正入射共面电极阵列光电芯片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射共面电极阵列光电芯片及其制备方法；一种正入射共面电极阵列光电芯片，包括多个分光单元，每个分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极；分光槽贯穿芯片的吸收层；芯片的正面上还设有第二电极；以芯片的正面为入光侧，每束入射光射向对应的分光单元，每束入射光的一部分从对应的分光单元的分光槽射出，每束入射光的另一部分从对应的分光单元的吸光区进入到吸收层内进行光电转换；故本发明专利技术提供的正入射共面电极阵列光电芯片能够对多束入射光的每束入射光分别进行分光和光功率监控，进而使得应用本发明专利技术提供的芯片的光路系统，无须使用大量的光分路器进行分光，大大减少了系统体积。

Coplanar Electrode Array Photoelectric Chip with Positive Incidence and Its Fabrication Method

The invention relates to the field of optical communication and transmission technology, in particular to a positive incident coplanar electrode array photoelectric chip and its preparation method; a positive incident coplanar electrode array photoelectric chip includes a plurality of light splitting units, each of which includes a light splitting slot, an absorption zone and a first electrode; a light splitting slot penetrates the absorption layer of the chip; and a second electrode is arranged on the front of the chip; The front side is the input side, and each incident light beam is directed to the corresponding splitting unit. A part of each incident light beam is emitted from the splitting slot of the corresponding splitting unit, and the other part of each incident light beam enters the absorption layer from the absorption region of the corresponding splitting unit for photoelectric conversion; therefore, the positive incident coplanar electrode array photoelectric chip provided by the invention can incident each beam of multiple incident light beams. The light is separately divided into light splitter and light power monitoring, so that the optical system using the chip provided by the invention does not need to use a large number of optical splitters for light splitting, thus greatly reducing the volume of the system.

【技术实现步骤摘要】
正入射共面电极阵列光电芯片及其制备方法
本专利技术涉及光通信传输
，具体涉及一种正入射共面电极阵列光电芯片及其制备方法。
技术介绍
激光器发射的光信号经光纤传输进入无源光波导(PLC)之前，通常需要光分路器分出部分(例如5％)光信号到另外的光电芯片上，进行光功率监控。剩余(例如95％)的光信号通过光纤耦合到光波导，进行传输。在实际使用中，通常会有几十甚至几百条这样的光链路，相对应的就需要有几十甚至几百个光分路器，进而造成系统体积庞大。而且由于器件众多，成本就高。
技术实现思路
为了实现上述技术问题，本专利技术提供了一种正入射共面电极阵列光电芯片，包括多个分光单元，每个所述分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极；所述分光槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述芯片的吸收层；所述吸光区和所述第一电极均设于所述芯片的正面，并所述第一电极位于所述吸光区的外侧；所述芯片的正面上还设有至少一个第二电极；以所述芯片的正面为入光侧，每束入射光射向对应的所述分光单元，每束入射光的一部分从对应的所述分光单元的分光槽射出，每束入射光的另一部分从对应的所述分光单元的吸光区进入到所述吸收层内进行光电转换。本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种正入射共面电极阵列光电芯片，其特征在于：包括多个分光单元，每个所述分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极；所述分光槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述芯片的吸收层；所述吸光区和所述第一电极均设于所述芯片的正面，并所述第一电极位于所述吸光区的外侧；所述芯片的正面上还设有至少一个第二电极；以所述芯片的正面为入光侧，每束入射光射向对应的所述分光单元，每束入射光的一部分从对应的所述分光单元的分光槽射出，每束入射光的另一部分从对应的所述分光单元的吸光区进入到所述吸收层内进行光电转换。

【技术特征摘要】
1.一种正入射共面电极阵列光电芯片，其特征在于：包括多个分光单元，每个所述分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极；所述分光槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述芯片的吸收层；所述吸光区和所述第一电极均设于所述芯片的正面，并所述第一电极位于所述吸光区的外侧；所述芯片的正面上还设有至少一个第二电极；以所述芯片的正面为入光侧，每束入射光射向对应的所述分光单元，每束入射光的一部分从对应的所述分光单元的分光槽射出，每束入射光的另一部分从对应的所述分光单元的吸光区进入到所述吸收层内进行光电转换。2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：每个所述分光单元还包括光敏区，所述光敏区设于所述芯片的顶层；所述光敏区的内端位于所述吸收层，所述光敏区的外端与对应的所述第一电极相连接；所述光敏区与对应的所述吸光区有重叠区域；多个所述分光单元共用所述顶层和所述吸收层，多个所述分光单元的光敏区间隔设置，各个所述分光单元的光敏区通过对应一个所述第一电极输出光电转换信号。3.根据权利要求1所述芯片，其特征在于：所述芯片的正面上还设有多个与所述分光单元一一对应的电极焊盘，每个所述分光单元的第一电极通过电极连接线与对应的所述电极焊盘相电连接；多个所述分光单元的第一电极之间相互绝缘设置，多个所述电极焊盘之间相互绝缘设置，多个所述电极连接线之间相互绝缘设置；所述第二电极与每个所述分光单元的第一电极相互绝缘设置，所述第二电极也分别与每个所述电极焊盘和每个所述电极连接线相互绝缘设置。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨彦伟，刘宏亮，刘格，邹颜，
申请(专利权)人：深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44