.3V，符合计算机内部的工作电压并且为PMOS典型的工作电压，使得整个电路更加稳定和可靠。在第一方面的可选实施方式中，所述第二供电电源的工作电平为1.8V。在第一方面的可选实施方式中，所述第一PMOS管和第二PMOS管都为耗尽型PMOS管。在第一方面的可选实施方式中，所述第一PMOS管和第二PMOS管都为增强型PMOS管。第二方面：本申请提供一种耐高压IO电路，所述电路包括：如第一方面各个实施方式所述的电源选择电路、过压和防漏电处理电路以及IO电路，所述第一供电电源还与所述IO电路连接，所述电源选择电路与所述过压和防漏电处理电路连接，所述过压和防漏电处理电路与所述IO电路连接，所述IO电路与芯片引脚相连。上述方案设计的电路，芯片可以在多个电源之间自动进行比较和选择，使得过压处理电路始终有可靠的非零电平可以使用，使得耐高压IO的应用场合从只能是正常工作模式，拓展到低功耗待机模式，扩大了芯片的应用范围。在第二方面的可选实施方式中，所述IO电路包括输出驱动级模块、输出预驱动级模块、输入级模块以及上拉及下拉电阻模块，所述第一供电电源与所述输出驱动模块连接，所述输出驱动级模块与所述输出预驱动级模块连接，所述输出驱动模块分别与所述输入级模块以及所述上拉及下拉电阻模块连接，所述输出驱动级模块分别与所述电源选择电路、过压和防漏电处理电路以及芯片引脚连接，所述输出预驱动级模块与所述过压和防漏电处理电路连接，所述输入级模块和上下拉电阻模块分别与所述过压和防漏电处理电路连接。在第二方面的可选实施方式中，所述输出驱动级模块包括第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管以及第二NOMS管，所述第一供电电源与所述第三PMOS管的源极连接，所述第三PMOS管的栅极分别与所述输出预驱动级模块以及所述过压和防漏电处理电路连接，所述第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极连接后与所述过压和防漏电处理电路连接，所述第三PMOS管的衬底与第四PMOS管的衬底连接，所述第四PMOS管的栅极与所述过压和防漏电处理电路连接，所述第四PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接后分别与所述输入级模块、所述上拉及下拉电阻模块、所述过压和防漏电处理电路以及芯片引脚连接，所述第一NOMS的栅极与所述电源选择电路连接，所述第一NOMS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的衬底与第二NMOS管的衬底连接后再与第二NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管与接地端连接，所述第二NMOS管的栅极与所述输出预驱动级模块连接。在第二方面的可选实施方式中，所述第一NMOS管和第二NMOS都为增强型NMOS管。本技术提供了一种电源选择电路及耐高压IO电路，使得供电电源的选择问题得到解决，并且基于此电源选择电路的基础上设置耐高压IO电路，使得耐高压IO的应用场合从仅仅是正常工作模式，拓展到低功耗待机模式，扩大了芯片的应用范围。附图说明为了更清楚地说明本技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1是本技术第一实施例提供的电源选择电路图图2是本技术第二实施例提供的耐高压IO电路结构图；图3是本技术第二实施例提供的输出驱动级结构图。图标：10-第一供电电源；20-第二供电电源；30-第一PMOS管；40-第二PMOS管；50-电容；60-电源选择电路；70-过压和防漏电处理电路；80-IO电路；90-输入驱动级模块；901-第三PMOS管；902-第四PMOS管；903-第一NMOS管；904-第二NMOS管；100-输出预驱动级模快；110-输入级模块；120-上拉及下拉电阻模块，130-芯片引脚。具体实施方式为使本技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电源选择电路，其特征在于，所述电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一供电电源以及第二供电电源，所述第一供电电源分别与所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极连接，所述第二供电电源分别与所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的衬底和源极、所述第二PMOS管的衬底和源极连接在同一点后与输出端连接。

【技术特征摘要】
1.一种电源选择电路，其特征在于，所述电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一供电电源以及第二供电电源，所述第一供电电源分别与所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极连接，所述第二供电电源分别与所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的衬底和源极、所述第二PMOS管的衬底和源极连接在同一点后与输出端连接。2.根据权利要求1所述电源选择电路，其特征在于，所述电路还包括电容，所述电容一端与所述输出端连接，所述电容另一端与接地端连接。3.根据权利要求1所述电源选择电路，其特征在于，所述第一供电电源的工作电平为0～3.3V。4.根据权利要求1所述电源选择电路，其特征在于，所述第二供电电源的工作电平为1.8V。5.根据权利要求1所述电源选择电路，其特征在于，所述第一PMOS管和第二PMOS管都为耗尽型PMOS管。6.根据权利要求1所述电源选择电路，其特征在于，所述第一PMOS管和第二PMOS管都为增强型PMOS管。7.一种耐高压IO电路，其特征在于，所述电路包括：如权利要求1-6任意一项所述的电源选择电路、过压和防漏电处理电路以及IO电路，所述第一供电电源还与所述IO电路连接，所述电源选择电路与所述过压和防漏电处理电路连接，所述过压和防漏电处理电路与所述IO电路连接，所述IO电路与芯片引脚相连。8.根据权利要求7所述的耐高压IO电路，其特征在于，所述IO电路包括输出驱动级模块、输出预驱动级模块、输入级模块以及上拉电阻模块，所述第一供电电源与...

【专利技术属性】
技术研发人员：芦文，李健勋，张敏，
申请(专利权)人：深圳市中科蓝讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44